A Monte Carlo study for the shielding of γ backgrounds induced by radionuclides for CDEX

The CDEX (China Dark matter EXperiment) Collaboration will carry out a direct search for WIMPs (Weakly Interacting Massive Particles) using an Ultra-Low Energy Threshold High Purity Germanium (ULE-HPGe) detector at the CJPL (China JinPing deep underground Laboratory). A complex shielding system was designed to reduce backgrounds and a detailed GEANT4 Monte Carlo simulation was performed to study the achievable reduction of γ rays induced by radionuclides and neutron backgrounds by D(γ,n)p reaction. Furthermore, the upper level of allowed radiopurity of shielding materials was estimated under the constraint of the expected goal. Compared with the radiopurity reported by other low-background rare-event experiments, it indicates that the shielding used in the CDEX can be made out of materials with obtainable radiopurity.     

用正电子研究半导体材料GaSb的缺陷

用正电子寿命谱和符合多普勒技术研究了电子辐照过的GaSb样品．揭示出原牛未掺杂GaSb样品中存在单空位型VGa相关缺陷，具有284ps左右的寿命值．电子辐照能使这种缺陷的浓度增大，使平均寿命值从辐照前的265Ps增大到辐照后的268ps．低温符合多普勒展宽实验结果表明退火后的电子辐照过的原生未掺杂GaSb样品中仍然存在反位缺陷Gasb．掺Zn、Te样品的实验也证实电子辐照在GaSb样品中会引入VGa，284 ps类型的缺陷．     

非磁性离子Zn和Al替代对YBCO电子结构及超导电性的影响

为了澄清非磁性离子在不同替代位置对YBCO体系超导电性影响的物理机制,本文利用正电子湮没及相关实验手段对YBa2Cu3-x(Zn,Al)xO7-δ(x=0.0～0.4)体系进行了系统研究.结果表明,Zn对Cu(2)位的占据造成电子局域化的增强效应直接影响到了载流子的配对和有效输运,对体系的超导电性产生较强的抑制,使得Tc急剧下降;而Al对Cu-O链区域的替代则是通过对电子的弱局域化效应,最终对载流子库区产生影响,弱化了载流子向导电层CuO2面的转移,从而影响到体系的超导电性.     

环氧树脂-胺类固化体系微结构的正电子湮没研究

采用正电子漂没寿命谱（PALS）研究固化剂的种类有含量对环氧树脂基体自由体积特性、力学性能和密度的影响，实验结果表现：固化剂的含量与理论值接近，固化产物的自由体积半径越小，密度越高，力学性能越好，固化剂中的氨基对环氧基发生交联作用的程度，直接影响了固化产物的密度及力学性能。     

絮凝微滤组合处理^241Am废水

^241Am是极毒放射性核素，放射性强，半衰期长，对人和环境都有很大危害，废水中总α最高允许排放浓度为1Bq／L。建立能经济、简便地处理^241Am废水处理工艺具有重要的现实意义。本项目开发了处理低放^241Am废水的絮凝-中空纤维膜微滤组合工艺(CMF)。通过建立了完整的CMF含镅废水的处理工艺，研究了工艺参数对^241Am废水处理效果的影响，确定并优化了CMF工艺参数。     

正电子湮没寿命谱分析的快速傅里叶变换解法

对以离散数据形式表达的正电子湮没寿命谱、用快速傅里叶变换方法转换为频谱形式,使得分析结果直观、可靠。谱中每个真峰代表一种成分,峰位对应于湮没率,峰面积正比于该成分的强度。对该方法原理进行了详尽的阐述,充分考虑了仪器分辨函数和计数统计涨落的影响。在ALR-286微机上用TURBO C语言编写了相应的解谱程序,对计算机模拟的正电子湮没寿命谱进行的分析均达到预想结果。该方法具有原理简单、解谱速度快、不需预先设定成分参数、降低了仪器分辨函数的影响等特点。 关键词：     

质子辐照空间级硅橡胶的正电子淹没寿命谱研究

 用正电子淹没寿命谱方法（PALS）研究了质子辐照对空间级硅橡胶KH-L-Y微观结构的影响。试验结果表明，PALS谱所揭示的最长寿命成分的t₃, I₃及自由体积分数Vf随辐照剂量的增加开始明显下降；而当辐照剂量大于10¹⁵cm^-2后，随剂量的增加平缓上升。辐照剂量小于10¹⁵cm^-2时，质子辐照使硅橡胶自由体积减小，分子链间堆砌紧密；辐照剂量大于10¹⁵cm^-2时，质子辐照使硅橡胶自由体积增大。交联密度及DMA测试结果同样表明，质子辐照在剂量较小时硅橡胶的交联密度及玻璃化转变温度增加，辐照以交联效应为主；而剂量较大时辐照降解占优势。     

Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的高能重离子辐照缺陷研究

用正电子湮没寿命谱技术研究了2.4×1015/cm2、2.2×1016/cm2注量的85MeV19F离子辐照N型GaP和1.6×1016/cm2注量的85MeV19F离子辐照P型InP所产生的辐照缺陷.结果表明:两种注量辐照在GaP中均产生较高浓度的单空位,其浓度随着辐照注量的增大而增加;辐照也在InP中产生较高浓度的单空位.     

金属中晶界的原子密度分布与其正电子湮没寿命谱特征

在一简单晶界模型的基础之上,求解纯A1晶界的正电子捕获态和计算相应的寿命谱,由此讨论了晶界原子密度分布与寿命谱之间的关联,并尝试对已有的实验结果进行理论上的解释.