四羟基蒽醌修饰活性炭碳糊电极阳极溶出法测铜

报道了将四羟基蒽醌吸附在稻壳基活性炭上,用直接混合法制成碳糊化学修饰电极及其在测定Cu(Ⅱ)中的应用。实验确定了阳极溶出法测定Cu(Ⅱ)的最佳操作条件。支持电解质为0.03 mol/L H2SO4,富集电位在-0.8V,该电极对Cu(Ⅱ)在5.0×10-8~1.0×10-2mol/L范围内分段有良好的线性响应;实际样品分析浓度小于1.0×10-2mol/L的均不需要稀释,高浓度的样品可不设富集时间,从-0.8 V处直接做阳极扫描,低浓度的样品则需设相应的富集时间,富集时间300 s时,检出限为5.0×10-9mol/L,Mg2+、Mn2+、A l3+和Fe3+等十余种共存离子基本不干扰。用本法分析人发中的铜与光谱法对照,结果令人满意。     

十二烷基苯磺酸掺杂聚吡咯在阳极-阴极交替极化下的防污性能

采用化学氧化聚合法合成了一系列十二烷基苯磺酸掺杂的聚吡咯(PPy-DBSA), 并研究了其电化学防污性能. 循环伏安(CV)曲线表明, PPy-DBSA在天然海水中具有良好的电化学活性和稳定性. 采用循环伏安扫描方法实现阳极极化和阴极极化交替进行, 并对极化后的PPy-DBSA电极进行了抑菌性能研究, 发现PPy-DBSA在循环伏安阳极-阴极交替(-1.0~2.0 V vs. SCE)极化下, 可成功抑制微生物(大肠杆菌)的附着, 其中在-0.6~0.8 V范围内循环伏安阳极-阴极交替极化20 min时防污效果最佳, 抑菌率可达99.8%, 明显优于恒电位阳极极化和恒电位阴极极化的结果.     

ZnSe/MoO_3/TiO_2复合膜的制备及其光生阴极保护效应

针对TiO_2半导体不能有效吸收可见光,光电转换效率较低等问题,可通过对TiO_2半导体进行修饰和改性,制备TiO_2复合材料,提高其光电化学性能。因此,本工作以Ti表面制备的TiO_2纳米管膜为基础,分别应用循环伏安电沉积法和脉冲电沉积法在膜表面先后沉积MoO3和ZnSe颗粒,获得具有级联能带结构的ZnSe/MoO3/TiO_2纳米管复合膜,并将其应用于对403不锈钢(403SS)实施光生阴极保护。相较于纯TiO_2纳米管膜,紫外-可见(UV-Vis)吸收光谱和光致发光(PL)谱测试表明,ZnSe/MoO3/TiO_2复合膜的吸收边红移,在可见光区具有良好的光吸收性能,光生载流子复合得到更有效抑制。光电化学测试表明,白光照射下,处于0.5 mol·L~(-1) KOH溶液中的ZnSe/MoO3/TiO_2复合膜的光电流密度达到了同条件下纯TiO_2膜的2倍,可使与之耦连的浸泡于0.5 mol·L-1 NaCl溶液中的403SS电极电位下降470 mV,显示出良好的光生阴极保护效应。复合膜还具有一定的储能特性,在光照后又转为暗态的22.5 h内仍对403SS具有一定阴极保护作用。     

Efficient Top-Emitting Polymer Light-Emitting Diodes Using Chromium as Anode

We demonstrate a high eftlciency top-emitting polymer light-emitting diode （TPLED） with chromium （Cr） taking as the anode. The TPLED structure is Cr/poly-3, 4-ethylenedioxythiophene （PEDOT：PSS）/poly [2-（4-3＇,7＇- dimethyloctyloxy）-phenyl]-p-phenylenevinylene） （P-PP V） /Ba/Ag. The Cr （ 100 nm） anode is prepared by sputterdepositing in a vacuum chamber. It is found that the device emissive properties are affected dramatically by the thickness of both PEDOT：PSS and the Ag cathode. Optimized thicknesses of PEDOT：PSS and Ag layer are 60nm and 15nm, respectively. The diode exhibits excellent electroluminescence （EL） properties, such as a turn-on voltage of 3.32 V, luminous eftlciency of 4.41 cd/A and luminance of 6989cd/m^2 at driving voltage of about 9 V.     

Micro thermal shear stress sensor based on vacuum anodic bonding and bulk-micromachining

This paper describes a micro thermal shear stress sensor with a cavity underneath, based on vacuum anodic bonding and bulk micromachined technology. A Ti/Pt alloy strip, 2μm×100μm, is deposited on the top of a thin silicon nitride diaphragm and functioned as the thermal sensor element. By using vacuum anodic bonding and bulk-si anisotropic wet etching process instead of the sacrificial-layer technique, a cavity, functioned as the adiabatic vacuum chamber, 200μm×200μm×400μm, is placed between the silicon nitride diaphragm and glass （Corning 7740）. This method totally avoid adhesion problem which is a major issue of the sacrificial-layer technique.     

多孔TiO2/Al/SiO2纳米复合结构的紫外光吸收特性研究

在SiO₂玻璃衬底上用脉冲激光沉积(PLD)技术，分别沉积Ti和Ti/Al膜，经电化学阳极氧化成功制备了多孔TiO₂/SiO₂和TiO₂/Al/SiO₂纳米复合结构. 其中TiO₂薄膜上的微孔阵列高度有序，分布均匀. 实验研究了Al过渡层对多孔TiO₂薄膜光吸收特性的影响. 结果表明：无Al过渡层的多孔TiO₂薄膜其紫外吸收峰在27     

非对称补偿条形复合腔半导体激光器列阵

本文描述了一种新结构半导体激光器阵列——非对称补偿条形复合腔半导体激光器阵列.这种列阵是由7个或9个非对称半腔长交叉错开的条形电极形成7个或9个复合腔结构,光束在腔中以交叉的方式耦合.从该结构列阵得到了直到1.6I_(th)、发散角仅为3～4°的单瓣远场图样.     

窄线宽单纵模沟槽衬底平面条形(AlGa)As激光器的研制及其线宽分析

本文报道了我们所研制的沟槽衬底平面条形(CSP)铝镓砷((AlGa)As)单模激光器,能以单纵模稳定工作,△v<5MHz,并从理论上定性分析了半导体激光器线宽变宽的机理,提出了进一步压窄线宽的方法.     

复合材料条形域问题的混和状态Hamiltonian元的半解析解

本文给出了复合材料条形域问题混和状态Ｈａｍｉｌｔｏｎｉａｎ正则方程的一种强有力的半离散半解析解法，并给出了算例。