高斯多峰拟合用于烷基葡萄糖苷临界胶束浓度测量

报道了可见吸收光谱线型的高斯多峰拟合用于新型非离子表面活性剂烷基葡萄糖苷(APG),如辛基-β-D-葡萄糖单苷(C₈G₁)和癸基-β-D-葡萄糖单苷(C10G₁)的临界胶束浓度(CMC)的测定。具体作法是以结晶紫(crystal violet,CV)为探针,测量一系列不同浓度的APG-CV水溶液体系的可见吸收光谱。其光谱特征是CV单体吸收峰598～609 nm和二聚体吸收峰538～569 nm叠合在一起。用高斯多峰拟合法实现了体系可见光谱吸收叠合峰的分峰、峰面积(积分吸光度)、频移及半高宽等光谱线型参数计算。单体和二聚体峰面积比(相对积分吸光度A₂/A₁)、频移(Δλ)及半高宽(w₁,w₂)对APG浓度图形在CMC处发生突变。首次发现可见吸收光谱线型参数半高宽对APG聚集行为敏感,并成功用于APG的CMC测量。     

不同生长条件下ZnO薄膜电学性质的研究

ZnO薄膜中的高的背景电子浓度能够对p型掺杂形成补偿,从而对p型掺杂造成障碍,了解高背景电子浓度的来源有助于对p型掺杂的研究。本文采用分子束外延技术在不同真空度下在a面蓝宝石衬底上生长了一系列氧化锌薄膜,发现在低真空度下生长的样品的载流子浓度较高,为10¹⁹ cm^-3量级;而高真空度下生长的样品,其载流子浓度比低真空生长的样品显著降低,降低了3个数量级。在相同条件下生长的样品,通过不同的后处理手段进行处理后,其电子浓度未发生明显变化,说明氧空位等本征缺陷不是ZnO薄膜中电子的主要来源,高背景电子浓度应该与生长过程中非故意引入的杂质相关。通过低温光致发光表征,发现低真空度下生长的样品在低温下3.366 eV处有强的施主束缚激子发光峰,而高真空度下生长的样品的此发光峰显著变弱。由此,高电子浓度被归结为与生长过程中非故意引入的氢杂质相关。     

Dependence of electron dynamics on magnetic fields in semiconductor superlattices

Numerical simulation results are presented for a drift-diffusion rate equation model which describes electronic transport due to sequential tunneling between adjacent quantum wells in weakly coupled semiconductor superlattices （SLs）. The electron dynamics is dependent on the external magnetic field perpendicular to the electron motion direction, and a detailed explanation is given. Using different parameters, the system shows different dynamic behaviors, and three distinct phenomena are observed and controlled by increasing magnetic field. （i） For a lower doping density, the system state transfers from stable state to oscillationary state. （ii） An opposite result is obtained to that in the case （i） for an intermediate value of the doping density, and the state changes from oscillationary to stationary. （iii） The state varies between oscillationary and stationary when doping density is large. Then, a detailed theoretical analysis is given to explain these surprise phenomena. The distribution of the electric-field domain along the SLs is plotted. We find the structure of the domain is almost uniform for a lower doping density, and no domain occurs in the SLs. By adding an external ac signal, complex nonlinear behaviors are observed from the Poincaré map and the corresponding phase diagrams when the driving frequency changes.     

Co:BaTiO3/Si(100)纳米复合薄膜制备、微结构及其紫外光电子能谱研究

采用脉冲激光气相沉积(PLD)方法,在Si(100)晶面上制备了Co:BaTiO3纳米复合薄膜.采用X射线衍射(XRD)结合透射电镜(TEM)方法研究了两种厚度Co:BaTiO3纳米复合薄膜的晶体结构,当薄膜厚度约为30 nm时,薄膜为单一择优取向;当薄膜厚度约为100 nm时,薄膜呈多晶结构.原子力显微镜(AFM)分析表明,当膜厚为30 nm时,薄膜呈现明显的方形晶粒.采用紫外光电子能谱(UPS)研究了Co的价态和Co:BaTiO3纳米复合薄膜的价带谱.研究表明:当Co浓度很高时其态密度(DOS)与晶体BaTiO3明显不同.此外,嵌埋纳米Co颗粒的BaTiO3薄膜的能带结构可用纳米颗粒的浓度来调制,从而也可对其光学和电学性质进行改性.     

白光LED用Ca7（SiO4）2Cl6∶Eu2+荧光粉的光谱性能研究

通过高温固相法制备了用于紫外激发白光LED的蓝绿色Ca7(SiO4)2Cl6∶Eu2+荧光粉,并对样品进行了XRD分析和发光性能测试。结果表明,合成的样品为单相Ca7(SiO4)2Cl6;在紫外光激发下,样品的发射谱包括418和502nm两个发射峰。分别监测这两个发射峰,得到了峰值位于290和360nm处的两个宽带激发谱,说明Eu2+离子在基质晶格中可能占有两个不同的格位。研究了Eu2+离子浓度对发光强度的影响,最佳掺杂浓度为0.75mol%。结果表明该荧光粉是一种较好的蓝绿色发光材料。     

絮凝微滤组合工艺（CMF）处理含铀废水

膜分离技术具有能耗低、单级分离效率高、工艺简单、不污染环境等突出优点，在处理铀污染废水中应用前景广阔。作者曾采用混凝沉淀并结合中空纤维膜微滤（如．22μm）一体化工艺（CMF）处理含镅废水：研究了体系pH值、硫酸亚铁加入量等工艺参数的影响，并确定了最优参数；经该工艺处理后的废水中^241Am浓度小于最大允许排放浓度（1Bq／L），去污率大999．9％，去污因子1309-47600，平均浓缩倍数为190，相当于现有的两级蒸发工艺水平，并投入了实际应用，处理含^241Am废水约60m^3。     

基于多孔硅Bragg反射镜的液体浓度测量方法

提出了一种利用多孔硅Bragg反射镜(简称PSBR)的反射谱来测量液体浓度的新方法。当在PSBR的孔内浸入不同浓度的液体时,多孔硅的有效折射率会发生变化,从而引起PSBR反射谱峰位发生变化。利用脉冲腐蚀法制备PSBR,采用正交参数设计法优化实验参数。对其进行了浓度测量实验和验证实验,测量误差小于0.14%。     

用激光散斑法测盐水溶液浓度的改进

在利用激光散斑法测盐水溶液浓度时,光束透过溶液时会产生不同的纵向位移,但散斑计量对纵向位移不敏感.因此重新设计光路将纵向位移转化为横向位移,实现了溶液浓度的精确测量.     

氯丙嗪荧光光度法测定痕量铁(Ⅲ)

氯丙嗪是一种治疗精神病的药物,具有安定镇静作用和镇吐作用,已报道的方法有用氯丙嗪对S2O82-[1]、金(Ⅲ)[2]、钒(Ⅴ)[3]、砷(Ⅴ)[4]的快速定性检定,尚未见到用荧光法定量测定铁(Ⅲ)。鉴于氯丙嗪有一定的荧光强度,在一定条件下与铁(Ⅲ)络合后,荧光强度减弱,因而建立了用氯丙嗪作络合剂荧光光度法测定痕量铁(Ⅲ)的方法。结果表明:在pH为3.0的盐酸溶液中,氯丙嗪盐酸溶液的最大激发、发射波长为270,547 nm,铁(Ⅲ)的质量浓度在0.56~2.5 mg·L-1范围内,氯丙嗪的荧光猝灭程度ΔF与铁(Ⅲ)的质量浓度呈线性关系。本方法用于人发中痕量铁的测定,得…     

两级溴化锂气泡泵的泵起时间及其影响因素的实验研究

为了进一步提高能源利用效率和实现其空冷化,在双效溴化锂吸收式制冷系统中利用两级气泡泵代替溴化锂吸收制冷系统中传统的机械溶液泵。本文重点对两级溴化锂气泡泵的泵起时间及其影响因素做相关的实验研究,并得出以下的主要研究结果:1)对于不同的管径,两级气泡泵的泵起时间随着加热功率、浸没高度、工质浓度的变化趋势是基本一致的;2)加热功率越大越有利于气泡泵的泵起;3)随着浸没高度的增大气泡泵的泵起时间逐渐减小;4)工质浓度的增大也会使气泡泵的泵起时间增大,但当溴化锂溶液浓度大于54%后影响不明显;5)一级气泡泵的气液成分及中间溶液的闪发一定程度上影响两级气泡泵的泵起时间,因而造成局部区域与上述规律的偏离。