非线性系统可逆的多轨线方法

乌克兰科学院A．M．kovalev教授于1993年首次提出了针对一般非线性系统{x=f(t,x,u)；y=h(t,x,u),x(t0)=x0的多轨线求逆方法。本文将该方法引入仿射非线性系统，使不可逆系统在一定条件下成为可逆。并给出了具体的求逆步骤，举例说明。     

ASYMPTOTIC APPROXIMATION METHOD AND ITS CONVERGENCE ON SEMI-INFINITE PROGRAMMING

The aim of this article is to discuss an asymptotic approximation model and its convergence for the minimax semi-infinite programming problem. An asymptotic surrogate constraints method for the minimax semi-infinite programming problem is presented by making use of two general discrete approximation methods. Simultaneously, the consistence and the epi-convergence of the asymptotic approximation problem are discussed.     

Cascade Grating Structure for Increasing the Channel Number on Holographic Demultiplexer

The expansion capability of the channel number in the optical demultiplexer using two cascaded photopolymer volume gratings is reported. It could be accomplished by designing of two gratings with different spectral range. As a result of the experiment, a 0.4-nm-spaced 130-channel demultiplexer with the channel uniformity of 3.5 dB, the 3 riB-bandwidth of 0.12nm, and the channel crosstalk of-20 dB is experimentally demonstrated.     

具有HfN/HfO2栅结构的p型MOSFET中的负偏置-温度不稳定性研究

研究了HfN/HfO₂高K栅结构p型金属-氧化物-半导体(MOS)晶体管(MOSFET)中，负 偏置-温度应力引起的阈值电压不稳定性(NBTI)特征.HfN/HfO₂高K栅结构的等效 氧化层厚度(EOT)为1.3nm，内含原生缺陷密度较低.研究表明，由于所制备的HfN/HfO₂ 高K栅结构具有低的原生缺陷密度，因此在p-MOSFET器件中观察到的NBTI属HfN/HfO2高K栅结构的本征特征，而非工艺缺陷引起的；进一步研究表明，该HfN/HfO₂高K栅结构中观察到的NBTI与传统的SiO₂基栅介质p-MOSFET器件中观察 到的NBTI具有类似的特征，可以被所谓的反应-扩散(R-D)模型表征： HfN/HfO₂ 栅结构p-MOSFET器件的NBTI效应的起源可以归为衬底注入空穴诱导的界面反应机理，即在负 偏置和温度应力作用下，从Si衬底注入的空穴诱导了Si衬底界面Si-H键断裂这一化学反应的 发生，并由此产生了Si^＋陷阱在Si衬底界面的积累和H原子在介质层内部的扩散 ，这种Si^＋陷阱的界面积累和H原子的扩散导致了器件NBTI效应的发生. 关键词： 高K栅介质 负偏置-温度不稳定性(NBTI) 反应-扩散(R-D)模型     

环形线电荷的电场分布

给出了圆环形线电荷电场分布的理论公式，并利用计算机计算出其具体分布规律。     

s+id波高温超导体的单根涡旋线结构

用松弛叠代法数值求解了在s+id混合波对称性考虑下的Ginzburg-Landau方程，得到s+id高温超导体单根涡旋线的结构，并研究了其随温度磁场变化的特性.同时，也计算了在该考虑下的上临界场H_c2的曲线，相应的数值结果与实验结果定性一致. 关键词：     

微型圆光栅刻划偏心量的控制

对微型圆光栅刻划偏心误差问题进行了讨论。提出了微型圆光栅刻划时偏心调试误差的公差范围。     

带调整线搜索方向的变尺度算法

为了确保变尺度算法在“坏条件”下的收敛性，本文提出对原算法的线搜索方向作适当地调整的方法，并且证明了带调整线搜索方向的Ｂｒｏｙｄｅｎ类算法，无论线搜索是否精确，它对连接可微函数是收敛的，对一致凸函数是Ｑ－超线性收敛的。     

铜铝合金中γ_2相沉淀的分析电镜研究

Cu-12.7(wt)%Al合金从900℃高温淬至365℃～500℃温度范围等温不同时间(30秒至15分钟)的试样中形成了大量树枝状的γ_2相沉淀粒子。应用配有X线能谱仪(XEDS)和电子能量损失谱仪(EELS)的分析电子显微镜(JEOL JEM-2000FX型)对上还试样研究,结果表明:这些γ_2相粒子具有富铝的“核心”,长大到粒子线度大于约800nm后以不稳定方式生长成“花朵”状。生长过程中伴随着溶质元素Al由基体向γ_2相内的富集。而且在γ_2相粒子内部呈现出Spinodal分解组织的形貌特征,表明γ_2粒子内形成了化学成分调幅。EELS分析表明试样含氧。     

泡沫铅对VRLA电池负极活性物质结构及性能影响

0引言随着36V/42V汽车电源系统的提出,新一轮汽车用电池的竞争不断加剧。从目前情况看,铅酸电池由于具有成本低廉,使用可靠,原材料来源丰富,铅回收率可高达98%等优点,因此成为电动车电源最实际的选择之一[1]。但作为电动车用电池,需要克服其比能量低、充电接受能力差和负极硫酸盐化等缺点。为此各国科学家开展了大量的研究工作。最近报道用铸造多孔体作为敞口铅酸电池的集流体,它的比表面积为14cm2·cm-3,正极活性物质利用率上升到50%,远高于传统的铸造板栅[2]。在铅酸电池集流体研究领域里另一个重大进步,就是以R V C(R etic-ulated V i…