基于北京慢正电子强束流的微脉冲化系统设计

慢正电子湮没寿命测量是研究材料表面微观缺陷的重要分析方法．束团化系统是实现慢正电子湮没寿命测量的核心部件, 主要由斩波、聚束两部分组成, 它可以将随时间连续分布的束流束团化, 从而获得正电子湮没寿命测量的时间起点及满足时间分辨率要求的束团．本文以粒子动力学计算为基础, 完成了束团化系统的物理设计, 其时间分辨率设计值为150ps(FWHM)．     

蓝色长余辉材料CaAl_2O_4∶Eu~(2+),Nd~(3+)的合成及其发光性能

采用高温固相法合成了系列单相Ca(1-x-y)A l2O4∶Eux2+,Ndy3+(0≤x≤0.045,0≤y≤0.0037)粉末样品,并表征了其发光特性.研究结果表明,样品的发射光谱为最大发射峰位于440 nm的宽带谱,属于Eu2+的4f65d→4f7跃迁.通过对Eu2+,Nd3+掺杂量与样品发光性能之间关系的研究发现,Eu2+和Nd3+最佳掺杂量分别为x=0.001 25和y=0.002 5,并且Nd3+对改善蓝色长余辉材料CaA l4∶Eu2+的余辉性能具有重要的作用.在最佳掺杂条件下,样品的余辉时间可达1 000 m in,初始亮度大于1 200 m cd/m2,60 m in后发光粉的亮度仍然在10 m cd/m2以上.利用正电子湮灭技术和热释光技术,研究了Eu2+和Nd3+对CaA l2O4∶Eu2+,Nd3+材料的发光性能的影响.     

SMMA/SMA共聚物共混物的自由体积的热动态特性与相分离行为的PALS研究

基于自由体积理论，利用正电子湮灭寿命谱仪(PALS)分别研究在不同升温速率条件下，聚苯乙烯-甲基丙烯酸甲酯共聚物(SMMA)和聚苯乙烯-马来酸酐共聚物(SMA)混合物(30/70)的自由体积参数的温度依赖性，探索相容共混物相行为的热动态特性.在PALS实验中，在玻璃化转变温度T_g以上，当结构松弛的弛豫时间与等温停留时间相当，发现在某一段温度范围内，共混物的自由体积参数随着温度的变化明显地偏离线性关系.从自由体积孔的浓度I₃值在该段的变化趋势，初步推断共混物在该温 关键词： 正电子湮没 正电子素 聚合物共混物 相分离     

金属的正电子双多普勒展宽谱研究

研制了一套数字化的正电子湮没双多普勒展宽谱测量系统,用它测量了10个样品的双多普勒展宽谱,得到了一些有意义的结果.这些结果展示了一些金属单质材料的双多普勒展宽谱随着电子结构变化而发生的变化.本文简略介绍了双多普勒展宽谱仪,实验数据处理,以及这些金属单质材料的数据和分析结果.     

海洋湍流中的量子高斯-谢尔光束偏振模型

研究湍流对海水光通信信道中传输的量子高斯-谢尔光束偏振度的影响.运用量子化场的惠更斯-菲涅尔原理,构建湍流海水中量子化高斯谢尔光束的产生和湮灭算符.基于海水折射率的空间功率谱,导出了量子高斯-谢尔光束的偏振度.数值结果表明:在参数给定条件下,温度与盐度的比值从-4.5变化到-0.5时,偏振度从0.75下降到0.20;接收光子数从20提高到50时,偏振度从0.91提高到0.96;光源横向尺寸从0.02m增大到0.12 m时,偏振度从0.82提高到0.97;温度起伏对偏振度的影响高于盐度起伏的影响;提高发射光子数和增大发射孔径是扼制湍流干扰的有效方法.     

重掺Te的GaSb中缺陷的正电子寿命研究

用正电子寿命谱技术研究了重掺Te的GaSb原生样品、电子辐照样品和质子辐照样品.室温正电子寿命测量揭示出原生重掺Te的GaSb样品中存在VGa相关缺陷,其寿命大小约为298 ps.电子辐照会使该缺陷发生变化,导致平均寿命值减小,VGa相关缺陷从-3价变为-2价.质子辐照后,产生了寿命值较大的缺陷.在10-300K变温实验中,观测到3种样品都存在浅捕获缺陷,该浅捕获缺陷是GaSb反位缺陷.     

三重态-三重态湮灭上转换的研究进展

三重态-三重态湮灭（TTA）上转换具有所需激发光能量低（地表太阳光光强即可激发）、上转换量子效率高、吸光能力强、激发发射波长可调等优点,在光电器件与光反应等领域具有重要的潜在应用价值,近年来受到了广泛关注．本文介绍了TTA上转换产生的机理与上转换量子效率的测定方法,着重对TTA上转换三重态光敏剂的分子设计原则及目前该类化合物的结构类型进行了综述,介绍了聚合物中的固态上转换现象及目前TTA上转换在光解水制氢、太阳能电池与细胞成像等方面的最新应用研究进展．     

中频磁脉冲处理Fe52Co34HfTB6Cu1非晶合金的正电子湮没研究

对熔体急冷法制备的非晶合金Fe52Co34HfTB6Cu1进行了不同频率的中频磁脉冲处理,用透射电子显微镜、穆斯堡尔谱、正电子湮没寿命谱等方法研究了处理前后试样的微观结构及结构缺陷变化．结果表明,经中频磁脉冲处理后,样品发生了部分纳米晶化,晶化量随磁脉冲频率增加而增加,当磁脉冲频率为2000Hz时,晶化量达33．1％：在淬态非晶样品中,正电子在类单空位中的湮没寿命t1为150．5ps,强度,1为77．7％,在微孔洞中的湮没寿命仡为349．7ps,强度I2为22．3％;随磁脉冲频率的增加,t1,t2值呈现减小的变化趋势,与淬态非晶相比,I1有所增加,如下降,t1,t2的平均值亍大幅降低．     

超短超强激光产生正电子的蒙特卡罗模拟

通过理论分析,建立了超短超强激光与固体靶作用产生正电子的蒙特卡罗模拟模型及Geant4模拟程序。模拟研究了靶材料、靶厚度及超热电子温度等对正电子产额的影响,结果表明:对铝、铜、锡、钽、金、铅6种靶材料,金靶的正电子产额最高,是优秀的正电子产生靶;不同超热电子温度下存在不同的最佳靶厚度,在最佳靶厚度以下,正电子产额随靶厚度增长而增大,靶厚度取3 mm较为合适;超热电子温度越高,正电子产额也越高,提高激光强度是增加正电子产额的有效途径。模拟研究给出了正电子角分布及其能谱,结果显示,正电子发射明显前倾,从大于90方向范围发射的正电子数量极少,且超热电子温度越高前倾特点越明显,能量呈类麦克斯韦分布,靶背法线方向出射的正电子的温度随超热电子温度升高而升高。