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121.
为了研究宇称-时间对称(parity-time)对称,简称PT对称, Scarff复合势中基态孤子的传输特性,采用了有限差分法数值求解了PT对称Scarff复合势中的线性情况,自聚焦和自散焦非线性情形。数值得到了线性情况下不同势深度中的PT对称破坏点、特征值和特征函数。也得到了非线性情况下自聚焦与自散焦介质中的基态孤子的传输特性。研究结果表明:基态线性模的本征值恰好等于相同调制深度的基态孤子存在时的临界传播常数,基态孤子能稳定存在于整个自散焦煤质和自聚焦煤质中的低能区域。PT对称Scarff复合势的这些特性在光开关领域有一定的应用前景。 相似文献
122.
介绍一种由太阳能集热子系统(SES)、喷射子系统(ES)、机械压缩子系统(CRS)组成的热电互补高效空调系统(HEACS)。充分利用两种能源及各制冷方法的优点,通过能源特性匹配和制冷方法互补的途径,改善压缩式子系统的工作条件,提高复合制冷系统性能的同时节约高品位电能。通过实验分析太阳能集热子系统及喷射子系统的工作特性,并选取工作工况,为其应用于复合式系统提供研究基础及依据,进而测试热电互补高效空调系统性能。实验结果显示:与相同工作条件下的单压缩制冷循环相比,喷射/压缩复合式制冷循环运行工况的性能系数提升约30%,节电优势显著。 相似文献
123.
124.
狭义相对论中由"光速不变"而产生了三个常见的相对论效应:时间膨胀、长度收缩和同时的相对性.实际上,光速不变原理所导致的效应不止这些,下面就介绍三个很有意思的相对论效应:前灯效应(headlight effect)、光行差效应(aberration effect)和角压缩效应(angular compresson effect). 相似文献
125.
126.
Growth of Semi-Insulating GaN Using N2 as Nucleation Layer Carrier Gas Combining with an Optimized Annealing Time 下载免费PDF全文
Semi-insulating (SI) GaN is grown using N2 as the nucleation layer (NL) carrier gas combined with an optimized annealing time by metalorganic chemical vapour deposition. Influence of using 1-12 and N2 as the NL carrier gas is investigated in our experiment. It is found that the sheet resistance of unintentionally doped GaN can be increased from 10^4 Ω/sq to 10^10 Ω/sq by changing the NL carrier gas from 1-12 to N2 while keeping the other growth parameters to be constant, however crystal quality and roughness of the tilm are degraded unambiguously. This situation can be improved by optimizing the NL annealing time. The high resistance of GaN grown on NL using N2 as the carrier gas is due to higher density of threading dislocations caused by the higher density of nucleation islands and small statistic diameter grain compared to the one using 1-12 as carrier gas. Annealing the NL for an optimized annealing time can decrease the density of threading dislocation and improve the tilm roughness and interface of AlGaN/GaN without degrading the sheet resistance of as-grown GaN signiticantly. High-quality SI GaN is grown after optimizing the annealing time, and AlGaN/GaN high electron mobility transistors are also prepared. 相似文献
127.
We report the long time dynamical behaviour of ac Stark effect in a simple quantum model in which two level atoms interact with quantized coherent radiation field. A new phenomenon of periodic quantum collapse and revival of the ac Stark shift of energy level due to ac Stark effect is expressed accurately by analysing the phase of transition probability amplitude. The analytic prediction is confirmed by the numerical results. 相似文献
128.
129.
130.