最大似然方法和Bayes方法在结构方程模型分析中的讨论(英文)

本文通过模拟研究,讨论了最大似然方法和Bayes方法在分析结构方程模型中的相似点和不同之处。     

论贷映射及其结构

本文论述了袋映射的缘起，给出了袋映射的对称函数列表示法，并在此基础上证明了Ｖａｌｕｅｆｕｎｃｔｉｏｎａｌ的袋映射可用一个一元函数和一个二元对称函数表达，从而进一步表明确了这类袋映射的构造。     

d轨道分裂和过渡金属化合物性质的研究

用群的表示来讨论过渡金属化合物中心离子在不同对称场中d轨道分裂 ,并通过群链的分解 ,应用广义Wigner-Eckart定理来研究d轨道分裂能。然后进一步解释过渡金属二硫属化合物电子结构、电学性质的特点和宝石的致色机理     

聚偏氟乙烯辐射效应的研究——II.晶区辐射损伤点的研究

研究了聚偏氟乙烯 (PVDF)晶体结构与辐射效应的关系 .利用不同的热处理条件 ,获得了 7种不同规整性、不同结晶度的样品 ;通过对其辐射效应的研究 ,探讨了材料结晶区和晶区内不同部位的辐射效应以及这些不同的结构对材料辐射效应的影响 .使用示差扫描量热分析 (DSC)测量样品零熵产生相变温度、结晶度等随吸收剂量的改变 ,以及不同退火条件样品的辐射效应 .讨论了PVDF样品晶体辐射损伤与样品结构的关系 .利用电子自旋共振谱仪 (ESR)测量不同辐照后样品残余自由基的浓度及这些残余自由基加热条件下的不同命运 .结合DSC分析及X射线衍射分析得到晶体辐射损伤是从晶体表面折叠圈区和晶体茎杆内部缺陷区同时开始的结论     

荧光XAFS研究Si可稀浓度杂质的区域结构

荧光ＸＡＦＳ研究Ｓｉ晶体中等电子，缺电子和富电子杂质原子的区域环境结构。结果表明杂质原子的电子构型决定了杂质原子对Ｓｉ区域晶格形变的影响。相对于共价键长ＲＳｉ－Ｓｉ（０．２４０ｎｍ）来说，富电子杂质Ａｓ导致Ｓｉ晶格在Ｓｉ（１１１）方向的ＲＡｓ－Ｓｉ键长产生０．００４ｎｍ的反应增长，等电子杂质Ｇｅ的Ｒ－Ｇｒｅ－Ｓｉ和缺电子杂质Ｇａ和ＲＧａ－Ｓｉ键长收缩０．００２ｎｍ。     

安捷伦低成本测量解决方案助力全球客户行业发展

作为安捷伦测试与测量业务全球战略的重要组成部分，安捷伦成都测量仪器分部近期推出了其新一代低价位、高性能且结构紧凑的入门级测量产品Agilent N9320A射频频谱分析仪。Agilent N9320A的面世将进一步丰富安捷伦低成本测量领域的产品结构，帮助中国和全球客户降低测量成本，提升市场竞争力，同时助力中国以及全球电子产业的繁荣发展。     

Synthesis and Characterizaiton of Poly（ether imide）s Containing m—Methyl and Phthalazinone Moieties

Three novel poly(ether imide)s were synthesized by one-step solution polymerization from 2-(3,4-dicarboxyl-N-phenyl)-4-(3‘‘‘‘‘‘‘‘,4‘‘‘‘‘‘‘‘-dicarboxly-phenoxyl-4-(2-methyl)-phenyl)-2,3-phthalazin-l-one dianhydride and three amines,and characterized.The polymers show good solubility and thermal properties.     

复合氟化物中钐离子价态与基质的相关性

本文通过不同基质中钐离子光谱特征的研究,发现钐离子的存在价态与基质密切相关。讨论了被取代阳离子电荷、半径等化学因素对基质中钐离子价态的影响,利用能带理论建立了基质中变价稀土离子的价态与基质间关系的能带模型。