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991.
多非线性一般Lurie离散系统的绝对稳定性   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文应用Lyapunov函数方法,讨论了具有多个非线性项的一般Lurie离散控制系统的绝对稳定性问题,借助于关于变元σ绝对稳定性的概念,得出了上述系统绝对稳定的充要条件及一些简洁的充分条件。  相似文献   
992.
完全离散二项风险模型下有限时间内的生存概率   总被引:14,自引:0,他引:14  
本文用分析方法研究了保险公司在完全离散复合二项风险模型下生存到固定时刻n,在n恰好发生第k次赔付,而且在时刻n的盈余为某数x(x≥0)的概率公式,由此得到了有限时间内的生存概率公式。  相似文献   
993.
积域上奇异积分算子的Lp有界性   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
陈杰诚 《中国科学A辑》2001,31(5):403-412
用旋转法证明了对于Ω∈ L(log+L)2 (Sn-1×Sm-1),Ω(x′,y′)dσ(x′)= 0(y′∈Sm-1), Ω(x′,y′)dσy′)=0(x′∈Sn-1),带核函数K(u,v)= Ω(u′,v′)|u|-n|v|-m的奇异积分算子TLp(Rn×Rm)有界的,其中1<p<∞.  相似文献   
994.
广义部分Bent函数和广义Bent函数的关系   总被引:5,自引:0,他引:5  
Bent函数是一类特殊的布尔函数,因其非线性性和稳定性在密码学和通信等领域有很重要的应用,但它们数量少,不平衡且无相关免疫性,为了弥补Bent函数的不足,Claud Carlet提出了部分Bent函数的概念,部分Bent函数是包含Bent函数的更大的函数类,后来,人们又将这两种函数概念先后都拓广到了环zm^n(m为正整数)上,分别被称为zm^n上的广义Bent函数和广义部分Bent函数,本文利用zp^n(p为素数)上广义部分Bent函数的Chrestenson循环谱特征讨论了zp^n上的广义部分Bent函数和广义Bent函数之间的关系,给出了这两种函数之间的函数关系式和谱值关系式。  相似文献   
995.
本文讨论了较为广泛的一类函数方程G(x,f(x),f^2(H2(x,f(x)),…,f^n(Hn(x,f(x),…,f^n-1(x))))=0, 对任x∈J.其中n≥,J为实数轴R 的连通闭子集,G∈C^m(J^n 1,R),Hk∈C^m(J^k,R),k=2,…,n.对任一个整数m≥0,本文在较弱的条件下讨论下该方程的C^m解的存在性和惟一性。  相似文献   
996.
宋端 《物理学报》2014,63(14):144501-144501
研究力学系统Birkhoff动力学函数的构造方法.Santilli第二方法是目前构造Birkhoff动力学函数时常用的方法之一,但研究发现其计算公式存在冗余项.通过具体的证明得到了简化的Santilli第二方法,从而为自伴随系统Birkhoff动力学函数的构造提供了更为简洁的计算公式.举例说明结果的应用.  相似文献   
997.
安兴涛  刁淑萌 《物理学报》2014,63(18):187304-187304
硅烯是由单层硅原子形成的二维蜂窝状晶格结构,具有石墨烯类似的电学性质,由于硅烯中存在比较强的自旋轨道耦合而备受关注.本文利用非平衡格林函数方法研究了门电压控制的硅烯量子线中电子输运性质和能带结构.研究发现,只有在较强的门电压下,而且硅烯量子线具有较好的锯齿形或扶手椅形边界而不存在额外硅原子时,硅烯量子线中才存在无能隙的自旋极化边缘态.另外,计算结果表明这种门电压控制的硅烯量子线中边缘态在每个能谷处自旋是极化的.这些计算结果将为实验上利用电场制作硅烯纳米结构提供理论支持.  相似文献   
998.
本文以关于两半无限大辐射热源间的并矢格林函数为基础利用传递矩阵法,在不考虑温度对介电常数影响的情况下以SiC材料为例,研究了隔热板对近场辐射传热的影响.研究结果表明,隔热板对近场辐射的影响完全不同于常规尺度辐射问题,近场下的净辐射热流不仅受隔热板的相对厚度的影响,而且受隔热板位置的影响.所得的结论对近场辐射传热的热设计具有一定的指导意义。  相似文献   
999.
董烨  董志伟  周前红  杨温渊  周海京 《物理学报》2014,63(6):67901-067901
介绍了粒子模拟确定高功率微波介质沿面闪络击穿流体模型相关电离参数的方法.对粒子模拟方法 (包括带电粒子动力学方程、次级电子发射以及蒙特卡罗碰撞模型)和流体整体模型方法 (包括连续性方程和能量守恒方程)做了简介.基于自编的1D3V粒子模拟-蒙特卡罗碰撞程序给出了在高(低)气压、不同气体种类以及不同微波场强和微波频率下流体模型电离参数的粒子模拟结果,包括电离频率、击穿时间、平均电子能量、电子能量分布函数类型.研究结果表明:平均电子能量与电子能量分布函数类型关系不大;中低气压下,电子能量接近Maxwell分布,电子能量分布函数类型对电离参数几乎没有影响;中高气压下,电子能量分布函数类型对电离参数有重要影响,其依赖系数X趋于高阶形式.不同气体的电子能量分布函数类型不同,需要利用粒子模拟对电子能量分布函数类型进行标定.同时,电子能量分布函数依赖系数与微波场强和频率也有关系,其随微波场强增加而增大,随微波频率增加而减小.在给定考察范围(微波场强在7 MV/m以下,微波频率在40 GHz以内),中低气压下,平均电子能量随微波场强增加而迅速增大,电离频率随微波场强增加先增大后降低,平均电子能量随微波频率增加而降低,电离频率随微波频率增加先增加后降低;高气压下,平均电子能量随微波场强增加而缓慢增大,电离频率随微波场强增加而增大,微波频率对平均电子能量和电离频率影响不大.  相似文献   
1000.
本文利用小波变换给出了L2(En+1+,(dxdy)/(yn+1)中的柱面函数空间的一种正交直和分解.在这种分解下定义了Toeplitz-Hankel型算子,得到了类似的Schatten-Von Neumann性质.  相似文献   
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