激光场中正电子对氢原子的电离反应

本文在一级Bom近似下，研究了激光场中正电子对基态氢原子的碰撞电离反应，并与入射粒子为电子的（e，2e）反应进行了对比．激光场中正电子态和敲出电子态分别采用Volkov波函数和Coulomb-Volkov波函数，靶原子的缀饰波函数由含时微扰论给出．计算结果显示激光缀饰的三重电离截面明显依赖于入射粒子电荷符号．激光越强，二者差距越大．     

Resonances in Positron-He Scattering

We present the results for resonances in positron-He scattering at low impact energy （19.3-24.0eV） by using the momentum space coupled-channel optical （CCO） method. The S-partial wave resonance at 20.16 eV is found for the first time.     

An Experimental Study of Mg Aggregation in AA5754 Alloys by Positron Annihilation Spectroscopy

Defects in an AA5754 （Al-3.0%Mg） alloy are investigated by coincidence Doppler broadening spectroscopy and positron lifetime spectroscopy. The results indicate enhancement of positron trapping by Mg atoms in this Al-Mg alloy after quenching treatment at 623K, which may be due to the formation of vacancy-Mg complexes or the aggregation of Mg near the vacancy sites. It is speculated that the aggregation of Mg atoms in the moderate temperature range is responsible for cracking in spot welding of AA5754 alloys.     

碳纳米管束中的正电子理论

采用中性原子叠加模型和有限差分方法(SNA-FD)计算了大范围内不同管径的单壁碳纳米管束中的正电子情况，发现对于单壁碳纳米管束，正电子的主要湮没区域，湮没对象和正电子寿命随碳纳米管管径的不同而发生规律性变化.计算得到管径范围在0.8—1.6nm的碳纳米管束的正电子寿命范围为332—470ps，与实验测得的394ps符合较好.     

正电子放射层析成象系统设计的计算机模拟

在一个简单实用的数学模型基础上,利用现代计算机技术对正电子放射层析成象系统(PET)进行了模拟,并详细讨论了闪烁晶体材料的物理、几何特性以及探测器环直径的大小对于PET系统的空间分辨率的影响.本文所得的结论对于开发和设计PET系统来说,是非常有用的.     

BES取得J/衰变事例

 今年六月,从高能物理所传来了一个鼓舞人心的好消息,北京谱仪(BES)上记录到了正电子和负电子对撞产生的J/(?)粒子的衰变产物.当正电子和负电子的总能量被扫描到3.097GeV时,反应产物剧增,在显示屏上观察到了大量的J/(?)衰变产生的强子事件.在这个能量附近形成了一个很锐的产额峰.J/(?)粒子是15年前美国麻省理工学院丁肇中教授领导的实验组和美国斯坦福直线加速器中心里克特教授领导的实验组分别发现的.     

GSI效应与开罗事例

 最近几年来,在联邦德国的Darmstadt市的高能重离子研究所（GSI）内,利用重离子加速器将铀、钍等重核进行加速,然后去轰击铀,钍、锔等重核靶子,进行了一系列重核-重核碰撞反应实验,发现了一个新现象.后来,人们把这种新现象称为GSI效应.他们于1984年发表的铀-铀碰撞反应实验结果如图1所示.这些实验结果的特点是:在较宽的正电子连续谱上叠加有一个正电子窄峰,其峰值能量为E_?+=（336±10）keV,峰的宽度为Γ～75keV.     

正电子发射断层显像剂[18F]FET前体N-叔丁氧羰基-O-(2-三氟甲磺酰氧乙基)-L-酪氨酸甲酯/叔丁酯的合成

本文合成了正电子发射断层显像剂[¹⁸F]FET的两个新型前体：N-叔丁氧羰基-O-(2-三氟甲磺酰氧乙基)-L-酪氨酸甲酯9a和N-叔丁氧羰基-O-(2-三氟甲磺酰氧乙基)-L-酪氨酸叔丁酯9b. 化合物9a或9b以L-酪氨酸为原料, 先与甲醇发生酯化反应或与乙酸叔丁酯进行酯交换, 再用叔丁氧羰基保护氨基, 接着在苯环的酚羟基上引入羟乙基, 最后与三氟甲磺酸酐反应形成目标化合物, 这四步反应总收率分别是30%或15%.     

微量元素和烧结温度对硅基半导体中微观缺陷的影响

测量了不同C或B含量经不同烧结温度制备的Si基半导体、单晶Si、单晶SiO2、石墨和纯多晶B样品的正电子寿命谱和符合正电子湮没辐射Doppler展宽谱。结果表明,石墨的商谱谱峰最高,SiO2的谱峰次之,B的谱峰最低。随着B,C和O原子序数的增加,与正电子湮没的电子动量增加。含20%的C和含100ppm的B的样品的商谱的谱峰最高;含100ppm的B的样品的谱峰次之;含1ppm的B的样品的谱峰最低。随着烧结温度的升高,含100ppm的B的Si基半导体样品的商谱降低,正电子寿命增长,缺陷开空间和浓度升高。