离子束引起的在Al／Cr双层薄膜界面处的原子混合

用600keV的Kr~ 离子轰击Al/Cr双层薄膜样品进行界面原子反应及相互混合的研究。实验样品是在单晶硅上蒸镀约500nm厚的铝膜,相继再蒸上所需厚度的铬膜而制成的。轰击剂量为2.0×10~(15)-2.5×10~(16)Kr~ /cm~2。用2.0MeVa粒子对轰击前后的样品进行了卢瑟福背散射(RBS)分析,发现界面处有明显的原子混合存在;当轰击剂量≥1.0×10~(16)Kr~ /cm~2时,RBS谱出现有明显的坪台,经拟合计算和x射线衍射(XRD)测量证实确有化合物Al_(13)Cr_2存在;还分别得到了原子混合量及混合效率与轰击剂量的关系;最后对界面处的原子混合机制进行了讨论。     

Fabrication and Characterization of Ni Thin Films Using Direct-Current Magnetron Sputtering

Ni films are deposited by using ultra high vacuum dc magnetron sputtering onto silicon substrates at room temperature, and the high-quality and high-density films are prepared. The parameters, such as thickness, density and surface roughness, are obtained by using small-angle x-ray diffraction (XRD) analyses with the Marquardt gradient-expansion algorithm. The deposition rate is calculated and the Ni single layer can be fabricated precisely. Based on the fitting results, we can find that the surface roughness of the Ni films is about 0.7nm, the densities of Ni films are around 97% and the deposition rate is 0.26nm/s. The roughness of the surface is also characterized by using an atomic force microscope (AFM). The changing trend of the surface roughness in the simulation of XRD is in good agreement with the AFM measurement.     

集成铁电学与铁电集成薄膜

介绍了集成铁电学的基本概念，评述了当前集成铁电材料与器件研究中的主要问题，概略叙述了作者提出的铁电集成薄膜及其在多功能器件和灵巧器件上的应用。     

CuZnAlZr催化剂上甲醇氧化水蒸气重整制氢I．催化剂组成的优化

采用共沉淀法制备了不同配比的CuZnAlZr复合氧化物催化剂，并通过XRD和TPR等表征技术及活性评价，考察了催化剂各组分配比对活性的影响，从而对各组分配比进行了优化．结果表明，组成为(Cu7Zn3)7(Al6Zr4)3的催化剂具有最高的催化活性，反应温度为200℃时，甲醇转化率可高达91％，而重整气体中CO的体积分数仅为0．12％．具有较高分散性及高还原性能的表相Cu组分的增加有利于提高催化剂的活性，Zn可以起到隔离和分散Cu的作用，而Al和Zr的存在可以稳定表相Cu^2 的存在形式．     

不锈钢丝网上薄膜TiO2光催化剂的Raman光谱研究

用Raman光谱方法来研究用Sol Gel法负载于金属丝网的薄膜TiO2 光催化剂的物相结构、厚度以及粒径大小。研究结果显示 ,薄膜达到一定厚度能够阻止基底Fe元素向薄膜表层的扩散 ;在 4 0 0℃下灼烧制得的薄膜TiO2 光催化剂具有锐钛矿晶型 ,而高于 4 0 0℃时 ,将出现金红石相TiO2 ;锐钛矿晶型TiO2 的Raman特征峰产生偏移 ,表明薄膜粒径的变化 ,通过计算表明 ,薄膜TiO2 的粒径为 10nm左右 ,TEM的分析结果也与之一致。     

等厚双层涂层材料受集中力作用的平面问题理论解

界面应力的正确评价是分析薄膜涂层材料力学特性的难题之一。利用镜像点法和Dirichlet等值性原理，本文推导了等厚双层薄膜涂层材料受表面集中力作用的平面问题理论解。该显式理论解是以固定在各镜像点上的局部坐标系下的Goursat应力函数的形式给出的。对应于高阶镜像点的应力函数，可通过递推的方法，从对应于低阶镜像点的应力函数求得，而且也易于计算机编程。随着镜像点阶数的增大，它与界面的距离也越来越大，因而相对应的应力函数对界面应力的影响越来越小。最后的算例表明，只需考虑前面有限个镜像点，便可获得足够精度的解。该理论解可作为格林函数，以求解复杂问题的理论解，也可用作边界元法的基本解，提高数值计算的精度和效率。     

包埋Ru（bpy）3C12非线性光催化薄膜在图像处理中的应用

用so1-gel法以正硅酸乙酯、乙醇和蒸馏水为原料，以盐酸为催化剂，包埋三联吡啶钌[Ru(bpy)3C12]制备催化Belousov-Zhabotinsky(BZ)反应的非线性光催化薄膜，并利用紫外分光光度法测定了在薄膜中Ru(bpy)3Cl2的包埋量．通过投影图像的方法光激发BZ反应，在包埋Ru(bpy)3C12的薄膜上产生化学波图像．在薄膜中演化形成的图像具有相当高的图像清晰度．在图像的演化过程中，具有图像反转、边界增强、图像分割等图像处理能力，并可以通过改变BZ反应条件来调控增强某些图像处理能力．     

Effect of nonstoichiometry on Raman scattering of VO2 films

We report on Raman scattering of VO2 films prepared by radio frequency magnetron sputtering under different conditions. Our investigations revealed that the dominated Raman peaks shift towards high frequency for both V-rich and O-rich VO2 films, compared with the stoichiometry VO2 films. The experimental evidence is presented and the cause for nonstoichiometry dependence of Raman spectra of VO2 films is discussed.