钽酸锂晶体高温富锂扩散工艺的研究

为了采用扩散法制备大厚度近化学计量比钽酸锂(nSLT)晶体,本文从富锂多晶料配比及合成工艺、极化工艺和扩散条件等方面对钽酸锂晶体高温富锂扩散工艺进行了研究,对处理后晶片组分、畴反转电压和光学均匀性进行了表征,研究了扩散条件对晶体组分的影响.结果表明,富锂多晶料锂钽为60/40时较佳,多次使用对所制备晶片组分、畴反转电压和光学质量无明显影响.在研究基础上,制备了系列nSLT晶片,晶片厚度最大为3.2 mm,其组分达到化学计量比且组分均匀,矫顽场约为152 V/mm,晶体光学质量满足实用需求.     

赝三元热电烧结体材料制作技术的研究

本文以区熔法生长的Ｂｉ２Ｔｅ３－Ｓｂ２Ｓｅ２Ｔｅ３高估值系数赝三元半导体致冷晶体为原料，采用冷压成型，在３８０－４４０℃条件下，经５ｈ烧结处理，可获得高致密度和高强度的半导体致冷器用烧结体材料。这种材料从根本上克服了取向晶体沿生长轴方向发生劈裂和解理现象。     

多层GaAlInP半导体发光材料的双晶衍射分析与拟合

应用双晶衍射仪对MOCVD外延生长所得到的一个GaAlInP双异质结(DH)的单晶多层结构进行测试与分析。应用双晶衍射的动力学理论模拟此样品的摇摆曲线，并结合界面的融合、晶格崎变与缺陷的散射来解释测试结果。对衍射谱的展宽提供了合理的解释，比较肯定地确定了此样品的结构与晶体质量。涉及缺陷对衍射FWHM的展宽的解释与关于缺陷的半动力学衍射理论相比，简单明了，实用于实际的生产检测。并根据分析结论对晶体质量的改进提供技术方案，改进了晶体质量。     

基于温敏水凝胶的可调胶体晶体制备

基于单分散胶体粒子悬浊液在温敏水凝胶表面可以形成湿润型胶体晶体的现象, 利用温敏水凝胶对水的控释作用制备了温度敏感的可调制胶体晶体. 在室温下利用提拉法在温敏水凝胶聚N-异丙基丙烯酰胺(PNIPAAm)表面制备湿润型胶体晶体膜. 由于胶体粒子的有序排列, 胶体晶体显示出一个尖锐的反射峰. 当温度上升到34 ℃以上时, 由于PNIPAAm水凝胶中的水被释放, 导致胶体晶体中粒子浓度降低, 粒子间距增加; 反射峰发生红移. 这些特性可以通过温度变化进行调制.     

Synthesis and Crystal Structure of 7-Amino-2,3,4,5-tetrahydro- 1,3-dimethyl- 5-（2-nitrophenyl）-2,4-dioxo-lH-pyrano[2,3- d]pyrimidine-6-carbonitrile DMF Solvate

The title compound 7-amino-2,3,4,5-tetrahydro-1,3-dimethyl-5-（2-nitrophenyl）- 2,4- dioxo-1H-pyrano[2,3-d] pyrirnidine-6-carbonitrile DMF solvate 1 （C19H20N6O6, Mr = 428.41） was synthesized and crystallized. The crystal belongs to the monoclinic system, space group P2 1/c with a = 11.383（2）, b = 13.372（2）, c = 13.673（2）A, β = 97.380（4）°, Z = 4, V = 2063.8（6）A^3, Dc = 1.379 g/cm^3,μ（MoKα） = 0.105 mm^-1, F（000） = 896, the final R = 0.0738 and wR = 0.1647 for 2964 observed reflections （I〉 2σ（I））. X-ray analysis reveals that the new pyran ring is coplanar, which is obviously different from those of other similar compounds. In addition, the unclassical hydrogen bonds of C-H…O and C-H…N are presented in the crystals except for the normal hydrogen bonds of N-H…O.     

Synthesis and Crystal Structure of a Novel Tetranuclear Complex [Pb4（HQ）6（NO3）2]

Reaction of 8-hydroxyquinoline （HQ） with Pb（NO3）2 in water resulted in the formation of a tetranuclear complex [Pb4（HQ）6（NO3）2] 1. It has been characterized by IR, elemental analyses and X-ray diffraction. Crystal data for this complex： triclinic system, space group P1, a = 9.7399（6）, b = 11.6535（8）, c = 12.6806（8） A, α = 62.8050（10）, β = 78.4910（10）, γ = 80.5490（10）°, C54H36N8O12Pb4, Mr= 1817.67, Z = 1, V = 1250.04（14）A^3, Dc = 2.415 g/cm^3,μ = 13.503 mm^-1, -12≤h≤8, -14≤k≤13, -15≤1≤15, F（000） = 840, Rint = 0.0217, R= 0.0348 and wR = 0.0927. X-ray crystal structure analysis revealed that in 1 each Pb（ II ） contains a stereo- chemically active lone pair of electrons. The Pb…C interaction, C-H……O weak interaction and π…π stacking interactions are observed in the complex. In the solid state, the complex possesses strong photoluminescent emission at 485 and 528 nm.     

6LiI:Eu晶体的制备和闪烁性能研究

⁶LiI:Eu晶体是一种重要的热中子探测闪烁材料,研究了不同掺杂浓度和取样位置对⁶LiI:Eu晶体光学和闪烁性能的影响。以⁶LiI (6Li丰度大约95%)和EuI₂为原料,在真空气氛下生长制备出Eu²⁺离子的初始掺杂浓度分别为0.01%, 0.02%, 0.03%, 0.04%和0.05%(摩尔分数)的⁶LiI:Eu晶体。通过测试室温下的透射光谱、发光光谱、闪烁衰减时间、伽玛射线和中子激发下的脉冲高度谱,研究了⁶LiI:Eu晶体性能的影响规律。研究发现Eu²⁺的掺杂浓度从0.01%～0.04%时,⁶LiI:Eu晶体在中子激发下的能量分辨率先提高后下降;当掺杂浓度为0.03%时,晶体具有最佳的均匀性和中子响应能力。由于掺杂离子的分凝,同一晶体从籽晶端至尾端存在明显的性能不均匀现象。     

半导体纳米晶在生物标记领域的应用

对半导体纳米晶的概念、性质、应用前景进行了概述,详细介绍了以ZnS、ZnSe半导体纳米晶体为代表的由IIB-VI族原子组成的低毒半导体纳米晶的制备、光谱学性质及其当前在生物标记领域的应用.