一维CO2光学晶格中的光子带隙

本文研究了囚禁^85Rb原子的一维CO2光学晶格的光子带隙。由于大失谐CO2聚焦光束（λ=10．6μm）远离Rb原子的共振频率，原子与晶格光场的自恰作用可忽略，Rb原子被囚禁在周期为d=λ／2=5．3μm的周期性格点上，且单个格点上囚禁的原子数目可以达到10^3，整个晶格形成具有空间周期性调制的介电多层膜系。类似于光子晶体，其光学响应将在晶格频率与共振频率之间产生光子带隙。另一方面，     

磁场下含结构缺陷多组分超晶格中的局域电子态和电子输运

在有效质量近似理论下，利用转移矩阵和有效垒高方法研究了有限磁场下含结构缺陷的多组分超晶格中局域电子态的性质.在考虑各组分层有效质量的失配时，外加磁场会导致磁耦合效应的出现.磁耦合效应不仅引起局域电子能级的量子化，并且随着朗道指数或磁场强弱的变化，局域能级及其局域程度都会发生显著移动，特别是对高能区域的局域电子态影响更大.此外，还计算了电子输运系数，讨论了含结构缺陷的三组分超晶格中局域电子能级与输运谱透射禁区中的共振透射峰的关系，发现两者之间有着很好的对应关系，为相应的实验研究提供了依据. 关键词： 超晶格 局域电子态 磁场     

高压下某些导电高分子色散关系的研究

利用晶格动力学方法,研究在高压下几种导电高分子具有不同晶格链时的色散关系及其曲线的变化.链间耦合作用的减弱使横波与纵波的ω差值相应增大,且在BZ边界处拉开一个间隙,这是维度作用的结果.     

半导体与超晶格的数学模型及其分析Ⅰ:模型

本文论及半导体与超晶格的数学模型方法的一些新近发展动态。介绍了半导体与超晶格的一些背景材料并给出了半导体宏观模型间的层次框架。超晶格中载流子传输的SHE扩散模型也被观察。     

钻石型等级晶格上Gauss模型的临界性质

在Gauss模型中 ,假设Gauss分布常数依赖于晶格格点的配位数 ,并且满足关系bqi/bqj=qi/ qj( qi是格点i的配位数 ,bqi是格点i上的Gauss分布常数 ) .利用重整化群变换和自旋重标相结合的方法 ,研究了一族钻石型等级晶格上Gauss模型的临界行为 .结果发现 :这些晶格的铁磁相变性质属于同一普适类 ,其临界点和临界指数分别为K =b_qi/ q_i 和ν=1 / 2 .     

硫化锌掺钴对电子结构和光学性质的影响

根据密度泛函理论对钴掺硫化锌周围的品格进行了结构优化,计算得到了钴杂质周围的晶体结构、电子态密度分布和吸收光谱.计算结果表明,由于Co原子掺入ZnS晶格常数减小,导致晶格畸变;带隙变窄;吸收峰展宽至更长波长区域.     

用二维复式晶格有限集团模型计算聚乙炔的电子结构

以二维复式晶格作为有限系统的集团模型,在紧束缚近似下,计算了π电子在最近邻及次近邻跳跃集团的态密度.讨论了不同结构参数对态密度及带宽的影响.     

空心材料导热性能预测研究

本文建立了一种预测空心材料导热性的方法。研究了空习材料的导热性。用柱形空心材料分析了体分比和孔洞的排列方式对整体材料导热性的影响，用圆柱形，方柱形空心材料和含裂纹材料，分析了空心形状对材料导热性的影响。同他人的实验结果和某些现有的理论模型比较表明，本文方法是有效的。本文的结果很好地解释实验结果。     

Ge_x Si_(1-x)/Si超晶格中纵声学声子的喇曼散射强度研究

本文用光弹理论,在全面考虑了超晶格中两种材料的声速,质量密度和光弹常数存在差别的基础上,计算了Ge_xSi_(1-x)/Si超晶格中折迭纵声学声子的喇曼散射强度,在高达50cm~(-1)的频率范围内,理论值和实验符合得很好。