无配体参与钯催化烯烃与芳基三烷氧基硅烷的交叉偶联反应

考察了钯催化下一系列烯烃化合物与不同芳基三烷氧基硅烷的反应,发展了一种新型无配体参与的Heck类型反应方法.研究表明:以Pd(OAc)2为催化剂,在K2CO3,n-Bu4NF 3H2O和AgOAc存在下,该Heck类型反应能够得到中等及优良的偶联产率,并且表现出较高的区域选择性和立体选择性.根据实验结果以及相关文献,对该Heck类型偶联反应的可能机理进行了探讨.     

离子色谱法在城市和背景区域SO2监测中的应用

介绍用无动力采样技术采集样品、离子色谱法分析SO2污染物浓度的监测方法。国际实验室间分析结果的比对实验表明，离子色谱法具有快捷、准确及自动化程度较高等优点。该方法在城市和背景区域环境空气背景值研究，如SO2污染物迁移规律、空气质量预测预报模型验证及远距离传输等方面具有很大的实用价值。     

聚乙二醇类表面活性剂对硅表面无电沉积Ag膜光滑作用研究

应用原子力显微镜技术及开路电位～时间谱技术,研究了非离子表面活性剂聚乙二醇2000,6000,20000对硅(100)表面无电沉积银膜的光滑作用.实验表明硅(100)表面无电沉积银的光滑程度以及镀层的质量均随聚乙二醇聚合度的增加而变好.     

无藻满江红(Anabena-free Azolla)和满江红鱼腥藻(Anabaena azollae)重建共生体

切除满江红大孢子果顶端漏斗状膜和囊群盖,可彻底清除大孢子果内所含的鱼腥藻,并发育成无藻满江红。移植囊群盖于种内或种间去顶孢子果,成功地得到了重组的共生体。“新组合满江红”经扫描电子显微镜观察、固氮酶活性测定和体内鱼腥藻单克隆抗体鉴定,得以证实。其重建机率为10％。接种人工培养的鱼腥藻于无藻满江红上,发现有不完全共生现象存在。本文对萍藻交换的条件及其在满江红研究和应用前景,做了简要的讨论。     

水稻雄性不育系C1001中发现无融合生殖株系的细胞学和胚胎学研究

对水稻雄性不育系C1001的生殖方式进行的细胞学和胚胎学研究表明,在水稻雄性不育系C1001的部分株系中,其生殖方式出现了几种类型的无融合生殖,在完全隔离的条件下,在胚珠内观察到有两条胚的可能发生途径,其一,胚来自胚珠体细胞(因尚未追溯其来源,暂定为胚来自胚珠体细胞),然后挤向胚囊继续发育成成熟胚;其二,胚来自未授精的卵细胞或助细胞,以孤雌或单性生殖的方式发育成胚,不形成真正的胚乳,此外反足细胞发生位移,细胞质变稀薄,液泡化,并进行有丝分裂,形成多细胞结构,讨论了水稻C1001中发生的无融合生殖方式和意义。     

豚草聚合酶链反应产物的高效毛细管电泳检测

利用PE270A－HT型高效毛细管电泳仪,采用无胶筛分电泳,以羟丙基甲基纤维素（HPMC）为筛分介质,对三裂叶豚草（Ambrosia trifida L.)的聚合酶链反应（PCR）产物进行了分离分析,显示了高效、快速、无污染的毛细管电泳技术在植物DNA片段多态性分析方面的巨大的潜力。     

高透量 PdAu/陶瓷复合膜的表征与性能评测

 采用化学镀方法在非对称氧化铝管状载体上制备出高性能 PdAu 合金膜. 采用阶段性热处理方法通过 X 射线衍射技术监测 PdAu 膜层合金化进程, 发现在 823 K 下 H2 气氛中厚度为 2 μm, Au 含量为 17.37% 的 PdAu 双金属膜层需要 200 h 达到完全合金化; N2/H2 气氛对 PdAu 合金化速率无显著影响, 但 N2 气氛中合金化后的 PdAu 合金膜表面粒子烧结更为严重. 在 623~823 K 下, 与未进行化学镀 Au 时的纯 Pd 膜相比, PdAu 合金膜的 H2 渗透速率平均增加 1.68 倍, 透氢活化能 (Ea) 降低 38.51%; 当温度低于 573 K 时, PdAu 合金膜的 Ea 由高温时的 8.83 kJ/mol 增加到 15.75 kJ/mol, 此时 PdAu 合金膜的 H2 渗透控速步骤由体相扩散为主的 H2 传质步骤过渡到由表面扩散为主的传质步骤. 通过扫描电镜和能谱联用仪对 PdAu 合金膜的膜厚度和截面组成进行了表征. 关键词     

脱氧核糖核酸的毛细管无胶筛分电泳迁移规律研究

本文研究了不同因素对脱氧核糖核酸(DNA)毛细管电泳迁移行为的影响.采用毛细管无胶筛分电泳法,对不同片段长度DNA进行分离检测,考察DNA片度长度、电场强度、聚合物浓度及分子量等因素对DNA迁移行为的影响.实验结果显示,DNA迁移时间随其长度的增加而延长;电场强度越高,DNA迁移时间越短,分离效果变差;DNA在高浓度聚...     

基于贝叶斯参数优化的无模型自适应硅单晶直径控制

直拉硅单晶的生长过程涉及多场多相耦合与复杂的物理化学变化,其中工艺参数的波动是导致晶体直径不均匀的重要原因,如何实现工艺参数的控制以获得理想的、均匀的晶体直径具有重要的研究意义。本文分析现有控制方法存在不稳定以及控制效果不佳的问题后,提出基于贝叶斯参数优化的无模型自适应控制模型来控制硅单晶生长过程中的晶体直径。首先以坩埚上升速度与加热器的功率作为控制输入参数,晶体直径作为输出,搭建无模型自适应控制模型,并分析算法的稳定性。其次将控制模型进行仿真实验,发现硅单晶直径控制模型中不同的超参数设定会影响控制过程的迭代次数以及控制效果。最后,利用贝叶斯优化超参数的取值范围,并进行最终的仿真实验,结果表明,经贝叶斯参数优化后的控制模型计算快、迭代次数少,输出的晶体直径稳定,同时将生长工艺参数控制在实际生产要求范围内。因此,基于贝叶斯参数优化的无模型自适应控制实现了硅单晶直径均匀稳定的有效控制,具有结合工程背景的实际应用前景。     

势问题的重构核粒子边界无单元法

将重构核粒子法和势问题的边界积分方程方法结合,提出了势问题的重构核粒子边界无单元法. 推导了势问题的重构核粒子边界无单元法的公式,研究其数值积分方案,建立了重构核粒子边界无单元法的离散化边界积分方程,并推导了重构核粒子边界无单元法的内点位势的积分公式. 重构核粒子法形成的形函数具有重构核函数的光滑性,且能再现多项式在插值点的精确值,所以该方法具有更高的精度. 最后给出了数值算例,验证了所提方法的有效性和正确性. }