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971.
讨论了测定聚合氯化铁中OH/Fe物质的量比的几种方法,确定用过量碱沉淀法测定聚合氯化铁中的OH/Fe物质量比;同时研究了影响测定的各种因素,找出了最佳的测定条件.通过对合成试样和未知试样的测定,结果表明方法无系统误差存在,结果准确、可靠. 相似文献
972.
973.
The oxidation of Na4Fe(CN)6 complex by S2O anion was found to follow an outer‐sphere electron transfer mechanism. We firstly carried out the reaction at pH=1. The specific rate constants of the reaction, kox, are (8.1±0.07)×10?2 and (4.3±0.1)×10?2 mol?1·L·s?1 at μ=1.0 mol·L?1 NaClO4, T=298 K for pH=1 (0.1 mol·L?1 HCl04) and 8, respectively. The activation parameters, obtained by measuring the rate constants of oxidation 283–303 K, were ΔH≠=(69.0±5.6) kJ·mol?1, ΔS≠=(?0.34±0.041)×102 J·mol?1·K?1 at pH=l and ΔH≠=(41.3±5.5) kJ·mol?1, ΔS≠=(?1.27±0.33)×102 J·mol?1·K?1 at pH=8, respectively. The cyclic voltammetry of Fe(CN) shows that the oxidation is a one‐electron reversible redox process with E1/2 values of 0.55 and 0.46 V vs. normal hydrogen electrode at μ=1.0 mol·L?1 LiClO4, for pH=1 and pH=8 (Tris). respectively. The kinetic results were discussed on the basis of Marcus theory. 相似文献
974.
为了研究磨削参数对热等静压氮化硅陶瓷磨削温度与磨削力的影响以及磨削温度和磨削力与表面形成之间的关系.通过正交实验得出磨削参数与磨削温度、磨削力以及比磨削能的关系,而后得出比磨削能与表面成形的关系.当砂轮速度由30 m/s增大到45 m/s,法向磨削力由241.4 N减小到185.3 N,切向磨削力由83.5 N减小到58 N,磨削温度由268℃增加到370.5℃,比磨削能由179.14 J/mm-3增加到238.88 J/mm-3,表面质量变好.磨削深度由5μm增加到35μm,法向磨削力由178.15 N增加到274.6 N,切向磨削力由40.88 N增加到115 N,磨削温度由77.75℃增加到593℃;比磨削能由335.74 J/mm-3减小到100.72 J/mm-3,表面质量变差.工件进给速度由1000 mm/min增大到7000 mm/min,法向磨削力由185.13 N增加到256.05 N,切向磨削力由47.48 N增加到91.08 N,磨削温度先由352.25℃减小到308℃,后增加到325.75℃,比磨削能由376.2 J/mm-3减小到94.98 J/mm-3,表面质量变差.当比磨削能较大时,表面以塑性变形的方式去除,比磨削能较小时,表面以脆性断裂的方式去除.在陶瓷磨削加工中尽可能选择小切深和较缓的工件进给速度,并适当提高砂轮线速度. 相似文献
975.
利用AgNO3和NaCl反应生成的AgCl颗粒作为晶种合成纳米银线.详细研究了纳米银线在溶液中的生长过程,探讨了AgCl晶种与银源AgNO3物质的量的比和反应时间对纳米银线形貌的影响.通过SEM、TEM、XRD、紫外可见光光谱等测试方法,对纳米银线的生长过程和不同条件下制备的纳米银线的微观形貌和晶体结构进行表征.实验表明,纳米银线是在AgCl颗粒表面上定向生长,AgCl与AgNO3物质的量的比和反应时间影响纳米银线的长度和直径大小.当AgCl与AgNO3的物质的量比为1:5,反应时间4 min时,制备的纳米银线平均直径52 nm,长径比超过了1000. 相似文献
976.
用数值模拟研究以钨圆柱体或钨球作为客体的闪光照相系统中记录平面上散射成分随柱半径R、柱体高度H或球半径R变化的规律。结果表明:当柱体R固定时,散射照射量先随H增加而先增加后减小,最大散射发生在H=3cm处;当H固定时,散射照射量随柱体R增加而增加。在球形几何无后锥时,散射照射量先随球外半径R增加而先增加后减小,最大散射发生在R=1.75cm处;后锥是散射的主要来源。直散比既随H增加而单调减小,也随柱体R增加而单调减小;对于球形几何,直散比随球的外半径R增加而单调减小。 相似文献
977.
荣建华 《浙江大学学报(理学版)》2016,43(6):685-688
研究了将服务等级与拒绝费用2种模型复合起来的平行机排序问题.设有2台平行机M1,M2,加工速度相同;n个工件J1,J2,…,Jn分别按列表在线到达,每个工件Jj含有3个参数:加工长度tj、拒绝费用pj以及服务等级gj=1,2.当工件到达时,可以接收加工,占用一定的加工时间;亦可拒绝,付出相应的罚值.目标为被接收工件的最大完工时间与被拒绝工件的总罚值之和最小.进一步,当且仅当g(Mi)≤gj时,工件Jj可以分配给机器Mi加工,即机器M1可以加工所有工件,机器M2只能加工等级为gj=2的工件,允许中断加工.设计了在线算法PH,并证明其竞争比为1+(√2)/(2)≈1.707,下界为1.618,上下界差约为0.089. 相似文献
978.
本文对采用双坩埚提拉法(DCCZ)生长的化学计量比LiNbO3晶体中出现的机械双晶、组分过冷、包裹体等宏观生长缺陷进行了观察和分析.结果表明机械双晶通常以{102}和{104}面族为双晶面,而不是以前文献报道的{102}和{012}面族;化学计量比LiNbO3晶体双坩埚提拉法生长与同成份晶体生长不同,前者是助熔剂生长体系,生长速度稍快或温度较小的波动就会导致组分过冷,而后者属于纯熔体生长体系,不容易产生组分过冷;包裹体是由于组分过冷生长时界面失稳夹入熔体所造成的.由于这些缺陷的存在都会严重影响单晶的获得率和质量,为此,我们通过大量实验研究后提出了可以减少和避免这些生长缺陷提高晶体质量的方法. 相似文献
979.
算术平均数和方差是概括总体的两个最基本的统计量.要理解算术平均数,我们最好能够理解一些算术平均数不能够很好概括总体的例子.我们也讨论了算术平均数能够很好概括总体的一个条件. 相似文献
980.