二乙醇胺-甘油-Na2O-SiO2-Al2O3-H2O系统中沸石的生成

在水热条件下,二乙醇胺(DEA)—甘油(GL)—Na_2O-SiO_2-Al_2O_3—H_2O反应混合物系统中可自发生成大晶粒(>50μm)的丝光沸石,ZSM-5,35,48及新沸石CF-2.。变反应混合物配比或同时使用晶种导向法,可在该系统中合成上述沸石纯相。变更系统中有机物(胺或醇)的种类,可以获得不同的结晶产物。     

水玻璃模数快速测定的改进

水玻璃(含水的多硅酸钠)的模数(二氧化硅与氧化钠含量之比),对于精铸模壳成型质量至关重要。传统上,分别测出二氧化硅与氧化钠的质量分数,再算比值求出模数,费时又费试剂。应用水玻璃模数的快速测定,方法简便。但在实际操作中,用甲基橙为指示剂,在二次滴定时溶液颜色由黄变橙不易观察。笔者经过反复试验,改甲基橙为甲基红一溴甲粉绿混合指示剂(下称混合指示剂),终点明显,效果不错。     

MFI型沸石晶体的择优定向生长

首次采用"双模板剂"法在SiO2-Na2O-正丙胺-溴化N-乙基-六亚甲基四胺(EtHMTA^+)-NaF-H2O体系中合成得到了b轴择优取向的ZSM-5(MFI型)晶体,并用扫描电镜(SEM)和XRD进行表征。择优取向程度与所用的两种模板剂的比例有关,当正丙胺:EtHMTA^+比为0.7:0.3时,ZSM-5晶体择优取向最明显。     

THF-FER沸石的系列研究

用SEM， HRTEM， SAED和XRD拟合等方法研究了在四氢呋南(THF)-Na_2O- SiO_2-Al_2)_3-H_2O价格政策纱中水热合成的高硅Na-THF-FER沸石的晶体结构、孔 道定向，以及不同因素对晶胞体积的影响。通过与全硅FER沸石和K-Na-FER沸石对 比实验证明，片状的THF-FER沸石昌体与全硅FER沸石晶体骨架结构及晶体生长择优 取向相同，其空间群为Pnnm。     

电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP-AES)法测定铸造用硅砂中的Fe2O3、Al2O3、CaO、MgO、TiO2、K2O、Na2O

建立了电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP-AES)法测定铸造用硅砂中Fe_2O_3、Al_2O_3、CaO、MgO、TiO_2、K_2O、Na_2O的方法。研究了溶样方法的选择优化,采用硝酸、氢氟酸溶样,冒高氯酸处理,通过元素分析线的选择,基体和共存元素影响的消除,在最佳的仪器分析条件下得出了方法的线性范围、相关系数及检出限。用硅砂3个梯度含量的标准物质的分析结果评价方法的准确度和精密度。方法的检出限Fe为0.012μg/mL、Al为0.032μg/mL、Ca为0.27μg/mL、Mg为0.003 2μg/mL、Ti为0.002 1μg/mL、K为0.16μg/mL,Na为0.000 44μg/mL。5次数据的相对标准偏差说明方法稳定性较好。方法适用于铸造用硅砂中Fe_2O_3、Al_2O_3、CaO、MgO、TiO_2、K_2O、Na_2O含量的测定。     

水玻璃模数的快速测定

水玻璃是含水的多硅酸钠 ,为粘稠状液体。在建筑上常用作接合剂或胶粘剂 ,也是生产耐酸水泥的重要原料之一。其主要成分为氧化钠、二氧化硅和水分。水玻璃模数是指水玻璃试样中二氧化硅与氧化钠的含量之比。通常的做法是分别测出两者的质量分数然后算出。但是在实际应用中 ,用户往往并不需要知道二氧化硅和氧化钠的实际含量 ,而只需了解两者含量的比例即水玻璃的模数即可。为此本法提出水玻璃模数的快速测定法 ,并进行了理论推导。1　理论推导水玻璃中的硅酸钠水解后生成硅酸和氢氧化钠 ,由于硅酸为弱酸 ,所以水玻璃溶液显碱性。可用盐酸标…     

THF-FER沸石的系列研究

用SEM， HRTEM， SAED和XRD拟合等方法研究了在四氢呋南(THF)-Na_2O- SiO_2-Al_2)_3-H_2O价格政策纱中水热合成的高硅Na-THF-FER沸石的晶体结构、孔 道定向，以及不同因素对晶胞体积的影响。通过与全硅FER沸石和K-Na-FER沸石对 比实验证明，片状的THF-FER沸石昌体与全硅FER沸石晶体骨架结构及晶体生长择优 取向相同，其空间群为Pnnm。     

原子吸收光谱法测定粉煤灰中氧化钾、氧化钠

采用火焰原子吸收光谱法测定粉煤灰中氧化钾、氧化钠含量。采用氢氟酸-高氯酸混合酸分解样品,以氯化锶消除其他元素的干扰。本方法操作简便、再现性好、灵敏度高,适用于粉煤灰中氧化钾、氧化钠含量的测定。     

ZSM-5单晶生长的研究

本文研究了DEA(二乙醇胺)-Na2O-SiO2-Al2O3-H2O体系中由晶种水热生长的ZSM-5单晶形貌和线性生长速度. 晶体外部晶面为轴面(100)、(010)及坡面(101)、(011). 在互相贯穿连生的各单晶之间, 其对称轴互成倾角. 在160-220℃范围内, 晶体线性生长速度保持恒定. 观察到单晶生长的诱导期. 由线性生长速度与温度的关系计算了生长活化能. 研究了反应物组成对晶面法线生长速度的影响、母液成分变化, 并分析了晶体的化学成分. 按晶体生长的基本原理及ZSM-5结构, 构想了实际上可能存在的ZSM-5单晶的面结构, 并估算了不同晶面上生长位的密度及其分布. 从面结构及沸石生长基元角度讨论了单晶生长机理的DEA的作用, 支持了生长基元为高聚态硅(铝)阴离子团的假设.