Structural Stabilities of Ordered Arrays of Nb4 Clusters on NaCI（IO0） Surface

Adsorption of ordered （2 × 2） arrays of Nb4 clusters on the insulating surface of NaCI（100） is studied by the first-principles calculations within the density functional theory. The calculations on the relaxed geometries and cohesive energies show that both the tetrahedron and quadrangle-Nb4 can be stably adsorbed on this substrate, which may have important applications. The adsorption of quadrangle-Nb4 on the NaCl（100） surface is more stable than that of tetrahedron-Nb4. Both the Nb4 clusters studied and a single Nb atom prefer the top site of the Cl atom in the NaCl（100） surface. Electronic structure analysis suggests that the interactions between the Nb4 clusters and the substrate are weak.     

Tb0.3Dy0.7Fe2合金磁畴偏转研究

研究了Tb_0.3Dy_0.7Fe₂合金在压磁和磁 弹性效应中的磁畴偏转和磁导率特性. 基于Stoner-Wolhfarth 模型能量极小原理, 绘制了自由能与磁畴偏转角度的关系曲线, 研究了压应力和磁场载荷作用下磁畴角度的偏转特性, 计算分析了不同载荷作用下磁畴偏转的磁导率特性, 并与实验数据进行比较论证. 研究表明,应力和磁场的作用都将使磁畴方向[111]和[111]发生角度跃迁, 直观有效地解释了材料巨磁致伸缩效应的机理; 应力和磁场作用下磁畴的偏转将使材料磁导率呈减小趋势, 其中磁场能对磁导率的影响大于应力能, 这一现象在小载荷作用下尤为明显. 实验结果表明, 磁导率的计算数据与实验数据符合得较好, 验证了计算方法的正确性. 理论分析对Terfenol-D磁畴偏转模型的完善 和磁化过程中磁滞回线的绘制非常有意义.     

功变热过程不可逆性的统计分析

功变热过程是系统从有序运动向无序运动的转化，本在分析功变热过程的基础上，引入了功变热过程的简化模型，利用经典玻尔兹曼分布计算了一定量气体^[1]从有序运动向无序运动转化中的熵变。结果表明，此过程系统的熵增加。     

铁性体中畴结构产生的热力学描述

在批判平衡态热力学局限性的基础上,采用不可逆过程热力学对铁性体中畴结构的产生做了动态描述.注意到了铁电与铁磁两种情况下的相似与区别.在铁弹情况下,出于客观的必要性,类比地引入了铁弹相变“分子场”的概念.明确了体系的有限性、过程的不可逆性与畴结构的产生的内在关联. 关键词： 铁性体 畴结构 不可逆性 对称性     

氧化锌纳米带中的面缺陷

面缺陷是纳米带中非常普遍和非常重要的一类缺陷.在有些情况下,面缺陷对于高表面能指数面的出现起着决定性的作用, 同时,它们可以诱导纳米带沿着特殊的方向生长.面缺陷可以是孪晶或双晶,层错和由杂质原子聚集在特定原子面所形成的间隙原子层.在本文中,利用透射电子显微术,我们将介绍氧化锌纳米带中被发现的几种面缺陷.我们确认了两种孪晶/双晶结构,它们的孪晶面分别是(0113)和(2112)面.基面层错有I1 和I2两种.在大尺寸的纳米带中,I1基面层错可以折叠到(2110)面形成棱面层错.当少量的In离子掺入氧化锌纳米带后,我们发现伴随着杂质In在基面的聚集,形成了两种倒反畴界.     

GaAs光导开关锁定模式阈值条件

采用脉冲测试电路,测试了半绝缘GaAs光导开关(PCSS)在锁定工作模式下的偏置电场及触发光能阈值.测试结果表明,在一定光能范围内,电场阈值随光能阈值的增大类似于指数关系减小;激励光能在数10μJ下,半绝缘光导开关偏置电场阈值为9 kV/cm.当激励光脉冲能量大于0.78mJ时,光导开关在不同偏压下都不能工作于锁定工作...     

An型扭双指标代数

给出了F (Δ)-有限的A_n型偏序集的扭双指标代数的完全分类     

二维全同Nb4团簇在Cu(100)表面的结构稳定性和电子性质

使用基于密度泛函理论的第一性原理赝势法和超原胞模型，研究了吸附在Cu(100)表面上的二维有序排列的幻数团簇Nb₄的结构稳定性及其电子结构性质.计算表明，四面体结构和平面的菱形结构的Nb₄团簇都可以稳定地吸附在Cu(100)表面上，这个体系很可能有重要的应用前景.在Cu(100)表面上，菱形结构的Nb₄比四面体结构的Nb₄更稳定，从Nb₄团簇的四面体结构到菱形结构，需经过的势垒高度约为0.94eV/团蔟.电子结构的计算表明，在Nb₄吸附后，Cu(100)表面与Nb₄团簇间有明显的电荷重新分布，表面Cu原子的电子态密度也明显改变. 关键词： 4团簇')" href="#">Nb₄团簇 有序排列 结构稳定性 从头计算     

Generalized Dirichlet Normal Ordering in Open Bosonic Strings

Generally, open string boundary conditions play a nontrivial role in string theory. For example, in the presence of an antisymmetric tensor background field, they will lead the spacetime coordinates noncommutative. In this paper, we mainly discuss how to build up a generalized Dirichlet normal ordered product of open bosonic string embedding operators that satisfies both the equations of motion and the generalized Dirichlet boundary conditions at the quantum level in the presence of an antisymmetric background field, as the generalized Neumann case has already been discussed in the literature. Further, we also give a brief check of the consistency of the theory under the newly introduced normal ordering.     

无序GaInP光致发光谱的温度依赖关系

研究了无序ＧａＩｎＰ样品的温度依赖关系，大低温ＰＬ谱中，谱线呈单峰结构。随着温度从１５Ｋ升高到２５０Ｋ，说地宽从１６ｍｅＶ增大到３１ｍｅＶ，并且发生红移，同时强度减小两个数数量级。