基于蛇形光路的PET探测器作用深度提取方法

为实现正电子发射断层成像(Positron Emission Tomography,PET)探测器的作用深度(Depth Of Interaction,DOI)信息获取,本文提出一种基于分光技术的探测器设计方案.探测器采用晶体单元与硅光电倍增管(Silicon Photomultiplier,SiPM)一对一耦合、蛇形光路的设计和单端Anger加权读出方法进行DOI解码.基于GATE软件进行蒙特卡罗模拟,建立8×1的LSO晶体阵列(单根晶体尺寸3.1×3.1×20mm3);模拟泛场照射获取位置查找表;并进行不同深度的模拟,获得各晶体在各深度的空间分辨率.结果显示所模拟的探测器模块DOI分辨率在1.0~6.7mm之间,平均值为3.2mm.本文提出的基于蛇形光路的PET探测器方案能在维持系统成本和复杂度的前提下实现DOI解码,提升PET系统的成像性能.     

用正电子寿命谱研究GeSe_x硫系玻璃的自由体积

采用正电子寿命谱和拉曼散射研究了不同组分配比的Ge Sex(x=6,7,8,9)硫系玻璃的微结构.正电子寿命结果显示在x=8时,其平均正电子寿命具有最小值.拉曼光谱结果研究表明,这种硫系玻璃样品主要由[Ge Se4]四面体和Seμ链的结构单元构成.以上的实验结果用级配理论得到了合理的解释,这两种结构单元配比关系的变化导致硫系玻璃样品中的自由体积变化,从而导致正电子平均寿命减小.研究发现Ge Se8具有最小的自由体积,即具有最稳定的结构.     

晶体场与磁学性质

深入讨论了晶体场与材料磁学性质之间的关系并且给出了必要的数学推导。内容包括晶体场与轨道磁矩湮灭、磁各向异性的关系,以及通过波谱数据与磁学测量求晶体场参数。     

元素周期表中元素单晶基于局域密度理论的正电子寿命计算

在局域密度近似理论（LDA）的基础上用中性原子叠加模型和有限插分方法（SNA-FD）计算了元素周期表中各种元素单晶的正电子体寿命和单空位寿命.分析了不同结构的单晶中自由正电子的分布信息和湮没信息.元素单晶的正电子寿命计算值与文献中的实验测量值相符合,表明LDA基础上的SNA-FD方法可以作为单晶中正电子湮没理论计算的有效研究手段. 关键词： 局域密度近似理论 正电子寿命     

质子辐照ZnO白漆光学退化的慢正电子湮没分析

 采用慢正电子湮没光谱研究低能质子辐照下ZnO白漆的光学退化。研究结果表明,随质子辐照注量的增加, 多普勒展宽谱的S参数逐渐减小,W参数逐渐增大。质子辐照下S-W参数拟合曲线的斜率发生改变。S参数的减小可以归结为锌空位含量的减少以及准正电子素的形成。准正电子素{单电离氧空位（捕获一个电子）+正电子}的形成,能够降低正电子湮没的速率,导致S参数减小。S参数的减小证实了质子辐照导致ZnO白漆中单电离氧空位数量的增加。S-W参数拟合曲线斜率的变化可以归结于质子辐照下双电离氧空位向单电离氧空位的转变。     

约里奥·居里夫妇获诺贝尔奖道路的启示

约里奥.居里夫妇因发现人工放射性物质而获1935年诺贝尔化学奖,但他们也一度错失了发现中子和正电子的良机.从约里奥.居里夫妇获诺贝尔奖的道路中,可以获得很多方法论意义上的启示:注重理论思维,重视学术交流的作用,对传统观念要有敢于质疑的精神,正确处理理论与实验的关系,重视实验手段的作用和有准备捕捉机遇的头脑.     

正电子湮没参量及其所反映物质信息的探讨

本根据正电子在凝聚态物质中的湮没机制及捕获模型,讨论了正电子湮没参量——正电子寿命谱和多普勒线形等参量所反映的物质信息,给出了各正电子湮没参量与所反映的物质信息之间的定量关系。分析了在该体系中正电子寿命参量与局域电子密度、多普勒线形参量和角关联参量与电子动量密度分布和费米面之关联。     

超声波对制备Co-Fe/硅藻土选择加氢催化剂的影响

分别在有无超声条件下,采用分步浸渍法制备了负载型Co-Fe/硅藻土催化剂,以肉桂醛选择加氢为肉桂醇为探针反应,在固定床微分反应器上考察了催化剂的活性.采用热分析、红外、XRD及正电子寿命谱等技术分析了催化剂的催化性能及超声波对活性的影响.结果表明,经超声处理的催化剂对肉桂醛加氧为肉桂醇转化率、选择性和收率明显提高.超声处理没有改变催化剂载体的结构,但使主、助催化剂更好地分散在载体上,使催化剂表面的两类缺陷尺寸变小,同时增加第二类缺陷数量,有更好的催化活性.     

正负电子湮灭过程的核子激发态N*产生(英文)

目前,正负电子湮灭过程的核子激发态N*产生的实验数据主要来自于粲偶素能区。粲偶素衰变到核子激发态过程类似于其类时电磁形状因子测量过程,正反粲夸克短程湮灭提供了近乎于点源的胶子强子化过程。与γN,eN,πN反应互补,这一新的N*产生源具有同位旋和低自旋筛选的优势。综述了正负电子湮灭过程的核子激发态N*产生的实验情况和相关的唯象进展,同时讨论未来发展的一些新方向,如正负电子湮灭过程的核子激发态N*产物的一些新来源等。Up to now, the N* production from e+e- annihilations has been studied only around charmonium region. Charmonium decays to N*s are analogous to (time-like) EM form factors in that the charm quark annihilation provides a nearly pointlike (ggg) current. Complementary to other sources, such as πN, eN and γN reactions, this new source for N* spectroscopy has a few advantages, such as an isospin filter and a low spin filter. The experimental results on N* from e+e- annihilations and their phenomenological implications are reviewed. Possible new sources on N* production from e+e- annihilations are discussed.     

8—9.5 keV正电子致Ti的K壳层电离截面的实验研究

低能正电子碰撞原子内壳层电离截面的实验数据目前还很缺乏,从而影响了对近年来发展的各相关理论模型的检验,限制了慢正电子束流技术在诸多领域中的应用.本文采用慢正电子束流装置产生的8—9.5 keV正电子束碰撞纯厚Ti靶,利用硅漂移探测器(SDD)收集正电子碰撞Ti靶产生的X射线,同时采用高纯锗探测器在线获得与靶碰撞的入射正电子数,从而得到Ti的K壳层实验产额,并基于蒙特卡罗模拟程序PENELOPE获得模拟产额.将实验产额分别与内壳层电离截面数据库采用经典光学数据模型(ODM)和扭曲波玻恩近似理论模型(DWBA)的蒙特卡罗模拟产额进行对比,发现基于ODM理论模型的模拟产额与实验值有较大的偏差,基于DWBA理论模型的模拟产额与实验结果符合较好.根据实验产额和基于DWBA理论模型的模拟产额的比较结果,对蒙特卡罗模拟程序使用的DWBA理论模型数据库进行修正后再进行模拟和比较,从而得到可靠的8—9.5 keV正电子致Ti原子K壳层电离截面数据.