氟化锂团簇基纳米相薄膜的慢正电子研究

用慢正电子束流装置研究了氟化锂团簇沉积在单晶硅衬底上构成的纳米相薄膜,获得了正电子湮没S参数和有效扩散长度L_eff. 讨论了制备条件(如衬底温度、蒸发速率、惰性气体分压等)对薄膜微观结构的影响.     

参数化玻色湮灭算符高次幂的本征态及其量子起伏规律

以参数化方式「ｙ」＝（ｑ＾ｙ－１）／（ｑ－１）定义ｑ玻色湮灭算符ａｑ，生成相应的ｑ相干态，找出能产生并保持这类ｑ相干态的体系的哈密顿量。研究了α＾ｋｑ的正交归一本征态的数学结构和量子起伏性质，发现这些本征态中只有偶ｑ相干态存在通常的压缩效应，并且当ｑ〈１时，场的两个正交分量在各态中的量子起估可以同时有小于相干态的最小不确定度，有ｑ压缩效应。     

正电子发射断层照相（PET）的特色与应用

正电子发射断层照相，称为世界上最先进的医学成像设备，采用ＮａＩ和ＢＧＯ晶体作为探测器，将发射正电子的放射性同位素引入所要观察的局部组织或器官，用作示踪剂，用计算机将探测到的一组图形组建成局部或器官的功能图像，ＰＥＴ这一精密成像工具已广泛应用于临床诊断，如心脏疾病，脑部疾病和肿瘤等。     

深度热处理ZnO压敏陶瓷的晶界缺陷模型

对650～900℃之间深度热处理ZnO压敏陶瓷的研究表明,在直流偏置电压作用下,漏电流随时间的蠕变曲线呈现峰值,正向伏安特性非但没有退化,反而得到改进.设想是由于热处理时,耗尽层中Zn_i^?向外扩散速度快,以致耗尽层中Zn_i^?浓度迅速降低,结果扩散进入晶界的氧以O′o形式得以在界面积累;原来主要由V''_Zn构成的界面负电荷转变为主要由V''_Zn和O′o共同构成,在偏压作用下O′o发生迁移所致.提出一个适用于深度热处理下改进的晶界缺陷模型,并由正电子寿命谱的实验数据中得到验证.     

正电子偶素(o-Ps)寿命困惑及其最终解决

正电子偶素o-Ps是由电子和正电子组成的纯轻子束缚系统，o-Ps在真空中的寿命可由量子电动力学进行精确的理论计算，但长期以来理论值和实验测量值之间存在较大的偏差，为了解决这一问题，理论和实验物理学经过长期共同努力，最终于近年解决了o-Ps寿命困惑．文章简要介绍了正电子偶素o-Ps寿命理论值和实验值之间不一致的历史状况和最近的实验技术的改进以及该问题的最终解决情况，并重点介绍了Tokyo实验组和Michigan实验组的最新结果．     

物质不灭规律的应用——谈e+湮没谱学

 物质既不能产生,也不会消灭,它只能从一种形式转换成另一种形式.正电子（e⁺）的产生与湮没就是典型的例子.当能量较高（至少大于1.02MeV）的γ光子与物质相互作用时,有可能产生一对互为反粒子的正、负电子,而γ光子本身却“消失"了;当一个e⁺进入介质与一个e^-相互作用时,也会发生“湮没”而放出γ射线.人们利用这一物质形式转换的规律建立了e⁺湮没谱学.     

核药物发展小记

简要回顾了20世纪70年代以来核药物领域发展的主要成就,并对目前在临床上应用最为广泛的核药物探针[18F]FDG作了重点介绍。[18F]FDG的发展可追溯至20世纪20年代,历经半个世纪终于成功应用于临床,在肿瘤、神经退行性疾病、心血管疾病的诊断中发挥了巨大作用。除此以外,本文也介绍了多肽类及蛋白类核药物的最新进展。在梳理核药物发展脉络的同时,本文也借此机会向读者介绍了几位为核药物发展做出巨大贡献的科学家,并作为晚辈向其致以崇高的敬意。最终,笔者希望向读者阐明核药物研究立足基础研究、面向临床问题的学科特色,也希望读者能通过对经典核药物发展脉络的了解,对自身的科学研究有所启发。     

α-Fe2O3在Y沸石上的分散

用草酸高铁铵浸渍NaY沸石, 并在高温下焙烧, 得到α-Fe_2O_3/NaY沸石体系。经XRD相定量外推法测定, α-Fe_2O_3在NaY沸石上的最大分散量为0.060 gα-Fe_2O_3/gNaY, 仅占α-Fe_2O_3在沸石表面密置单层量的5.5%。首次尝试用正电子寿命谱方法测定α-Fe_2O_3在沸石表面的最大分散量, 所得结果与XRD方法完全吻合。由程序升温还原方法发现沸石上α-Fe_2O_3的还原分两步进行, α-Fe_2O_3先还原成Fe_3O_4, 然后再还原成金属。α-Fe_2O_3分散相与沸石之间的强相互作用, 使这两个还原反应受到阻抑。     

超细粉氧化铝陶瓷烧结反应正电子湮没谱分析

利用正电子湮没谱（ＰＡＳ）分析技术对超细粉α＿Ａｌ２Ｏ３陶瓷基片（板）的烧结反应过程进行了检测研究。对在４种不同的温度下得到的烧结体作ＰＡＳ分析研究，发现正电子寿命敏感于烧结温度以及不同温度下的微结构效应。根据ＰＡＳ数据分析，对超细粉陶瓷烧结体的微结构缺陷及温度－相变关系作了初步探索。     

ZnO-Bi_2O_3-TiO_2-Nb_2O_5系列压敏陶瓷的微观缺陷和电学性能研究

研究了Nb2O5含量对ZnO-Bi2O3-TiO2-Nb2O5系列压敏陶瓷微观缺陷和电学性能的影响。电性能测试和正电子湮没技术研究结果表明,含0.2mol%Nb2O5的ZnO-Bi2O3-TiO2-Nb2O5压敏陶瓷的晶界缺陷最少,压敏电压最低。当Nb2O5含量超过0.2mol%时,ZnO压敏陶瓷样品中的晶界缺陷增加,压敏电压升高。