纳米X1-Y2SiO5∶Eu的制备与格位选择激发下的光致发光研究

采用溶胶-凝胶法制备了纳米微晶X₁-Y₂SiO₅∶Eu，研究了室温和15K下的光致发光特性.透射电子显微镜的测量结果表明，样品的平均粒径为50nm.通过低温下的格位选择激发，分别得到X₁-Y₂SiO₅∶Eu中两种格位的Eu³⁺离子各自的光致发光光谱，确定了谱峰位置.在格位选择激发下，两种格位的发光衰减均呈很好的单指数关系，⁵D关键词：     

含Cr3+透明微晶玻璃的发光性能

选择若干玻璃组成，制得了含莫来石晶相的透明微晶玻璃，利用吸收光谱和室温荧光光谱对玻璃和微晶玻璃的发光进行了研究。研究表明，在一定测试范围内提高玻璃的晶化温度可以提高Cr^3 离子的有效发光效率；Cr^3 离子浓度的增加使微晶玻璃的发光强度增加，但引起浓度淬灭，降低Cr^3 离子的有效发光效率。对微晶玻璃荧光光谱中688nm发射肩的成因进行了探讨，提出了微晶玻璃荧光光谱中688nm和700nm发射可能由^2E能级分裂引起的观点。     

福建物构所稀土掺杂无序结构晶体材料的光物理研究获进展

稀土掺杂无序结构晶体是一类庞大的发光和激光材料体系,因其优良的光学性能在激光、绿色照明光源、平板显示、生物探针等领域具有广阔用途,但是关于替代无序分布阳离子格位的稀土离子在其中的确切位置对称性长期以来一直存在很大争议,主要原因是实验观测到的稀土离子表现出的光谱学位置对称性远低于单晶X射线衍射确定的结晶学位置对称性。由于稀土离子的发光与所替代的基质阳离子格位有密切     

纳米Y2O3:Eu3+中S6格位电荷迁移带的光学特性

在Y2O3：Eu^3 体材料和纳米材料中,观察到紫外激发下处于S6格位的Eu^3 的^5D0→^7F1发射(582nm)的强度,相对处于C2格位的^5D0→^7F0发射(580nm)的强度,随着激发波长在200—300nm紫外区由长变短而增强。这一现象说明Y2O3：Eu^3 中两种格位的电荷迁移带及基质激发的性质不同。光谱分解得出S6格位的电荷迁移带位于C2格位电荷迁移带的高能侧,Y2O3基质倾向于向S6格位进行能量传递。与体材料相比,两种格位的电荷迁移带在纳米材料中都发生红移;相对于C2格位的电荷迁移带,S6格位的电荷迁移带强度在纳米材料中比在体材料中明显降低,并对结果进行了讨论。     

Ce3+激活NaSr4(BO3)3荧光粉的格位占据和发光性质研究

采用高温固相法制备了一系列可被紫外光有效激发的Na_1+xSr_4-2x(BO₃)₃∶xCe³⁺荧光粉,并通过X射线衍射、扫描电镜、荧光光谱等测试方法对样品的物相结构、形貌和发光特性进行了表征及分析。X 射线衍射结果显示,Ce³⁺成功掺入到基质NaSr₄(BO₃)₃中;利用高斯峰拟合、多光谱对比等手段,分析并验证了发光中心Ce³⁺占据了NaSr₄(BO₃)₃中Sr²⁺(1)和Sr²⁺(2)两个格位;研究了不同浓度Ce³⁺的掺杂对发光位置和发光强度的影响,随着Ce³⁺掺杂浓度的提高,发射光谱出现红移,发光强度出现增强→减弱→再增强的趋势;将荧光粉的发射光谱与植物光合色素吸收光谱进行对比,发现它不仅可以吸收300~350 nm的紫外光,发射光谱还很好地覆盖了植物光合色素所需的蓝光区吸收波段,证明其在农业生产的转光剂方面有潜在应用价值。     

铕(Ⅲ)离子光谱探针Eu(DBM)32AP络合物中Eu(Ⅲ)格位

在77K测得的激发光谱说明Eu(DBM)32AP(DBM:二苯甲酸甲烷根,AP:安替吡啉)络合物中Eu3+离子仅有一种晶格格位.5DO→7FJ(J=0-4)跃迁光谱说明中心Eu3+离子具有C2v格位对称性.实验测得的配位体总电荷为-2.75,与理论计算值-3.00吻合较好.     

La_2CaB_(10)O_(19):Ce~(3+)在VUV-Vis范围的发光性质研究

通过研究La_2CaB_(10)O_(19):Ce~(3+)在VUV-Vis范围的光谱.发现Ce~(3+)在La_2CaB_(10)O-(19)中共有两种格位.分别取代了十配位的I。a’“和八配位的Ca”,从而发射光谱中没有出现特征的双峰,而出现了峰值约位于307,330和 356 nm的3个发射峰.由于在低对称性晶体场中d轨道的分裂.激发光谱中位于194.224,243.260,274和318 nm的峰是由两个格位的Ce~(3+)的f-d跃迁引起的.Ce~(3+)占据两个格位,可以通过以Eu~(3+)为荧光探针的发射光谱中出现的两个~5D_(0-)~7F_0跃迁得到验证.峰值位于162 nm的激发谱带是基质吸收带.与基质禁带宽度相对应.通过计算,不排除其中包含O~(2-)→Ce~(3+)的电荷迁移带的可能性.     

Ce3+激活的LiSrBO3材料发光特性及晶体学格位研究

采用固相法制备了蓝白色LiSrBO3∶Ce3+材料. 测得LiSrBO3∶Ce3+材料的发射光谱为一个主峰位于436 nm的非对称单峰宽谱; 监测436 nm发射峰时所得材料的激发光谱为一个主峰位于369 nm的宽谱. 利用Van Uitert公式计算了Ce3+取代LiSrBO3中Sr时所占晶体学格位, 得出433 nm发射带归属于九配位的Ce3+发射, 469 nm发射带起源于八配位的Ce3+发射. 研究了Ce3+浓度对LiSrBO3∶Ce3+材料发光强度的影响, 研究结果显示, 随着Ce3+浓度的增大, 发光强度呈现先增大后减小的趋势, 在Ce3+摩尔分数为3%时到达峰值, 根据Dexter理论, 其浓度猝灭机理为电偶极-偶极相互作用. 引入Li+, Na+和K+作为电荷补偿剂时发现, LiSrBO3∶Ce3+材料的发射光谱强度均得到了明显的增强. 利用InGaN管芯(370 nm)激发LiSrBO3∶Ce3+材料时, 获得了很好的蓝白光发射, 色坐标为(x=0.289, y=0.293).     

纳米Y_2O_3∶Eu~(3+)中S_6格位电荷迁移带的光学特性

在Y2 O3 ∶Eu3 + 体材料和纳米材料中 ,观察到紫外激发下处于S6格位的Eu3 + 的5D0 →7F1发射 ( 5 82nm)的强度 ,相对处于C2 格位的5D0 →7F0 发射 ( 5 80nm)的强度 ,随着激发波长在 2 0 0～ 3 0 0nm紫外区由长变短而增强。这一现象说明Y2 O3 ∶Eu3 + 中两种格位的电荷迁移带及基质激发的性质不同。光谱分解得出S6格位的电荷迁移带位于C2 格位电荷迁移带的高能侧 ,Y2 O3 基质倾向于向S6格位进行能量传递。与体材料相比 ,两种格位的电荷迁移带在纳米材料中都发生红移 ;相对于C2 格位的电荷迁移带 ,S6格位的电荷迁移带强度在纳米材料中比在体材料中明显降低 ,并对结果进行了讨论。     

Cr3+:Al2O3透明多晶陶瓷光谱特性分析

对透光性良好的Cr³⁺:Al₂O₃透明多晶陶瓷的光谱性能 进行了研究，其吸收光谱中吸收峰与单晶红宝石相一致，按吸收光谱和Tanabe-Sugano能级 图，算出其晶场强度参数D_q及Racah参数B分别为1792cm^-1， 689cm ^-1，D_q/B=2.6，陶瓷中Cr³⁺离子所处格位的晶体场强 比单晶弱一些，但Cr³⁺:Al₂O₃透明陶瓷仍属于强场晶 体材料；当Cr³⁺掺杂浓度到达0.8wt%时，陶瓷的发射谱仍保持较好的R线发射 ；随Cr³⁺掺杂浓度的增大，激发峰位发生“红移”.在Cr³⁺:Al₂O₃透明多晶陶瓷的荧光谱上，发现一个波长为670nm的发射峰，经激发 谱确认为Cr³⁺的发射峰. 关键词： 氧化铝 透明陶瓷 离子格位 光谱性质