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现行人教版高中物理(必修加选修)第二册“热学”部分,有个“气体对外做功,内能减少”的演示实验.我们利用饮料瓶自制了一套简易装置,与多用大屏幕数字显示测试仪J0416(以下称测试仪)配合使用,较好地克服了原装置实验现象可见度低、操作不便的缺点. 相似文献
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利用AMPT蒙特卡罗产生器中的强子化程序模块ART1.0, 得到了强子化过程的演化图形, 并基于强子在不同时刻的空间分布图, 估算出了不同时刻的反应区域半径. 将所得结果与根据HBT关联得到的结果相比较, 定出了冻结为强子气体的时刻, 得到了合理的结果. 相似文献
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KENZO Yamaguchi TOMOHIRO Inoue MASAMITSU Fujii MASANOBU Haraguchi TOSHIHIRO Okamoto MASUO Fukui SHU Seki SEIICHI Tagawa 《中国物理快报》2007,24(10):2934-2937
Using numerical calculation, we examine the effects of gap distance of a pair of nano gap silver prisms with rounded corners on the local light intensity enhancement. Two peaks due to localized surface plasmon (LSP) excitation are observed in a wavelength range from 900nm to 300nm. The results demonstrate that peaks at a longer and a shorter wavelength corresponded to dipole-like and quadrupole-like LSP resonances, respectively. It is found that a gap distance up to 20 nm provides larger light intensity enhancement than that of a single silver nano prism with rounded corners. Furthermore, nano gap silver prisms are fabricated by direct focused ion beam processing, and we measure the scattering light spectrum of a pair of nano prisms by a confocal optical system. However, the two LSP peaks are not observed in visible range because the sizes of the nano gap and prisms are too large. 相似文献
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The low-temperature mobility of two-dimensional electron gas in AlGaN/GaN heterostructures 下载免费PDF全文
To reveal the internal physics of the low-temperature mobility of two-dimensional electron gas (2DEG) in Al- GaN/GaN heterostructures, we present a theoretical study of the strong dependence of 2DEG mobility on Al content and thickness of AlGaN barrier layer. The theoretical results are compared with one of the highest measured of 2DEG mobility reported for AlGaN/GaN heterostructures. The 2DEG mobility is modelled as a combined effect of the scat- tering mechanisms including acoustic deformation-potential, piezoelectric, ionized background donor, surface donor, dislocation, alloy disorder and interface roughness scattering. The analyses of the individual scattering processes show that the dominant scattering mechanisms are the alloy disorder scattering and the interface roughness scattering at low temperatures. The variation of 2DEG mobility with the barrier layer parameters results mainly from the change of 2DEG density and distribution. It is suggested that in AlGaN/GaN samples with a high Al content or a thick AlGaN layer, the interface roughness scattering may restrict the 2DEG mobility significantly, for the AlGaN/GaN interface roughness increases due to the stress accumulation in AlGaN layer. 相似文献
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