光热敏折变玻璃及其布拉格体光栅特性研究

采用高温二次化料的方法制备了一种SiO2-Al2O3-ZnO-Na2O(F、Br)玻璃体系的光热敏折变(PTR)玻璃,通过紫外曝光、透射率光谱、X射线衍射(XRD)和差热分析等方法研究了其光热敏析晶机理。研究表明,PTR玻璃的光敏区为280～350nm,工作区为400～2700nm,最佳成核温度和析晶温度分别为490℃和595℃,析晶组分为NaF晶体。采用双光束干涉方法与"两步法"的热处理工艺在PTR玻璃中制备了周期为1000mm-1的布拉格体光栅,光栅的相对衍射效率达到91%,并验证了制备的布拉格体光栅具有角选择滤波能力。     

多模玻色二次多项式型系统的特性函数和准概率分布函数

运用多模玻色系统广义线性量子变换的普遍理论，对多模玻色二次多项式型系统进行了研究.给出了多模玻色二次多项式型系统的正规、反正规、Wigner特性函数、P表示和Q表示.举例讨论了该系统的压缩性质. 关键词： 多模玻色二次多项式型系统 特性函数 准概率分布函数     

O2／CO2气氛下添加剂对澳煤燃烧特性的影响

本文利用热重差热综合分析仪（TG—DTA）,在O2／N2及O2／CO2气氛下,研究了添加剂在不同氧浓度时对澳煤燃烧特性的影响;同时利用X-射线衍射仪分析了添加剂的物相组成。结果表明：此添加剂为典型的碱土／碱金属氧化物添加剂;在氧摩尔体积浓度为20％时,加入添加剂后澳煤在O2／CO2气氛下的燃烧特性优于O2／N2气氛;在...     

PS_(3000)-b-PAA_(5000)球形胶束温度效应的原位小角X射线散射技术研究

应用小角X射线散射技术(SAXS)对两亲嵌段共聚物聚苯乙烯聚丙烯酸(PS-b-PAA)胶束形貌的温度影响进行了原位表征.SAXS结果表明:随着水含量的增加,粒子尺寸相应增加;对于水含量10%的PS_(3000)-b-PAA_(5000)胶束溶液,发现了明显的SAXS双峰现象;双峰的位置不随着温度的变化而改变,但是peak 1和peak 2的相对强度随着温度发生了减弱和增强的交错变化;相邻的SAXS双峰说明在PS_(3000)-b-PAA_(5000)胶束溶液中最初形成的粒子尺寸并不是均匀的,主要分为尺寸极其相近的两种球形粒子;随着温度的升高,粒径大小不同的两种粒子存在着一种消融和生长的过程,并且保持着一个相同的归一化动态平衡速率.     

The closed-orbit and the photoabsorption spectra of lithium atom in varying＇magnetic fields

Using a simple analytic formula from closed orbit theory, we have calculated the photoabsorption spectra of Li atom in different magnetic fields. Closed orbits in the corresponding classical system have also been obtained for B=5.96T.We demonstrate schematically that the closed orbits disappear gradually with the decrease of the magnitude of the magnetic field. This gives us a good method to control the closed orbits in the corresponding system by changing the magnetic field, and thus changing the peaks in the photoabaorption spectra. By comparing the photoabsorption spectra of Li atom with those of hydrogen case, we find the core-scattered effects play an important role in multi-electron Rydberg atoms.     

混合工质变浓度空调系统动态特性的模拟

本文在分析混合工质变浓度空调系统的传热传质和参数间的相互耦合关系的基础上,以实际流体的质量、动量和能量守恒方程为基础,结合系统各部件的特点,分别建立了各部件的数学模型,并实现了对系统动态特性的模拟计算和分析。     

从电子上看康普顿效应

在康普顿效应中，散射光子与入射光子的频率不同，但在电子静止的参考系，可以证明光子的频率在碰撞前后相同。     

受均布速度作用的有限板面导纳研究

针对接触面积上典型的激励形式,均布速度激励,推导有限薄板上面导纳的理论计算方法。在推导过程中,将接触面积离散为较小的子面积,连续分布的激励和响应简化为作用在子面积中心的激励和响应,再利用有效点导纳的定义,获得有限薄板受均布速度激励的面导纳的理论计算公式;根据接触面积上复功率与面导纳的关系,推导出由传递点导纳获得有限板面导纳的测量方法。通过比较理论计算结果和实验测量结果,证明两种方法可行。对计算结果进行的分析还表明,子面积数的增加可以提高理论计算的精度,而测量精度在激励频率较高时受测量装置产生的弯矩影响较大。     

《光散射学报》征稿简则

<正>《光散射学报》是中国物理学会光散射专业委员会、四川省物理学会和四川大学联合主办的专业性学术刊物,宗旨是交流光散射(拉曼散射、布里渊散射、瑞利散射)、光物理、光化学、光生物等学科在理论、实验、实验技术和仪器方面的研究成果,以及它们在物理、化学、材料科学、生物学、地矿学、石油化工、医药学等方面的应用成果,为科学发展和技术进步提供讨论、交流场所。1.开设栏目     

Effects of Annealing on Schottky Characteristics in A1GaN/GaN HEMT with Transparent Gate Electrode

A1GaN/GaN heterostructure transistors are promising for power and switching applications. In addition, the transparent wide band-gap A1GaN/GaN heterostructure systems have received considerable attention to transparent electronics. Nowdays, Al-doped ZnO （AZO） thin film plays an increas- ingly important role in various fields of transparent electronics.The AZO-gated A1GaN/GaN HEMT with good dc characteristics and frequency character- istics has been reported. Annealing is widely used to improve the electri- cal characteristics of A1GaN/GaN HEMTs. It is re- ported that the Schottky leakage current can be re- duced by over four orders of magnitude by annealing in an A1GaN/GaN heterostructure with ITO/Ni/Au electrode. Pei et al. reported that the transparency of Ni/ITO gates of A1GaN/GaN HEMTs has been sig- nificantly improved after annealing. However, the evaluation of Schottky C V characteristics was ab- sent. Up to now, few results are reported on the Schot- tky annealing characteristics of AZO in A1GaN/GaN HEMT. Thus the effects of annealing on the leakage current, transparency and interface states character- istics need further study.