关于滑动连接机构的加速度分析

文献[1]研究了平面接触机构的两构件作无相对滑动的滚动的运动分析.本文则研究两构件在接触处有相对滑动时的加速度分析.     

基于电子转移/高能碰撞解离质谱碎裂的O-GlcNAc糖基化位点定量分析方法在高脂喂养小鼠肝脏糖蛋白质组分析中的应用

O-连接N-乙酰葡糖胺翻译后修饰(O-GlcNAc)是发生在蛋白质丝氨酸或者苏氨酸位点上的单糖修饰,由于其具有化学计量数少、在质谱鉴定中离子化效率低以及无特定的氨基酸序列等特点,使O-GlcNAc翻译后修饰位点的定性和定量分析难度较大。本研究结合基于凝集素弱亲和色谱的O-GlcNAc修饰糖肽富集方法、本研究组发展的准等重六重标记定量方法和电子转移/高能碰撞解离(EThcD)模式的高分辨质谱技术,发展了一种O-GlcNAc修饰位点的高通量定量分析方法,对高脂喂养小鼠肝脏中蛋白质O-GlcNAc修饰位点进行规模化定量分析。共定量分析了783个O-GlcNAc位点,其中122个位点的表达量存在明显差异,对应于85个O-GlcNAc蛋白,并初步探讨了脂代谢过程中O-GlcNAc修饰的作用。本研究有望为肥胖和胆固醇酯沉积等营养代谢相关疾病提供新的治疗思路。     

含剪力销(锥)螺栓法兰连接结构非线性特性

连接结构广泛应用于航空航天、化工装备和核电站等大型工业装备中。对于轴弯剪组合作用下的连接结构,需要螺栓、法兰和剪力销的联合工作以抵抗外力。本文针对含剪力销(锥)的螺栓法兰连接结构的动力学问题开展研究,将该类结构抽象为三自由度的质量-双线性弹簧系统,建立非线性动力学模型的数学列式,并进行数值求解。重点研究该系统在横向冲击(剪力)下的动力学特性。通过理论分析与数值计算,指出该非线性系统存在3个方向自由度全耦合的振动现象,并阐述该系统自由度的解耦条件;对纵向振动与横向错动的耦合振动频率关系进行讨论并分析其相互联系;研究剪力销倾角对螺栓最大轴向拉力的影响规律并给出关系曲线,指出其最佳设计角度区间。     

用于WDM光网络的一种低串扰无损耗光开关矩阵

提出了一种低串扰无损耗的光开关矩阵.该结构是在扩展Benes（DB）结构的基础上通过改进得到的称为改进的扩展Benes（IDB）结构,并通过进一步的改进得到各级改进的扩展Benes（GIDB）结构.理论分析了IDB结构和GIDB结构中串扰产生的机理和对信号的影响,比较了几种结构的信噪比和光交换容量之间的关系.发现随着光交换规模的扩大,GIDB结构相对于DB结构信噪比明显提高.实验研究了4×4的IDB、GIDB结构中串扰引起的误码率降低以及眼图的恶化情况.结果表明GIDB结构能有效减少串扰的影响.     

一种标记物中的蛋白质测定

随着生物医学研究的迅速发展，在其相应的研究领域中也出现了许多新技术，蛋白质连接技术即是其一。本实验以自行合成时间分辨荧光免疫分析[TRFIA]双功能螯合剂4，7-二氯磺酰基苯基-1，10-菲绕啰啉-2，9-二羧酸（BCPDA）进行蛋白质连接技术研究，发现BCPDA在280nm处有比蛋白质更强的吸收，严重干扰了蛋白质测定。结合BCPDA标记牛血清白蛋白（BSA）实验，采用考马斯亮蓝染色建立了测定蛋白质方法。     

光交叉连接节点的功能结构

光交叉连接(OXC)是未来波分复用光传送网实现交换与选路功能的核心部件.目前,OXC节点的物理结构得到深入研究,已经提出了一些采用不同光子器件的OXC实现方案.本文从描述光交叉连接功能的角度出发,给出一种分析OXC节点功能结构的模型,并比较各种OXC方案在功能结构上的差异。     

Vertical and Smooth, etching of InP by Cl2／CH4／Ar Inductively Coupled Plasma at Room Temperature

We study the room-temperature dry, etching of InP by inductively coupled plasma (ICP) using C12/CH4/Ar mixtures. Etches were characterized in terms of anisotropy and surface roughness by scanning electron microscopy and atomic force microscopy, respectively. It is found that the flow ratio between C12 and Ctt4, ICP power, rf chuck power, and table temperature can greatly influence the, etching results. By adjusting, etching parameters,vertical sidewall and smooth surface can be obtained simultaneously, together with a moderate, etch rate and a good select ratio. The root-mean-square surface roughness is measured to be as low as 0.27nm. To the best of our knowledge, this is the best result for InP to date. The, etch rate is 855nm/min, and the selectivity ratio overSi02 is estimated to be higher than 15:1. The stoichiometry of the, etched surface has also been investigated by Auger electron spectroscopy. The, etched surface is found to manifest a slight P deficiency, and the ratio between P and In reaches the stoichiometric value within about 0.75nm depth into the surface.     

单一元件交流电路相位差的定性分析

电容、电感、电阻是三个基本电路元件．它们各自和正弦交流电源连接，分别构成纯电容、纯电感、纯电阻交流电路．它们都是理想的电路模型．纯电容电路中电压uc滞后电流icπ/2，纯电感电路中电压uL超前电流iLπ/2，     

硅压阻式力敏传感器在测量物体密度实验中的应用

固体和液体的密度测量是物理实验的一个基本课题,具有丰富的物理思想和训练内容.传统的测量方法是用普通物理天平,采用流体静力称衡法和比重瓶法.