极性晶体膜中束缚磁极化子的声子平均数与回旋共振频率的关系

采用改进的线性组合算符法和幺正变换方法,研究极性晶体膜中束缚磁极化子的声子平均数与回旋共振频率 的变化关系。得出束缚磁极化子的声子平均数由两部分组成：第一部分是由于电子—体LO声子相互作用所引起的;第二部分则是电子－SO声子相互作用引起的。而且当 时,声子平均数随着回旋共振频率 的增加而迅速增加,这主要是由于磁场的加入使电子声子的相互作用增强而引起的。     

有机发光器件的磁电导效应

制备了基于三(8-羟基喹啉)铝(tris-(8-hydroxyquinoline) aluminum (III), Alq₃) 的有机发光二极管, 并在不同偏压下测量了器件的室温磁电导效应.在小偏压下, 发光器件展示出明显的负磁电导效应.偏压增加后, 磁电导由负值变为正值, 出现了正负转变的现象. N, N'-二苯基-N, N'-(1-萘基)-1, 1'-联苯-4, 4'-二胺(N, N′-Di(naphthalen-1-yl)-N, N′ diphenyl-benzidine, NPB) 与铜酞菁 (Copper phthalocyanine, CuPc) 单极器件磁电导的测量结果表明, 发光器件在小偏压下的负磁电导效应来源于器件中的CuPc层. 双极电流的磁电导效应可用电子-空穴对模型进行解释, 而单极电流的磁电导效应可归因于器件中的极化子-双极化子转变. 在注入电流的变化过程中, 发光器件的正负磁电导转变是两种机理共同作用的结果.     

基于平面超材料的Fano谐振可调谐研究

基于两段相同金属分裂环谐振器构成的单层结构, 从理论及实验方面研究了平面超材料的可调谐Fano谐振. 实验测量了平面超材料对TE和TM入射波的电磁响应, 利用电磁波的入射角度控制Fano谐振的强度, 实现了谐振的开关特性, 谐振频率红移可达到21%. 基于有限元法给出了平面超材料的场分布, 强的正常色散表明平面超材料的电磁响应可类比经典电磁诱导透明现象, 仿真与实验结果相符合. 对称结构超材料Fano谐振的开/关特性为超材料性能的可调谐控制提供了有效途径.     

SF-环的内射性

研究了SF-环与P-内射环的关系,构造了SF-环成为P-内射环的一系列条件.证明了SF-环R只要满足其中之一:R的每个极大左理想是有限生成的;特殊右零化子的降链条件;对R的每个极大左理想M,l(M)在R中是本质的,那么R就是P-内射环.在此基础上,利用一定条件下SF-环的P-内射性,发展了SF-环的若干新结果,这些结果部分地拓展了有关文献中的结果.     

二维六角晶格的光电导

研究半满填充情形二维六角晶格模型的跃迁积分在交错磁场调制下的动能和光电导．交错磁场导致了四能量分支的四子格点系统的产生,并产生了光电导对磁流量子新的依赖特性．具体讨论了平均动能．Drude weight和光电导对磁流量子的依赖关系．     

套代数中根理想的w*闭包

利用零化子的技巧,完全刻划了套代数中根Ｒ、ｒ的ω＊闭包,得到Ｒ＾Ｗ＊ｒ＝Ｈ＝（Ｒｒ∩Ｋ（Ｋ）＊＊,其中Ｒ＾Ｗ＊ｒ为Ｒｒ的Ｗ＊闭包,Ｋ＝｛Ｔ∈Ｒ（Ｋ）：Ｐ（Ｎ－）ＴＰ（Ｎ）＝０,Ａ↓Ｎ∈Ｎ｝;并且作为零化子和Ｒ＾Ｗ＊刻划的应用,给出了Ｒｒ中类Ｅｒｄｏｓ稠密性定理的一个新的证明和距离公式。     

硫增感AgBrI T颗粒乳剂光电子行为研究

利用微波相敏技术,获得了硫增感AgBrIT颗粒乳剂中自由光电子和束缚光电子时间衰减信号,分析了光电子衰减时间、电子陷阱效应、光电子寿命、有效陷阱深度及束缚电子转移时间与增感时间的关系,获得了最佳的增感时间、衰减时间、电子陷阱效应、光电子寿命、有效陷阱深度和转移时间数值.     

近似程度对强耦合磁极化子平均数特性的影响

本文应用幺正变换和线性组合算符法研究了极性晶体内强耦合磁极化子的平均数^-n与磁场B和温度T之间的依赖关系。讨论了在不同的近似计算程度情况下,磁极化子平均数与磁场和温度的特性。对RbCl晶体所作的数值计算结果表明：当计算的近似程度较低时,磁极化子的平均数随温度的升高而减小,但随磁场的加强而增大;当计算的近似度较高时,磁极化子的平均数随温度的升高而增大,但随磁场的加强而减小。     

遗传算法研究Pdn（n=2-57）团簇的结构特性

本文利用遗传算法结合紧束缚势计算了Pdn（n=2-57）团簇的基态能量及结构．通过讨论团簇的平均束缚能Eb、二阶差分能△2E（n）和剩余能△E（n），发现团簇平均束缚能随原子数目的增加而增大，n为13、22、30、38、41、46和55为其幻数序列．并发现，Pd54为无中心原子的Ih结构，其稳定性略低于Pd55的稳定性．     

金属/介质/金属光栅结构强化吸收特性

本文从电磁场理论出发,研究了单层光栅的金属/介质/金属结构的共振,利用严格耦合波方法计算了金属/介质/金属光栅结构表面的光谱特性,利用金属/介质/金属膜层结构的色散关系和等效LC回路模型两种理论对金属/介质/金属光栅结构表面的共振现象进行研究,讨论了几何参数对金属/介质/金属光栅结构共振的影响,结果表明单层光栅的金属/介质/金属结构的共振由金属/介质界面上的表面等离子极化之间的耦合产生。