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用斜坡电压法(Voltage Ramp, V-ramp)评价了0.18μm双栅极 CMOS工艺栅极氧化膜击穿电量(Charge to Breakdown, Qbd)和击穿电压(Voltage to Breakdown, Vbd). 研究结果表明,低压器件(1.8V)的栅极氧化膜(薄氧)p型衬底MOS电容和N型衬底电容的击穿电量值相差较小,而高压器件(3.3V)栅极氧化膜(厚氧)p衬底MOS电容和n衬底MOS电容的击穿电量值相差较大,击穿电压测试值也发现与击穿电量
关键词:
薄氧
可靠性
击穿电压
击穿电量 相似文献
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低温太阳热能与化学链燃烧相结合控制CO2分离动力系统 总被引:3,自引:1,他引:2
本文探索并提出控制CO2分离的低温太阳热能与清洁合成燃料甲醇-三氧化二铁化学链燃烧相结合的新颖能源动力系统。基于图象(?)分析方法,明确地指出甲醇化学链燃烧能量释放过程燃烧堋损失减小和低温太阳热能品位提升的机理。从能源有效利用和环境相容出发,研究和揭示化学链燃烧与太阳能有机整合共同减小CO2分离能耗的特性规律。相比不分离常规联合循环,新系统(?)效率提高约6.2个百分点;与分离CO2的联合循环相比,新系统媚效率提高约14.2个百分点。同时,低温太阳热能热转功效率可达到22.5%。 相似文献
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