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141.
Design of Two-Dimensional Photonic Crystal Edge Emitting Laser for Photonic Integrated Circuits
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An edge emitting laser based on two-dimensional photonic crystal slabs is proposed. The device consists of a square lattice microcavity, which is composed of two structures with the same period but different radius of air-holes, and a waveguide. In the cavity, laser resonance in the inner structure benefits from not only the anomalous dispersion characteristic of the first band-edge at the M point in the first Brillouin-zone but also zero photon states in the outer structure. A line defect waveguide is introduced in the outer structure for extracting photons from the inner cavity. Three-dimensional finite-difference time-domain simulations apparently show the in-plane laser output from the waveguide. The microcavity has an effective mode volume of about 3.2(λ/nslab)^3 for oscillation mode and the quality factor of the device including line defect waveguide is estimated to be as high as 1300. 相似文献
142.
143.
热效应对光折变晶体两波耦合的特性影响的理论分析 总被引:3,自引:1,他引:2
用一种模型对两波耦合进行了分析,导出了强度相位的解析式,对影响两波耦合的参数进行了理论分析。分析了对BaTiO3光折变晶体的两波耦合的测量结果。 相似文献
144.
双折射双频激光器偏振特性的分析 总被引:6,自引:1,他引:5
用激光原理和晶体光学原理分析了腔内加旋光晶体的激光器输出光的偏振特性,实验和分析表明,激光器输出两束不同频率的垂直线偏振光,激光器两端输出光的偏振面有一夹角a,且此夹角与晶轴和传光方向的夹角θ有关。理论计算结果在双折射双频激光器的实验结果符合很好。 相似文献
145.
146.
荧光XAFS研究Si晶体中等电子,缺电子和富电子杂质原子的区域环境结构。结果表明杂质原子的电子构型决定了杂质原子对Si区域晶格形变的影响。相对于共价键长RSi-Si(0.240nm)来说,富电子杂质As导致Si晶格在Si(111)方向的RAs-Si键长产生0.004nm的反应增长,等电子杂质Ge的R-Gre-Si和缺电子杂质Ga和RGa-Si键长收缩0.002nm。 相似文献
147.
当离子蒸气冷凝形成团簇时,其结构表现出特定的规律。文中对不同大小不同形状的氯化钠团簇结构与结合能进行了计算,以求揭示离子蒸气冷凝形成团簇的一些规律,并与实验结果进行对照。 相似文献
149.
用自由生长系统研究了三硼酸锂LiB_3O_5(LBO)晶体的实际生长形态。实验表明,它的各晶面簇的重要性的顺序为:{110}>{011}>{201}>{111}。讨论了LBO晶体的生长习性与内部结构之间的关系并应用负离子配位多面体理论模型解释了LBO晶体的生长形态。 相似文献
150.