等离子体喷涂层的正电子湮没研究

本文用正电子湮没技术对等离子体喷涂铜基合金压缩形变的微观缺陷进行了测量。对等离子体喷涂合金，随着压缩量的增加，正电子寿命变短，这一现象与常规合金中观察到的情况相反。     

寻找顶夸克的漫长过程

本文描述寻找顶夸克的漫长过程。从70年代末开始,美国的PEP,德国的PETRA,80年代日本的TRISTAN,欧洲核子中心CERN的SP PS质子反质子对撞机,90年代的CERN的LEP大型电子正电子对撞机,最后于1997年才由美国费米国家实验室的D0和CDF国际合作组找到了顶夸克存在的证据,并给出了顶夸克的质量为:174.3±3.2±4.0GeV。人们可以从这段历史获得有益的启示。     

激光场中正电子对反质子的辐射复合反应

在软光子近似下, 计算了激光场中正电子对反质子的辐射复合过程. 辐射场作为经典场处理, 入射正电子态用Coulomb-Volkov波函数描述, 末道形成的反氢缀饰态由含时间微扰论给出. 理论结果显示激光背景明显削弱了反氢生成截面.     

以太之谜

 以太本来是个哲学概念,是笛卡儿首先将它引入科学。他从不存在超距作用,只有物质相接触才能产生运动,因而不存在所谓“真空”的观点出发,认为天体之间有一种本原物质,它看不见但充满空间,这就是以太。     

III-V族化合物半导体材料的高能重离子辐照效应

用高能（５００ＭｅＶ）Ｎｅ离子束对ＧａＡｓ和ＩｎＰ进行了辐照，用ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ模拟、正电子湮没谱学以及红外光谱研究了辐照产生的缺陷特性．结果表明，在未辐照的样品中存在单空位，经辐照后，可在样品中产生单空位；当剂量较大时，还会形成双空位甚至尺寸较大的空洞．红外光谱测量发现，在辐照后的ＧａＡｓ样品中有非晶区形成．此外，辐照在样品中还产生了反位缺陷ＧａＡｓ和ＩｎＰ以及受主杂质ＺｎＩｎ．对经１０１４ｉｏｎｓ／ｃｍ２剂量辐照的ＩｎＰ进行了光学实验，在辐照后的ＩｎＰ材料中发现了亚稳态中心． Both GaAs and InP were irradiated by high energy (500 MeV) Ne ions. The Monte Carlo simulation, positron annihilation and IR spectroscopy were used to study the radiation induced defects. The result showed that monovacancies existed in as grown samples, but more monovacancies were introduced, after Ne ions irradiation, and with increasing radiation dose, divacancies were formed, and eventually large voids were observed. The IR measurement for irradiated GaAs samples confirmed the...     

内敏乳剂的正电子湮没研究

研究了内核乳剂化学增感时间以及铑盐掺杂对内敏乳剂正电子湮没的影响，随着内核乳剂化学增感时间的增加，内部感光度上升到一最大值，然后又下降，正电子湮没的平均寿命也随增感时间的上升而达到最大值，然后下降，正电子湮没的中间寿命随增感时间的上升变化不大，但其所占比份先下降后上升，当颗粒内部掺入铑盐量增大时，正电子湮没的中间寿命所占比份上升，这些结果表明，卤化银颗粒内部的空穴浓度和银离子空位浓度与乳剂制备要求     

磁性离子Fe和Ni替代YBCO体系的结构特征和载流子局域化

为阐明磁性离子在不同替代位置对YBCO体系超导电性的影响机制，利用正电子湮没及相关实验手段结合数值模拟，系统研究了Fe和Ni掺杂的YBa₂Cu₃O_7-δ体系. 结果表明，Fe和Ni离子在替代过程中均以离子团簇的形式进入晶格. 当离子进入CuO₂面时，由于团簇改变了周围的电子结构，造成电子的局域化，并直接影响了电子对的配对和输运，因而强烈抑制了体系的超导电性.而当掺杂离子进入Cu-O链区时，它们同样通过团簇的形式改变周围 关键词： YBCO超导体 磁性离子替代 正电子湮没 数值模拟     

Variable Energy Positron Annihilation Spectroscopy of GaN Grown on Sapphire Substrates with MOCVD

Depth profiled Doppler broadening of positron annihilation spectroscopy (DBPAS), which is also called the variable energy positron annihilation spectroscopy (VEPAS), is used in characterization of GaN grown on sapphire substrates with metal-organic chemical vapour deposition (MOCVD). The GaN film and the film/substrate interface are investigated. The VEPFIT (variable energy positron fit) software was used for analysing the data,and the positron diffusion length of the sapphire is obtained. The results suggest that there is a highly defected region near the GaN/sapphire interface. This thin dislocated region is generated at the film/substrate interface to relieve the strain. Effects of implantation dose on defect formation, for the GaN/Sapphire samples, which implanted by Al^ ions, are also investigated. Studies on AI implanted GaN films (not including the interface and sapphire) have revealed that there are two different regions of implantation damage. For the low Al^ implantation dose samples, in the region close to the surface, defects are mainly composed of vacancy pairs with small amount of vacancy clusters, and in the interior region of the film the positron traps are vacancy clusters without micro-voids. For the highest dose sample, however, some positron trap centres are in the form of micro-voids in the second region.     

纳米材料结构研究与正电子寿命谱学

从纳米材料的结构特点，重要性和所使用的现代实验手段出发，简要地介绍了已被广泛采用的正电子寿命谱学的基本原理，实验方法和数据分析，给出了微结构分析，温度稳定性，压力效应和动态观察等方面的研究工作，指出了研究纳米材料的微结构对基础学科和技术应用都非常重要，正电子寿命谱学是研究纳米材料的有用工具。