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101.
102.
利用可加性规则,使用Hartree-Fock波函数,在100~5 000 eV内采用由束缚原子概念修正过的复光学势,对电子被约40个分子散射的总截面进行了计算,并将计算结果与实验结果及其它理论计算结果进行了比较.得出如下结论①对大多数散射体系而言,仅当入射能量E≥100 eV时,计算结果即与实验结果符合得较好,少数较复杂的体系,当E≥200~300 eV时,也能与实验结果符合得较好.但采用未修正的复光学势进行计算,仅当E≥500~800 eV时才与实验结果符合得较好,不少体系只有在E≥1 000 eV时才能得到较好的结果.这说明本修正是成功的;②在较高的能量下,对于同类型分子构成的散射体系,在同一能量下其总截面与分子内的总电子数成正比,且电子数越多,其线性度也就越好;③在较高能量下总截面与能量间存在QT≈aE-b的关系.②与③相结合,可推算出一些复杂分子的总截面. 相似文献
103.
104.
用紧束缚近似的EHMO方法对αMTDTPY.TCNQ(1)、β-MTDTPY.TCNQ(2)及MTDTPY.CHL(3)三种电荷转移复合物晶体的电子能带进行了计算。在1中,电子施体(D)分子MTDTPY及受体(A)分子TCNQ形成交替重叠的一维分子柱(M),柱间无净电荷转移。能隙E~G=0.15eV,载流子的产生主要来自热激发。在2及3中,电子施体(D)MTDTPY及受体(A)TCNQ及CHL分子分别相对独立的D及A一维分子柱,载流子的产生主要来自柱间的电荷转移。由电子能带结构及关于载流子迁移的Frohlich-Sewell公式,得出上述三种晶体的室温电导率之比为σ1:σ2:σ3=3.75×10^-^1^0:1:1.15,与实验事实基本一致。关于各分子柱对σ的贡献,2中D柱:A柱~10^3:1;3中D柱:A柱~2:1。根据计算结果,本文还对载流子的迁移机理进行了讨论。 相似文献
105.
采用三角势近似界面导带弯曲,研究了有限高势垒GaN/Ga1-x Al x N球形量子点中束缚极化子的结合能及其压力效应。数值计算了杂质态与声子之间相互作用对结合能的影响,同时与方形势垒进行了比较。结果表明,随着电子面密度的增加,导带弯曲效应增强,束缚极化子结合能逐渐下降。当电子面密度n s=(6.0,8.0)×1011/cm2且量子点半径R>10 nm时,束缚极化子的结合能趋近于一个相同且较小的值。结合能的极化效应主要来自杂质与光学声子相互作用的贡献。 相似文献
106.
107.
108.
109.
据美国国家地理网站报道,最新研究结果表明,由于地核磁场变化,地球北端磁极正以每年64km的速度向俄罗斯方向移动. 相似文献
110.
本文完全刻划了弱闭T(N)-模的预零化子中单位球的端点和一秩算的关系,并且利用这一刻划,给出了弱闭T(N)-模的自反性和距离公式dist(A)=sup||p(N)AP(N)||的一个新的证明。 相似文献