正电子医学成像

 自从1932年发现正电子以来,已经有70个年头了。从上世纪50年代初开始研究正电子医学成像以来,经过半个世纪的历程,目前正电子医学成像技术已发展成为现代医学影像技术的独具特色的重要组成部分,在医学临床诊断和对生命科学的研究方面发挥着重要作用。一、正电子与正电子放射性核素英国理论物理学家狄拉克于1928年从理论上预言了自然界中应当存在着反电子。这种反电子具有与普通电子(负电子)一样的静止质量和相等数量的电荷。所不同的是它所带的是正电荷,因此把这种反电子称为正电子。     

皮肤微循环无损伤光学成像技术的新进展

微循环信息的获取对于各类疾病的诊断和治疗有着及其重要的作用。皮肤微循环无损伤成像技术取得了很大的进展,出现了各种非光学方法(核磁共振成像、正电子发射断层成像术、超声波成像等)和光学方法(共焦显微镜、光学相干断层摄影术、新型的正交偏振光谱成像技术等)。主要介绍了皮肤微循环无损伤光学成像技术的新进展。     

杯芳烃及其超分子化合物微结构的正电子湮没研究

采用正电子湮没寿命谱（PALS）研究了杯[4]芳烃，杯[6]芳烃，杯[8]芳烃3种新型主体分子以及C60与杯[8]芳烃的超分子化合物的微观结构，结果农明，杯芳烃低聚物中正-正电子素（o-Ps）湮没的寿命成分τ3、τ1、τ5分别来源于3种尺寸依次增人的湮没位置：晶区内较小的分子间空隙、杯芳烃的空腔和非晶区内分子间较大的空洞，由τ1得到杯[4]芳烃，杯[6]芳烃，杯[8]芳烃的圆台形空腔的等效球形、弘径分别为0．33，0．37，0．40nm，文中讨论了在杯[8]芳烃的守腔分子中包合C60分子后导致o-Ps的寿命和强度都显著降低的微结构因素。     

BEPCⅡ正电子源物理设计

正电子产额是正电子源的一个重要物理量,它的高低直接关系到加速器性能的优劣.此次BEPC(北京正负电子对撞机)改进,要全面升级到BEPCⅡ,正电子源系统的许多参数都要发生变化,必须对系统的各个部件参数重新优化设计,从而得到最大产额.本文采用全新方法,将EGS4(Electron-Gamma Shower)程序包和PARMELA(Phase and Radial Motionin Electron Linear Accelerator)程序紧密结合起来,完成正电子源优化设计工作.首先使用程序包EGS4,对高能电子在介质中的电磁级联过程进行了模拟,优化了靶厚度,讨论了影响打靶产额的因素.然后用PARMELA程序,接收EGS4的计算结果,对正电子在靶后的匹配、聚焦和加速系统中的运动逐个跟踪模拟,讨论了俘获节相位的选取,得到在正电源出口处的产额.     

利用作用深度信息提高正电子断层成像仪分辨率一致性

获取作用深度信息是设计小动物正电子断层成像仪的关键技术之一.我们利用新设计的含有作用深度信息的探测器，从模拟与实验两个方面观测了作用深度信息对于分辨率一致性的影响.结果表明：在γ射线垂直入射时，深度编码探测器和一般的无深度检出机能的探测器，均获得了高分辨率，而γ射线斜入射时，深度编码探测器与一般的探测器相比能提供更好的空间分辨率. 关键词： 作用深度 空间分辨率 正电子断层成像仪     

AA 2037新型连铸铝合金热轧板退火的正电子湮没研究

应用正电子湮没等技术对AA 2037连铸铝合金热轧板不同温度退火下空位-溶质相互作用及沉淀相进行了研究， 研究表明：室温时效形成的主要是空位-铜复合体以及空位-镁-铜复合体；温度为200℃退火时由于过渡相的形成正电子平均寿命出现峰值，符合多普勒展宽谱的商谱中观察到锰信号的存在，表明形成了空位-镁-锰复合体或过渡相中可能存在锰；温度高于250℃时，随着过渡相变粗、溶解，锰信号消失，而铜信号增强，在350℃后铜信号达到饱和，温度为450℃左右时，稳定相形成. 关键词： 正电子湮没技术 空位-溶质复合体 沉淀 退火     

北京慢正电子强束流运行性能测试

慢正电子强束流采用高能脉冲电子束流轰击金属钽靶, 以产生正负电子对的方式提供正电子, 作为慢正电子束流方法学研究和薄膜材料缺陷研究的束流基础. 本文是在该装置实现运行后, 对慢正电子束流的强度、能散、形貌等运行性能的测试工作的介绍, 以及慢正电子湮没多普勒测量系统的调试和标准样品的测量结果.     

22Na放射源慢正电子束流插入装置的研制

北京慢正电子强束流是利用北京正负电子对撞机电子直线加速器电子打靶产生的高强度低能单色正电子束流. 为了提高强束流的机时利用效率和节省强束流用于新建实验站的调试机时, 设计了一套基于²²Na放射源的慢正电子束流装置插入到强束流输运线上. ²²Na放射源慢正电子束流插入装置主要包括²²Na放射源及慢化体、E×B能量选择器、多级静电加速管、磁场输运系统、真空系统、高压绝缘和辐射防护措施等.     

高能电子-正电子碰撞中产生喷注的标度

对高能电子-正电子对撞产生实验上可以直接观察的可视喷注的标度进行了仔细研究.根据在s=17—30Gev的电子-正电子对撞实验中最先观察到三喷注这一历史事实,论证了可视喷注的相对横动量kt.在5—10GeV/c的范围.并通过一个具体例子说明,只有k_t在这一范围时才能正确地判定事件中的喷注数.仔细比较了由不同k_t得到的喷注内部的动力学起伏,发现只有k_t在5—10GeV/c范围时,喷注内部系统才有最好的反常标度性.从而得到,可视喷注的标度是k_t～5—10GeV/c.讨论了这一标度和微扰QCD的标度1—2GeV之间的关系.     

CVD金刚石膜的结构分析

利用x射线广角衍射和低角掠入射散射谱、正电子湮没谱、定性分析软件和Positronfit程序，研究了生长在Si（100）基底上的金刚石膜微结构.研究发现，在样品邻近基底区域为纳米 多晶结构，具有弱的［111］织构；在邻近表面区域为微米多晶结构，具有强的［220］织构 .金刚石膜样品有空位、空位团和空洞3种缺陷，其中主要缺陷是大约10个空位形成的空位团 . 关键词： 金刚石膜 化学气相沉积 x射线掠入射 正电子湮没谱