正电子放射层析成象系统设计的计算机模拟

在一个简单实用的数学模型基础上,利用现代计算机技术对正电子放射层析成象系统(PET)进行了模拟,并详细讨论了闪烁晶体材料的物理、几何特性以及探测器环直径的大小对于PET系统的空间分辨率的影响.本文所得的结论对于开发和设计PET系统来说,是非常有用的.     

BES取得J/衰变事例

 今年六月,从高能物理所传来了一个鼓舞人心的好消息,北京谱仪(BES)上记录到了正电子和负电子对撞产生的J/(?)粒子的衰变产物.当正电子和负电子的总能量被扫描到3.097GeV时,反应产物剧增,在显示屏上观察到了大量的J/(?)衰变产生的强子事件.在这个能量附近形成了一个很锐的产额峰.J/(?)粒子是15年前美国麻省理工学院丁肇中教授领导的实验组和美国斯坦福直线加速器中心里克特教授领导的实验组分别发现的.     

GSI效应与开罗事例

 最近几年来,在联邦德国的Darmstadt市的高能重离子研究所（GSI）内,利用重离子加速器将铀、钍等重核进行加速,然后去轰击铀,钍、锔等重核靶子,进行了一系列重核-重核碰撞反应实验,发现了一个新现象.后来,人们把这种新现象称为GSI效应.他们于1984年发表的铀-铀碰撞反应实验结果如图1所示.这些实验结果的特点是:在较宽的正电子连续谱上叠加有一个正电子窄峰,其峰值能量为E_?+=（336±10）keV,峰的宽度为Γ～75keV.     

正电子发射断层显像剂[18F]FET前体N-叔丁氧羰基-O-(2-三氟甲磺酰氧乙基)-L-酪氨酸甲酯/叔丁酯的合成

本文合成了正电子发射断层显像剂[¹⁸F]FET的两个新型前体：N-叔丁氧羰基-O-(2-三氟甲磺酰氧乙基)-L-酪氨酸甲酯9a和N-叔丁氧羰基-O-(2-三氟甲磺酰氧乙基)-L-酪氨酸叔丁酯9b. 化合物9a或9b以L-酪氨酸为原料, 先与甲醇发生酯化反应或与乙酸叔丁酯进行酯交换, 再用叔丁氧羰基保护氨基, 接着在苯环的酚羟基上引入羟乙基, 最后与三氟甲磺酸酐反应形成目标化合物, 这四步反应总收率分别是30%或15%.     

微量元素和烧结温度对硅基半导体中微观缺陷的影响

测量了不同C或B含量经不同烧结温度制备的Si基半导体、单晶Si、单晶SiO2、石墨和纯多晶B样品的正电子寿命谱和符合正电子湮没辐射Doppler展宽谱。结果表明,石墨的商谱谱峰最高,SiO2的谱峰次之,B的谱峰最低。随着B,C和O原子序数的增加,与正电子湮没的电子动量增加。含20%的C和含100ppm的B的样品的商谱的谱峰最高;含100ppm的B的样品的谱峰次之;含1ppm的B的样品的谱峰最低。随着烧结温度的升高,含100ppm的B的Si基半导体样品的商谱降低,正电子寿命增长,缺陷开空间和浓度升高。     

Theoretical study on the Rocksalt structured positron annihilation in magnesium oxide

Based on the atomic superposition approximation （ATSUP） and first-principles pseudopotential plane-wave methods, the bulk and Mg mono-vacancy positron lifetime of magnesium oxide were calculated using Arponen-Pajamme and Borofiski-Nieminen positron-annihilation-rate interpolation formula respectively. The calculated values are in good agreement with experimental values and the first-principles method gives more convincing results. The positron annihilation density spectra analysis reveals that positrons mainly annihilate with valence electrons of oxygen atoms when the magnesium-vacancy appears within magnesium oxide.     

基于正电子的反物质研究进展

正电子是最容易获得的反粒子,因而电子-正电子系统最适合研究普通物质与反物质的结合。本文结合最近实验上首次合成物质-反物质分子这个重大发现,介绍反物质(正电子)研究历史、现状及展望;重点讨论基于正电子的捕获、约束、积累等实验技术,以及物质-反物质分子——正电子素分子的合成方法。     

退火处理Fe43Co43Hf7B6Cu1非晶合金的正电子湮没研究

对熔体急冷法制备的Fe₄₃Co₄₃Hf₇B₆Cu₁非晶合金进行了200,300,400和500 ℃保温30 min的退火处理,用正电子湮没寿命谱、X射线衍射、穆斯堡尔谱等方法研究了退火后试样的结构及结构缺陷变化.结果表明,在非晶合金的制备态,正电子主要在非晶基体相空位尺寸的自由体积中湮没,湮没寿命τ₁为158.4 ps,强度I₁关键词： 43Co₄₃Hf₇B₆Cu₁非晶')" href="#">Fe₄₃Co₄₃Hf₇B₆Cu₁非晶 退火处理 正电子湮没寿命 结构与结构缺陷     

纳米Fe3 O4 颗粒的正电子湮没谱学研究

测量了磁性纳米Fe₃O₄颗粒的X射线衍射谱(XRD)、正电子湮没寿命谱(PALS)和符合多普勒展宽谱(CDBS),研究了不同压力和退火温度对磁性纳米Fe₃O₄颗粒物相、电子结构、缺陷及电子动量分布等的影响. XRD,PALS,CDBS测量结果表明:纳米Fe₃O₄颗粒的缺陷浓度随压力的增加而增大,但物相和缺陷类型并未发生变化;磁性纳米Fe₃O_{4< 关键词： 正电子 3}O₄')" href="#">Fe₃O₄ 寿命谱 多普勒展宽谱