氢原子的固有电偶极矩

用经典力学和双波量子力学计算了氢原子的固有电偶极矩。双波量子理论算得的结果在经典极限下与经典力学的结果一致。普通量子力学对氢原子Stark效应中表现出来的电偶极矩难以做出很好的解释，因为一个波函数描述的是系综而不是单个粒子。经典力学和双波量子力学可描述单个粒子的行为，对永久电偶极矩的计算和解释显得自然而合理。     

一类二层凸规划的对偶二层规划

本文讨论上层目标函数以下层子系统目标函数的最优值作为反馈的一类二层凸规划的对偶规划问题 ,在构成函数满足凸连续可微等条件的假设下 ,建立了二层凸规划的 Lagrange对偶二层规划 ,并证明了基本对偶定理 .     

高剥离类镁等电子序列的磁偶极M1和电四极E2光谱跃迁理论研究

利用全相对论性多组态Dirac-Fock广义平均能级方法，系统地计算了类镁离子3s3p磁偶极Ml^3P2--^3P1和电四极E2 ^2P2--^3P0(Z=20-103)光谱跃迁的能级间隔、跃迁几率和振子强度。计算中考虑了原子核的有限体积效应，进行了高阶Breit修正和QED修正，所得到的能级间隔和最近的实验数据及理论计算值进行了比较。计算结果表明：高原子序数的高荷电离子的磁偶极矩M1和电四极矩E2跃迁几率和中性原子的电偶极E1的相当，在ICF和MCF高温激光等离子体中，磁偶极矩M1和电四极矩E2跃迁过程不容被忽视。     

超导氧化物La1.85Sr0.15CuO4/超高分子量聚乙烯复合材料的输运性质

采用热压法获得了具有不同混合比例的超导氧化物La1.85Sr0.15CuO4/超高分子量聚乙烯导电复合材料,并利用x射线衍射、扫描电子显微镜和标准四引线方法对复合材料的结构和低温电输运性质进行测量.实验结果显示,超导氧化物La1.85Sr0.15CuO4颗粒随机分布在聚合物本体中,相互间没有连接构成网络结构.在正常态下,复合材料的电阻-温度变化曲线给出类半导体行为.但对应于超导氧化物La1.85Sr0.15CuO4的超导转变温度Tc处,复合材料的电阻-温度变化曲线出现了极小值.室温下电阻率ρ随外加电场强度E的变化曲线测量结果表明,ρ-E曲线为一线形关系,随着电场强度E增加,电阻率ρ下降.文中对可能存在的导电机制进行分析,结果表明隧道贯穿模型可以很好地解释复合材料的导电机制.另外,外加电场强度E对复合材料的电输运特性有明显的影响.     

三层干扰下的最优无线电信道问题的研究

研究了 2 0 0 0年 MCM— B题 ,将问题推广到有三层干扰的复杂情况 ,给出并严格证明了 ( k,1,1)问题的最优解     

不锈钢过滤材料过滤特性

不锈钢过滤材料是采用多层金属编织丝网为原料，通过特殊的叠层设计、复合压制和真空（或保护气氛）烧结等工艺制备而成的一种新型多孔结构与功能材料。通过高温扩散烧结固定网孔的多层滤网，主要由保护层、阻挡过滤层和强度支撑层3部分组成，一般的典型结构为3-6层。烧结金属丝网和金属微孔膜不仅能够获得过滤精度高、可靠性好、工艺过程稳定的效果，而且具有承压强度高、操作压降小、耐腐蚀、适于进行反冲洗操作的特点，是一种非常理想的不锈钢高效过滤材料，综合特性明显优于高效玻璃纤维滤纸和滤膜材料。这里用扫描迁移粒径分析系统，用混合标准粒子和DOP多分散气溶胶对5μm不锈钢烧结丝网和0．5，0.3μm不锈钢过滤膜材料进行了过滤特性研究。     

后退火温度对溅射沉积Pb(Zr0.52Ti0.48)O3铁电薄膜结构和性能的影响

在具有Ti缓冲层的Pt(111)底电极上,用射频溅射工艺在较低的衬底温度(370℃)和纯Ar气氛中沉积Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)薄膜,沉积过程中基片架作15°摇摆以提高膜厚的均匀性。然后将样品在大气中进行5min快速热退火处理,退火温度550-680℃。用XRD、SEM分析薄膜的微结构,RT66A标准铁电测试系统测量样品的铁电和介电性能。结果表明,所沉积的Pt为(111)取向,仅当后退火温度高于580℃,沉积在Pt(111)上的PZT薄膜才能形成钙钛矿结构的铁电相,退火温度在580-600℃时结晶为(110)择优取向,退火温度高于600℃时结晶为(111)择优取向。PZT薄膜的极化强度随退火温度的升高而增加,但退火温度超过650℃时漏电流急剧上升,因此退火处理的温度对PZT薄膜的结构和性能有决定性的影响。     

损伤度函数模型用于三种钢层裂的二维数值模拟

中外学者（董玉斌和Raul Cortes等）曾用损伤的概念来解释材料的动态断裂，并取得了不错的效果，但受计算方法及计算机发展的限制，大都采用一维数值模拟，一维计算虽然具有运算快、精度高的优点，但应用范围有限，二维数值模拟更能反映实际问题，可以为分析实际问题提供更多信息，应用范围更广。     

微通道板及其发展趋势

回顾微通道板发展历史及各阶段的主要技术特征。综述自90年代以来国内外微通道板的研发和生产情况．