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对透光性良好的Cr3+:Al2O3透明多晶陶瓷的光谱性能进行了研究,其吸收光谱中吸收峰与单晶红宝石相一致,按吸收光谱和Tanabe-Sugano能级图,算出其晶场强度参数Dq及Racah参数B分别为1792cm-1,689cm-1,Dq/B=2.6,陶瓷中Cr3+离子所处格位的晶体场强比单晶弱一些,但Cr3+:Al2O3透明陶瓷仍属于强场晶体材料;当Cr3+掺杂浓度到达0.8wt%时,陶瓷的发射谱仍保持较好的R线发射;随Cr3+掺杂浓度的增大,激发峰位发生"红移".在Cr3+:Al2O3透明多晶陶瓷的荧光谱上,发现一个波长为670nm的发射峰,经激发谱确认为Cr3+的发射峰. 相似文献
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应用参考作用格位模型理论计算了二甲基亚砜(DMSO)摩尔分数为0.002时不同温度下溶液的微观结构和热力学性质. 计算结果表明, DMSO加入到水中能够增强溶液的分子网络结构. 温度升高, 配位数减小, 溶液中分子排布趋向无序. 平均力势的波动增大表明分子间的诱导力表现为斥力. 计算得到的各种热力学性质显示: 温度升高, 溶液的熵和溶剂化自由能增加, 相互作用能和过剩化学位也增加, 即高温下溶液越来越偏离理想溶液; 空位形成能降低表明溶液分子结构在高温下更容易重组. 相似文献
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通过高温固相法合成了Ba2ZnB2O6∶Ce3+蓝色荧光粉.通过XRD、Rietveld结构精修、激发和发射光谱、荧光衰减曲线以及变温荧光光谱等,对荧光粉的晶体结构和发光性能进行了研究.结果表明:Ce3+的掺入并未对基质的晶格结构产生影响,在350 nm近紫外光激发下,Ba2ZnB2O6∶xCe3+的发射峰为位于430 nm的不对称的宽谱,最佳掺杂浓度为x=0.01,Ce3+在Ba2ZnB2O6晶格中占据Bal和Ba3两种格位,随掺杂浓度升高更倾向于占据Ba3位.Ce3+的择优占位使荧光粉的发光由蓝光向蓝绿色区域发生了明显的漂移. 相似文献
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纳米Gd2O3中两种格位Eu3+的电荷迁移态激发跃迁 总被引:5,自引:5,他引:0
观测了粒径分别为15,23,135m的立方相Gd2O3:Eu^3 的选择激发光谱、发射光谱和激发光谱。受强量子限域效应的影响,纳米Gd2O3:Eu^3 的激发光谱的强度表现出对颗粒尺寸的明显依赖性。用Jorgensen公式计算电荷迁移带的位置,与实验测得激发光谱中位置相一致。通过电荷迁移带不同位置的选择激发光谱可以分辨出立方相Gd2O3:Eu^3 中C2和S6格位Eu^3 的发光,从选择激发的发射光谱和激发光谱结果计算出C2和S6格位电荷迁移带的激发光谱,与实验结果相符合。 相似文献
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采用高温固相法制备一系列Sr2SiO4∶Eu0.01, Dyx(x=0.000 1, 0.002 5, 0.005, 0.01)应力发光材料,研究了不同掺杂浓度下,Sr2SiO4∶Eu, Dy的光致发光和应力发光性质。研究结果表明在掺杂Dy3+浓度较低时,样品同时存在α和β两种相,当掺杂Dy3+浓度增加时,则出现β到α的相转变。由于Eu2+占据Sr2+格位的不同,样品在蓝光区486 nm(Sr1)和绿光区530 nm(Sr2)有两个峰存在。而应力发光光谱与余辉光谱类似,均只呈现出530 nm的发光,这说明二者的发光来源于占据Sr2格位的Eu2+,都是通过改变陷阱的浓度实现发光性能的变化,但Sr2SiO4∶Eu, Dy的应力发光强度的变化还与其结构改变有关。同时,Sr2SiO4∶Eu, Dy应力发光强度与所施加的力之间呈良好的线性关系,并且可用眼睛观察到明显的黄色应力发光,这为应力发光传感器准确检测物体所受应力提供依据。结合余辉、热释以及应力发光性质,推测Sr2SiO4∶Eu, Dy的应力发光机制应是压电产生的电致发光。 相似文献
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荧光粉的发光特性由激活剂离子的电子构型决定,同时也受激活剂离子在基质中的配位环境的影响.配位环境对激活剂离子发光性能的影响主要体现在电子云膨胀效应和晶体场劈裂效应这两个方面.电子云膨胀效应的强弱取决于激活剂离子与配体离子的成键特性(离子键与共价键成分的比例)以及阴离子极化率的大小;而晶体场劈裂效应的大小取决于激活剂离子... 相似文献
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KMgF3∶Eu和KMgF3∶Eu-Ce单晶体中Eu2+与Ce3+的格位取代和能量传递 总被引:2,自引:0,他引:2
在77 K测定了两个晶体的高分辨发射光谱, 讨论了单掺杂Eu2+ 和双掺杂Eu2+ 及Ce3+ 的KMgF3中的格位取代问题. 在KMgF3∶Eu-Ce中观察到了Eu2+ 的6P5/2能级到Ce3+ 的 4f5d 能级间的间接能量传递, 讨论了能量传递机理. 相似文献
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以高温固相法成功合成了一系列Eu3+离子激活Ba3WO6红色荧光粉。分别采用X射线衍射(XRD)和荧光光谱(FL)对样品的晶体结构和发光性能进行了表征。结果表明,样品均具有立方晶系的双钙钛矿结构;Eu3+离子的激发谱由一个宽带(包括Eu3+-O2-和W6+-O2-电荷转移带)和若干个窄峰(4f-4f电子跃迁)组成,而跃迁5D0→7F1和5D0→7F2则构成了发射谱的主要部分。调整原材料中BaCO3和WO3的量的比,XRD的主衍射峰位发生红移至与标准谱完全吻合,发光强度有所提升并分析了原因。Eu3+离子的临界摩尔分数为0.05,临界距离(Rc)为1.263 4 nm。在314 nm或394 nm激发光下,样品发出红光(λmax=596 nm),色坐标为(0.618,0.342),在LED照明、显示等领域具备一定潜力。 相似文献