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171.
基于蓝光芯片激发黄色荧光粉或近紫外芯片激发三基色荧光粉构建的白光发光二极管(WLED)在青光区域呈现明显的凹口,导致白光的色彩性能不够理想。为了弥补这一缺陷,实现全光谱白光,我们设计了Eu3+掺杂Ca2KZn2(VO4)3黄色荧光粉,其发射波长范围为400~750 nm。在387 nm激发下,在所制荧光粉中可同时获得来自VO43-基团和Eu3+的发射光。Eu3+在Ca2KZn2(VO4)3基质中的最佳掺杂浓度(物质的量分数)为0.05,且VO43-基团向Eu3+的能量传递效率达到64.9%。基于变温的发射光谱,揭示了所制荧光粉的热稳定性并发现VO43-基团和Eu3+的激活能分别为0.538和0.510 eV。此外,将所制黄色荧光粉与商用蓝色荧光粉和近紫外芯片进行封装整合,得到可发射暖白光的WLED器件,其色温和显色指数分别为3843 K和85.8。 相似文献
172.
173.
提出了一种作大范围运动柔性梁的非接触动态测试技术.在基于位移的柔性多体系统几何精确建模及非线性有限元分析技术的基础上,利用EAGLE-500运动分析系统及其相应的分析软件对作大范围运动钛合金柔性梁作了实验研究,并且利用之前提出的几何精确梁理论进行数值仿真.数值仿真结果与实验结果完全吻合,验证了作者所提的几何精确梁理论及... 相似文献
174.
以柔性材料和高精度六面体作为惯性传感器的安装载体和基准,设计了一种免装配、安装误差小、体积小、功耗低且便于标定的微惯性测量单元。给出了安装误差小角度前提下的传感器的测量方程和标定方法;利用微控制器的并行工作机制,提出了一种快速有效的基于均值滤波和FIR滤波的组合滤波方案。实验结果表明:MIMU可以100 Hz的频率更新测量输出,加速度测量噪声小于2.5 mg、测量误差小于0.8 mg,旋转角速度测量噪声小于0.15 o/s、测量误差小于0.2 o/s,可满足微小型惯性导航系统的功耗、体积、测量精度和响应速度的应用需求。 相似文献
175.
针对卷烟企业生产中的批量计划和柔性流水车间调度集成问题,构建了整数规划模型,目标函数由卷烟生产时间、生产线调整次数、卷烟质量、库存成本四部分组成。鉴于该问题的NP-hard性,设计遗传算法进行求解,通过合理设计遗传算子,避免不可行解出现。应用某卷烟企业数据得到优化排产结果,与该企业之前依照经验排产方案进行对比,发现优化排程结果在减少品牌转换次数,提高生产的连续性方面具有明显优势。该算法已作为某卷烟企业排产人员的排产参考,应用于排产决策中,取得了良好的效果,对卷烟企业制定排产计划具有一定的实际指导意义。 相似文献
176.
为研究柔性障碍物对甲烷空气爆炸波的激励效应,采用双向拉伸聚丙烯(biaxially oriented polypropylene, BOPP)薄膜作为柔性障碍物将管道内甲烷空气预混气体与空气隔开,对比障碍物前后火焰、激波变化,分析膜状柔性障碍物激励效应的机理。实验结果表明:这种具有一定承压能力的柔性障碍物对甲烷爆炸波产生的激励效应不可忽视,在膜片破裂前产生多次激波反射过程,可诱导湍流火焰形成,促使膜前爆炸压力提高,膜片破裂后,火焰在伴流作用下传播速度突增,并加速逐渐逼近前驱冲击波,致使膜后爆炸压力大幅提高;激励效应可使膜片前后最大爆炸压力相差5倍,火焰速度相差7倍;另外在膜片位置2.5 m后增设一道膜片,可增强这种激励效应,而增加膜片的实质是使激波火焰相互作用的次数增加。 相似文献
177.
针对分布式制造环境下多车间调度问题特点,结合企业实际生产情况,考虑相邻工序间的运输时间,建立以最小化最大完工时间为优化目标的分布式柔性流水车间调度模型,提出一种改进布谷鸟算法用于求解该模型。算法改进包括设计了一种基于工序、车间和机器的三层编码方案;根据问题特点设计了混合种群初始化策略以提高种群质量;改进了布谷鸟搜索操作使其适用于求解该模型;设计了一种种群进化策略以提高算法收敛速度及解的质量。最后通过仿真实验,与多种算法对比,验证所提算法的有效性和优越性。 相似文献
178.
179.
金属有机化学气相沉积外延技术生长GaN基半导体发光二极管和激光二极管(Ⅱ) 总被引:2,自引:0,他引:2
如今,InGaN/GaN基量子阱发光二极管已经商业化,而且InGaN/GaN基量子阱激光二极管已实现连续波室温运转,使用寿命超过10000小时,虽然如此,但还没有完全搞清楚这些器件的发光机理.试验中通常使用连续输出He-Cd激光器(325nm)作光源,或者使用20—50mA注入电流来研究In—GaN量子阱样品或发光二极管光学性质,本文上篇研究了量子阱厚度与发光二极管发光功率的关系,lnGaN和GaN之间的晶格失配产生压电场,从而导致量子束缚斯塔克效应,而量子束缚斯塔克效应强 相似文献
180.
本文详细测试了用RF-PECVD法制备的非晶硅碳薄膜发光二极管的光强电流特性和温度对器件发光强度的影响.在直流电流驱动下,器件的发光在注入电流1A/cm2左右趋于饱和,而在低占空比的脉冲电流驱动下器件的发光直至注入电流20A/cm2仍随电流近似线性增长,但提高环境温度发光随之下降.结合对器件受热情况分析表明,热致猝灭而非场致猝灭导致了器件在大电流下的发光饱和,并简要提出了改进器件散热的措施. 相似文献