Effect of Hydrogen Implantation on SIMOX SOI Materials

Hydrogen ions were implanted into separation by implantation of oxygen (SIMOX) silicon-on-insulator (SOI) wafers near the oxygen-implantation-induced damage peak under different conditions of energy and dose. It was found that the implanted hydrogen ions not only accelerate the diffusion of oxygen atoms from the annealing ambience into the wafer but also cause an outward diffusion of oxygen atoms in the buried oxide (BOX) layer. Thus, greatly broadened buried oxygen-rich (BOR) layers were formed in our experiments, which are 18%-79% broader than the BOX layer of standard SIMOX SOI wafers under the same conditions of oxygen implantation. The mechanism was discussed. A potential low cost method to fabricate SIMOX SOI wafers is proposed.     

准粒子注入下超导膜能隙变化的一些计算

利用 Schn-Tremblay 理论计算了 Pb、Sn 超导薄膜在注入准粒子且注入电压很小(ev<2△(?))时的能隙微小增加的效应.同时,把此理论扩展到 ev>>2△_i 的大电压情况,计算出能隙明显减小及超导-正常混合态的结果.     

遥感器CCD驱动器热设计及其在摄像过程中的温度变化

CCD驱动器是航天成像遥感器摄像过程中的主要热源之一。防止CCD驱动器过热是保证其正常工作的重要方面。介绍了遥感器的工作模式和对CCD驱动器采取的热控制措施。通过热平衡试验,利用回归的方法,对CCD驱动器在摄像过程中的温度变化规律进行了分析,同时对热控制效果进行了评估。CCD驱动器工作时升温速率在0.85℃/min左右,整个摄像过程中最高温度约为26℃,所实施的热控制措施效果理想。     

顶夸克的发现

 今年3月2日,在美国费米国家实验室举行的报告会上,CDF和D0两个实验组分别报告了他们的实验结果,正式宣布发现顶夸克(Top Quark,也称t夸克)。     

延长速调管使用寿命的方法

描述了一种延长EPR波谱仪中速调管使用寿命的方法.根据这种方法,只要正确地调谐微波桥的工作状态和适当地调整功率电平器的功率校正电平.即使对于已经严重老化的速调管仍然可以继续使用一段时间,维持仪器的正常运行.     

保偏光纤偏振器

利用保偏光纤的弯曲损耗特性绕制而成的光纤偏振器已有过报道。但文献[1]中报道的偏振器尺寸太大(φ=100mm),不利于光纤陀螺的小型化。本文介绍一种采用“熊猫”型光纤制成的偏振器,其尺寸较小(φ=30mm),消光比可达到33dB。     

牛顿第二定律演示器

用一细长的电镀杆(或用细玻璃管嵌在木条上)作直轨道1,悬挂式小车2正面有一开口,可以取放砝码,下端安一支笔(可用一细笔管安上香烟的过滤嘴或泡沫塑料蘸墨水即可),以便自动记录小车的位置。直轨道的右上方有一个略小于直轨一半长度并可绕一端转动的斜槽轨道3,在后板适当位置做一弧形狭缝,用螺丝可将斜槽固定在所需