InSb薄膜的霍尔效应测量

霍尔系数和电阻率随温度变化的测量是近代物理的基本实验之一．通过测量可判断半导体材料的类型，并得到材料的一些重要参数，例如载流子浓度和运尔迁移率等等．在一般的教学实验中常用单晶锗或硅作为样品．随着半导体技术的发展，用外延工艺研制的单晶薄膜材料已成为一种重要的半导体材料．我们得到了几块用这种工艺生长的N型Insb（锑化铝）薄膜材料，测量了它们的合尔系数和电阻率，并求出其载流于浓度和霍尔迁移率．可以看出这种材料的霍尔迁移率比硅和锗材料要大得多．实验中发现个别薄膜材料在低温时的电子霍尔迁移率低于常温时的值，…     

Si基Bi4Ti3O12铁电薄膜的制备与特性研究

采用sol-gel工艺, 在分层快速退火的工艺条件下成功地制备了高质量Si基Bi_{4Ti3O12铁电薄膜. 研究了Si基Bi4Ti3O12薄膜的生长行为、铁电性能、C-V特性和疲劳特性. 研究表明: Si基Bi4Ti3O12薄膜具有随退火温度升高沿c轴择优生长的趋势; 退火温度通过影响薄膜的晶粒尺寸、生长取向和薄膜中载流子的浓度来改变Si基Bi关键词： sol-gel法 铁电薄膜 4Ti3O12')" href="#">Bi4Ti3O12 C-V特性}     

Single Crystal Si Layers on Glass Fabricated by Hydrophilic Fusion Bonding and Smart-Cut Technology

A single crystal Si thin film on a glass substrate has been obtained successfully by hydrophilic fusion bonding and the smart-cut technology. Tensile strength testing shows that the bonded interface has strong adhesion and the bonding strength is about 8.7MPa. Crystallinity and microstructure of the samples have been characterized by transmission electron microscopy (TEM). Electrical properties have also been investigated by Hall measurements and four-point probe. The mobility of the transferred Si layer on glass is about 122cm^2//V.s. The results show that the single-crystal silicon layer transferred onto glass by direct bonding keeps good quality for the applications of integrated circuits, transducers, and fiat panel display.     

InxGa1-xN薄膜的弯曲因子及斯托克斯移动研究

采用常压金属有机化学汽相沉积(MOCVD)技术以Al2O3为衬底在GaN膜上生长了InxGa1-xN薄膜。以卢瑟福背散射／沟道技术、光透射谱、光致发光光谱对InxGa1-xN／GaN／AI2O3样品进行了测试。研究了InxGa1-xN薄膜的弯曲因子及斯托克斯移动。结果表明，采用光透射谱、光致发光光谱得到的InxGa1-xN薄膜的禁带宽度一致，InxGa1-xN薄膜并不存在斯托克斯移动。InxGa1-xN薄膜的In组分分别为0．04，0．06，0．24，0．26时，其弯曲因子分别为3．40,2．36，1．82，3．70。随In组分变化。InxGa1-xN薄膜的弯曲因子的变化并没有一定的规律，表明InxGa1-xN薄膜的禁带宽度随In组分的变化关系复杂。     

我国高温超导材料研究进展

本文概述了我国在高温超导材料研究方面的最新进展，较系统地介绍了超导块材和薄膜的制备方法及性能，并简单地介绍了高温超导材料在超导量子干涉器件、超导天线、磁屏蔽和磁通变换器等方面的应用．     

LB薄膜中四新戊氧基酞菁锌和四壬基酞菁铜分子聚集体的吸收光谱的温度特性

本文制备了四新戊氧基酞菁锌(Tetra-neopentoxy phthalocyanine zine)(TNPPeZn)和四壬基酞菁铜(Tetra-nonyl phthalocyanine copper)(TNPeCu)两种酞菁衍生物的Langmuir-Blodgett(LB)薄膜.通过测量10～473K温度下的吸收光谱,研究了两种薄膜的分子聚集状态.TNPPeZn的LB薄膜中,存在着分子单体和分子二聚体,在吸收光谱中分别表现为680nm和620nm的吸收峰.随着温度的升高,分子单体逐渐转变为分子二聚体,这个过程是不可逆的.TNPeCu的LB薄膜中,除了分子单体和分子二聚体以外,还有吸收为740nm的分子J聚集体存在.随着温度的变化,J聚集体发生可逆变化.     

双套筒式PVDF聚合物薄膜水听器

本文提出一种采用PVDF聚合物薄膜压电材料的双套筒式水听器结构,并通过静态分析方法给出了水听器的低频电声灵敏度公式.理论优化值及该结构式水听器的一例实测结果均表明,这种结构具有乐观的应用前景.