氧化铽团簇的表面修饰及对其荧光特性影响的研究

采用脉冲激光轰击浸于流动相中的氧化铽固体靶，考察了流动相及其流速、脉冲激光输出功率、修饰剂、添加修饰剂顺序等对所获得的氧化铽有机溶胶荧光性能的影响。UV-Vis和荧光光谱的测试表明：以含有修饰剂的无水乙醇作为流动相，可得到良好荧光性能的氧化铽乙醇溶胶，而环己酮与醋酸乙酯均不适合作为该体系的流动相;最佳流速为0.15 mL·s^-1；脉冲激光输出功率大有利于其荧光性能；最佳修饰剂为乙酰丙酮(acac)和2，2′-联吡啶(2，2′-bipy)，且应原位修饰。     

温度对铽（III）-转铁蛋白溶液构象的影响

在pH 7.4，0.01 mol/L N-2-羟乙基哌嗪-N’-2-乙磺酸（Hepes）条件下，铽 （III）与N，N’-二（2-羟苄基）乙二胺-N，N’-二乙酸（HBED）结合并发生交换 相互作用使铽（III）荧光增强10~4倍，通过监测铽（III）545 nm荧光强度的变化 测定了Tb-HBED配合物的条件稳定常数是lgK = 14.30 ± 0.49；Tb-HBED配合物中 配体、铽（III）荧光强度均随着温度的升高而降低。在pH 7.4，0.01 mol/L Hepes条件下，Tb_N-apoTf-Tb_C配合物中蛋白质的荧光强度随着温度的升高而降 低，而能量受体铽（III）的荧光强度随着温度的升高而增强，主要源于铽（III） 与螺旋5色氨酸残基间的无辐射能量转移；当温度由0 ℃上升到55 ℃时，平均能量 转移效率AE值增加了29%，给体、受体间距离R有约4.2%的减小，温度变化引起 Tb_N-apoTf-Tb_C配合物大的构象变化；铽（III）与人血清脱铁转铁蛋白的结合使 蛋白质的变性温度降低。同样条件下，Tb_N-apoOTf-Tb_C配合物与Tb_N-apoTf- Tb_C配合物有所不同，虽然能量给体的荧光强度随着温度的增加而减小，但铽（ III）荧光强度没有明显的增强；铽（III）对蛋白质的变性温度几乎没有影响。     

三维超分子配合物[MoO_2(OCH_2C_5H_4N)_2]制备、晶体结构及三阶非线性光学性质

Na_2MoO_4·2H_2O和2-氯甲基吡啶在水中反应得到了超分子化合物：[MoO_2 (OCH_2C_5H_4N)_2]。其单晶结构测试表明：该化合物含有两种均为6配位的但化学 环境不同的Mo(1)和Mo(2)原子；由此两种钼原子构成的中性配合物[Mo(1)O_2 (OCH_2C_5H_4N_2)]和[Mo(2)O_2(OCH_2C_5H_4N)_2]分别通过氢键O…H-C及吡啶环 间的π-π堆积作用形成了二维的A层和B层，A层与B层之间又在层间氢键的作用下 交错形成了三维的网状固态结构。用Z-scan法在DMF溶液中测试了该化合物的三阶 非线性光学性能，发现它有强的非线性吸收(α_2 = 1.92 * 10~(-9) m·W~(-1)) ，非线性极化率X~((3)) = 1.21 * 10~(-12) esu。     

钇对掺饵多孔硅体系1.54μm发光的增强作用

首次报道了用恒电位电解法将饵、钇共掺入多孔硅（porous silicons, PS） 中，经高温退火处理后，观察到了在近红外区（1.54 μm）室温下较强的光致发光 （photoluminescence, PL），并与掺饵多孔硅（erbium-doped porous silicon, PS:Er）做了比较，发现钇的共掺入对掺饵多孔硅体系1.54 μm发射起了增强作用 。研究了饵、钇共掺杂多孔硅（erbium and yttrium co-doped porous silicon, PS:Er, Y）光致发光强度随温度的变化，发现PS:Er与Si:Er材料相似，有较强的 温度猝灭效应，而PS:Er，Y体系的PL强度随温度升高趋于平稳，且有增强的趋势， 受温度影响不明显，并初步探讨了其发光机制。     

荧光猝灭法测定人发中微量锰

异丙肾上腺素在pH9.91的伯瑞坦 罗比森缓冲溶液中被MnO-4氧化,导致其荧光强度显著减弱。最大激发及发射波长为278nm和616nm,MnO-4浓度在0.01～0.64mg·L-1范围内,荧光强度与浓度呈良好线性关系。将其用于人发中微量锰的测定,得到满意的结果。     

荧光光谱法研究十六烷基三甲基溴化铵与牛血清白蛋白的相互作用

十六烷基三甲基溴化铵;牛血清白蛋白;结合反应;热力学参数;荧光光谱     

量子限制效应对多孔硅液相电致发光的影响

着重研究多孔硅在阴极偏压下过硫酸铵溶液中电压调制的电致发光现象 .随阴极偏压的增大 ,电致荧光峰位蓝移 ,荧光强度增大 ,同时发现定电压下 ,发生电致发光随时间的衰减伴随着光谱的红移现象 .通过红外光谱、AFM及电化学等手段对电致发光的电位调制机理及荧光衰减机制进行了研究 ,结果表明电致发光与光致发光具有相同的起源 ,电压选择激发不同粒径的多孔硅 ,而导致了发光峰值能量的电位选择性 .在电致发光过程中 ,强氧化剂向多孔硅注入空穴使其表面氧化导致小粒径的硅晶逐渐被剥落 ,使光谱高能部分首先衰减出现了随时间的电致发光红移现象 .这些结果支持量子限制效应在多孔硅液相电致发光中起着重要作用