正常及肿瘤染色质的荧光寿命法、精确量热法和荧光能量转换

量热法;荧光寿命;正常及肿瘤染色质的荧光寿命法、精确量热法和荧光能量转换     

QuEChERS方法结合超高效液相色谱-串联质谱法快速检测鸡肉组织中扎那米韦药物的残留量

应用Qu ECh ERS前处理技术,建立了鸡肉和鸡肝中扎那米韦残留量的超高效液相色谱-串联质谱快速测定方法。样品经0.2 mol/L盐酸溶液-甲醇(1∶9)超声提取,离心后分取上清液,应用Qu ECh ERS净化。化合物采用NUCLEOSHELL HILIC(3.0 mm×100 mm,2.7μm)柱以5 mmol/L乙酸铵-0.2%甲酸溶液和乙腈为流动相梯度洗脱分离,电喷雾电离(ESI)正离子多反应监测模式(MRM)进行测定,标准曲线外标法定量。结果表明,扎那米韦在5~100 ng/m L范围内线性关系良好,相关系数(r)大于0.990;方法的定量下限(S/N=10)为10μg/kg。以鸡肉和鸡肝为基质,在10,20,100μg/kg加标水平下的平均回收率为80.5%~88.7%,相对标准偏差(RSD,n=6)为7.3%~11.8%,已应用于实际鸡肉样品的检测。该方法灵敏度高、重复性好、操作简单、快捷,适用于鸡肉组织中扎那米韦残留量的分析测定。     

斜投影和空间夹角判据结合紫外光谱分析滴眼液中苯扎氯铵

采用紫外光谱,将斜投影(OP)与空间夹角判据(SAC)相结合,通过十二烷基二甲基苄基氯化铵(1227)含量反映苯扎氯铵(BAC)含量的方式建立了一种快速检测滴眼液中BAC的新方法。首先采用斜投影提取BAC混合物中1227的纯信号,以提取的光谱信号与对应浓度值进行最小二乘拟合,建立标准光谱矩阵;再通过高效液相色谱-紫外光谱联用获取滴眼液本底光谱矩阵;最后根据空间夹角判据测定滴眼液样品中1227的含量,并以此反映BAC的含量。结果显示:在1~20μg/m L浓度范围内,斜投影提取的1227纯信号与对应浓度呈良好线性关系(r0.999 6),方法的检测结果与高效液相色谱法接近,相对误差不大于2.3%,相对标准偏差(RSD,n=6)不大于2.8%,回收率为99.6%~101.8%。该方法采用多波长紫外光谱直接定量BAC,无需复杂的样品前处理,定量时间短,分析效率高,稳健性好,可推广应用于其他领域。     

等价类空间中离散时间选举一排它混合模型的遍历性

利用李雅谱诺夫函数首先证明了等价类空间中离散时间非紧邻选举模型是正常返的,且首次击中D0时刻的阶为15/14,其次给出了等价类空间中离散时间非紧邻选举模型与排它过程的混合模型遍历性的一个判别准则,从而推广和改进了紧邻情形的相应结果.     

定向ZnO纳米钉阵列的制备及生长机理

在550 ℃下,采用化学气相沉积(CVD)法在镀Au(10 nm)的Si(100)衬底上,制备了ZnO一维纳米钉阵列结构。X射线衍射(XRD)谱图中只显示了(002)衍射峰,其半峰全宽为0.166°,表明制备的纳米钉阵列具有高度c轴择优生长取向的特点和较高的结晶质量,高分辨透射电子显微镜(HRTEM)和选区电子衍射图(SAED)谱的结果表明所得到的单根纳米钉为沿(002)生长的单晶结构;同时,对一维纳米钉阵列的生长机理进行了分析。结果表明:由于Si与ZnO之间大的晶格失配度,首先在Si表面沉积一层富Zn的ZnO_x薄膜缓冲层,然后通过VLS机理中的底端生长模式生长成为纳米钉阵列结构。     

高Tc超导体YBCO磁通钉扎的计算机模拟研究

临界电流密度Jc是影响高温超导体在强电领域应用的一个重要参数,在实际应用中,特别在外加磁场下,临界电流密度与超导材料的磁通钉扎性质密切相关.因此,磁通钉扎一直是高温超导体研究中的一个重要领域.由于高温超导体磁通钉扎力密度Fp的标度律存在,本文根据D.Dew-Hughes总结的钉扎力函数,主要存在两种主要作用类型(正常相和△K).我们将D.Dew-HugBes给出的钉扎力密度Fp标度函数改进为一个简化的具有物理意义的函数表达式.结合文献中已有的实验数据,我们对YBcO进行了计算机模拟,确定了它的磁通钉扎类型,模拟的研究结果与实际情况比较吻合.     

新型电力传输材料——REBaCuO高温超导涂层导体

REBaCuO(简写为RE123,RE=Y,Gd等稀土元素)高温超导涂层导体也称第二代高温超导(2G-HTS)带材,通过柔性金属基带上的薄膜外延和双轴织构技术发展而来,解决了陶瓷性铜氧高温超导体的晶界弱连接和机械加工难等问题,是当前液氮温区运行下电磁性能较为优越的实用高温超导材料。文章首先对新型电力传输材料——高温超导涂层导体的各类技术路线和国内外发展现状进行概述;随后对低成本的化学溶液法2G-HTS长带的关键制备技术和当前进展进行介绍;最后针对强磁场和大电流应用背景,对REBaCuO涂层导体的磁传输各向异性、磁通钉扎及其人工调制等最新研究进展进行评述。     

中子辐照6H-SiC晶体中的钉扎效应

分别对两种不同的6H-SiC晶体进行了总通量为5.74×10~(18) n· cm~(-2)、8.2×10~(18) n· cm~(-2)和1.72×10~(19) n· cm~(-2)的不同剂量的中子辐照,利用X射线衍射等手段观测了中子辐照引起的晶体内部损伤.结果表明:两种样品在不同的中子通量辐照下,消除部分原始缺陷的、纯度较高的样品辐照后的内部损伤明显小于纯度较低、内部原始缺陷较多的样品.样品的辐照损伤不仅取决于中子辐照剂量,还取决于其辐照时的成分和结构.晶体的结构缺陷和杂质,作为一种"钉扎",在辐照过程中作用极大,它们导致了晶体的长程缺陷(如位错)的大幅度增加.     

B-凸函数的代数运算性质

研究B-凸函数的代数运算性质,给出B-凸函数的数乘运算、加法运算和线性运算的结果,并加以证明.