首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   6716篇
  免费   2366篇
  国内免费   968篇
化学   2869篇
晶体学   110篇
力学   151篇
综合类   93篇
数学   48篇
物理学   6779篇
  2024年   65篇
  2023年   222篇
  2022年   252篇
  2021年   243篇
  2020年   191篇
  2019年   232篇
  2018年   176篇
  2017年   244篇
  2016年   242篇
  2015年   272篇
  2014年   475篇
  2013年   443篇
  2012年   486篇
  2011年   461篇
  2010年   435篇
  2009年   390篇
  2008年   415篇
  2007年   405篇
  2006年   420篇
  2005年   347篇
  2004年   404篇
  2003年   384篇
  2002年   356篇
  2001年   286篇
  2000年   285篇
  1999年   246篇
  1998年   246篇
  1997年   199篇
  1996年   230篇
  1995年   213篇
  1994年   178篇
  1993年   103篇
  1992年   132篇
  1991年   124篇
  1990年   104篇
  1989年   86篇
  1988年   19篇
  1987年   19篇
  1986年   11篇
  1985年   7篇
  1984年   1篇
  1983年   1篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 46 毫秒
71.
72.
用相对论性核-核碰撞的蒙特卡罗事件产生器──LUCIAE,分析了200AGeVpp、pS和SS碰撞中单奇异粒子产生的实验数据.结果表明:SS中心碰撞相对于pp或pS最小偏畸事件,似乎有更强的末态相互作用,更短的奇异粒子产生时间,和更大的奇异粒子对压低因子. 从pp到pS再到SS奇异增强的实验事实,似乎不必引入夸克-胶子等离子体就能得到解释.  相似文献   
73.
电感耦合等离子体发射光谱法测定磷酸中钙、镁、铁、铝   总被引:2,自引:0,他引:2  
本文叙述了用1CP-AES测定磷酸中的Ca、Mg、Fe、Al的原理,试样处理和测定方法,精密度试验相对误差分别是2.17、0.533、1.676、0.638%。回收率在95.58-105.49%之间。基体和元素间不互相干扰。  相似文献   
74.
75.
最近我们从法国引进了一台等离子体光量计。本文介绍了在该仪器上开发通讯功能的一种方法,在仪器内部手稿接口板,接上数据传输线,编制通讯软件并使其纳入到原系统软件模块中去,从而完成了异型机之间的PASCAL操作系统下的通讯功能的开发任务。  相似文献   
76.
铬铁矿属难熔矿种之一,经典分析方法在铂金坩埚内过氧化钠半熔,容量法测定铬、铁离子交换分离富集后,再用容量法或比色法测定其它元素,分离手续繁杂,耗费试剂多,周期长。等离子光谱(ICP)技术具有稳定性好、灵敏度高、线性范围宽、化学干扰少、多元素同时测定等优点,但由于仪器进样量和雾化效率受测定溶液含盐量的限制,试样前处理通常用酸分解,或碱熔后经沉淀分离除去大量可溶性盐类,用酸溶液沉淀,定容,待测。本文利用ICP上述优点对碱熔试样不经分离直接酸化,对高倍稀释试液测定铬铁矿中的主量元素进行了探讨。试验表明,此设想是可行的。本文还就试样的分解条件、酸度、元素间的光谱干扰作了研究,拟出了同时测定铬铁矿中铬、铁、镁、铝的分析方法。本法 质矿产部标准试样的结果与推荐值对照,符合要求。本法称取试样量少,试剂用量少,用银坩埚代替昂贵的铂坩埚,不经分离直接酸化后同时测定4种主量元素,大大简化了操作手续,为分析铬铁矿中主量元素的含量寻找了一条准、快、省的途径。  相似文献   
77.
HL—1装置等离子体密度反馈实验   总被引:1,自引:1,他引:0  
本文叙述HL-1装置用反馈脉冲补充送气方式控制等离子体密度的方法及实验结果。给出了在固有的物理实验条件下的最佳反馈方式,实现了对密度的有效控制及反馈。讨论了在不同密度条件下的几种反馈方式及反馈系统尚存在的不足之处。  相似文献   
78.
热辐射驱动烧蚀平面金靶的数值定标定律   总被引:2,自引:2,他引:0  
利用一维辐射流体力学编码数值研究了辐射烧蚀波在平面金靶中的传播情况,并在常温边界条件下得到了辐射流、烧蚀压、质量烧蚀率和特征等离子体密度的定标定律。  相似文献   
79.
80.
Polycrystalline silicon film was directly fabricated at 200℃ by the conventional plasma enhanced chemical vapour deposition method from SiCl4 with H2 dilution. The crystallization depends strongly on the deposition power.The maximum crystMlinity and the crystalline grain size are over 80% and 200—50Onm, respectively. The results of energy dispersive spectroscopy and infrared spectroscopy measurements demonstrate that the film is mostly composed of silicon, without impurities such as Cl, N, C and bonded H. It is suggested that the crystallization at such a low temperature originates from the effects of chlorine, i.e., in-situ chemical, etching, in-situ chemical cleaning, and the detachment of bonded H.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号