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用恒定光电导法测量了纳米硅(其晶粒尺寸为3-5nm,晶态成分比Xc为45%—50%)薄膜在0.9—2.5eV范围的光吸收谱。分析了在不同光子能量范围可能存在的对光电导作主要贡献的几种光跃迁过程,以及随着Xc的增加,材料由非晶、微晶转变为纳米硅薄膜时光吸收谱的变化。发现纳米硅晶粒之间的界面区(平均厚度约为1nm)中载流子的跃迁及传输过程对整个范围的光吸收谱起主导作用。联系纳米硅的这种特殊结构解释了有关实验结果。
关键词: 相似文献
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将DLTS用于对InAs/GaAsQD结构样品的测量,测定了QD能级发射载流子的热激活能;获得了QD能级俘获电子过程伴随有多声子发射(MPE)、QD能级存在一定程度的展宽、以及在某些特定的生长条件下,存在亚稳生长构形的实验证据.结果表明:DLTS在QD体系的研究中有其特有的功能 相似文献
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本文研究了包括二阶离化过程的强激光场下的双光子自电离。导出了光电子谱的解析表达式,并对一些特殊情况下的光电子谱进行了分析。 相似文献
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单扫描示波极谱测定痕量银 总被引:1,自引:0,他引:1
本文首次提出了运用单扫描极谱直接测定银的方法。在含N-烯丙基-N′-对苯磺酸钠硫脲及四乙烯五胺的硼砂缓冲液中,银离子在-0.66V(相对饱和甘汞电极)有一灵敏还原波。运用经典极谱或单扫描极谱,此波均可用于微量银的定量测定。“银波”的单扫描示波极谱波可在5×10~(-7)~3×10~(-5)mol/L范围内检测银。方法已用于废定影液中银含量的分析,结果满意。 相似文献