乙炔分子的低能电子弹性散射研究

本文采用R矩阵方法研究低能电子与乙炔分子的弹性散射截面及其动力学过程.研究采用静态交换势模型(SE)和静态交换加极化势模型(SEP)两种方法.结果显示当前SEP模型预测的弹性散射截面与已有的实验值和理论结果符合的很好.SE模型预测了一个位于4.75 eV,宽度为3.0 eV的π形状共振态.该共振态在SEP模型中的位置降低为2.65 eV,宽度为1.5 eV.它来自B_(2g)和B_(3g)对称性贡献,理论预测共振态位置与实验值符合的很好.我们讨论了考虑不同的虚轨道对共振态的影响,说明预测精确的共振态的位置需要准确的处理极化效应.基于SEP模型得到的K矩阵元,我们使用POLYDCS代码计算的散射微分截面(DCS),和实验值符合的较好.除此之外,我们还报道了2 eV时转动分辨的态-态微分截面.     

He原子和BH分子碰撞体系的转动激发能量转移

在碰撞体系He+BH的CCSD(T)二维势能面基础上,应用密耦方法,研究了 He+BH分子碰撞转动激发过程.计算了该体系的转动态-态激发的弹性和非弹性的微分和积分截面,分析了计算结果与势能面特征间的关系.结果表明: He原子以从H原子端共线形式碰撞BH分子对j=0→j'=2的激发最为有效;短程排斥对Δj=2的激发作用较大;态-态跃迁总截面出现振荡结构,长程部分分波只对j=0→j'=1的跃迁总截面有较大贡献,j'≥ 关键词： He+BH体系 转动激发 散射截面     

电子与钠原子散射极化参数的计算

采用扭曲波方法对电子与钠原子非弹性散射截面，及与散射过程有关的极化参数进行了计算，将所得结果与实验值和CCC方法所得结果进行了比较.可以看出在中高能(5—10倍阈能)领域，扭曲波法是一种模型清晰、结果可靠的方法. 关键词：     

在有机蛋白质分子系统中由Pang's孤立子引起的Raman散射的特征

本文从理论上研究了在有机蛋白质分子中由结构畸变和局域涨落引起的 Pang's 孤立子产生的 Raman 散射的特性;给出了这种散射的微分散射截面;得到了一些有意义的结果。     

角反射体RCS微波暗室测量及分析

角反射体雷达散射截面(RCS)的测量是雷达目标识别、成像等研究领域的一个关键环节;在对目标RCS测量原理分析的基础上,介绍了一个在微波暗室中基于紧缩场和矢量网络分析仪测量目标RCS的测量系统;利用该系统对角反射体垂直姿态和45°姿态的RCS进行了360度转角扫频的测量,结果与FEKO软件仿真计算的结果对比表明,两种方法得到的数据走势基本一致。     

大型强子对撞机中顶夸克对的产生

通过分析质心能量为8 TeV的质子-质子对撞实验,对大型强子对撞机上的ATLAS探测器,测量了顶夸克对产生过程pp→tt     

K~ -核散射研究进展

本文简要回顾了K 核散射实验和理论方面近几年的研究进展。我们通过把介质中的K 核子相互作用与介质中的夸克凝聚联系起来 ,计算了K 核相互作用的非传统机制的贡献。结果表明核密度相关的介质内夸克凝聚可以解释K 核散射中的非传统介质效应。     

等离子体用于腔体的雷达散射截面减缩的实验研究

利用荧光灯等离子体管覆盖金属腔体内壁,测量了筒状等离子体覆盖的金属腔体对电磁波的回波衰减。测试结果表明:金属圆筒内壁的等离子体能够有效吸收0.80~1.75 GHz波段的入射波,入射电磁波的回波衰减值为5~25 dB;当入射电磁波频率接近1.75 GHz时,回波衰减最为强烈,在入射角度为10°时,吸收峰值可达26.71 dB,因此选择合适的电磁波入射角度,能够使等离子体对微波的吸收达到峰值。理论分析了影响等离子体对电磁波衰减的主要因素。结果表明：等离子体可有效缩减腔体结构的雷达散射截面面积,因此在进气道等腔体结构的隐身方面具有一定的应用前景。     

脉冲激光入射下介质薄膜双频互相关散射截面及功率展宽

结合特殊的镀金聚酯薄膜表面的粗糙度和半球反射率,依据基尔霍夫近似及粗糙面脉冲散射互相关函数,数值计算了脉冲激光（1.06 μm）在不同入射角照射下该材料薄膜双频互相关散射截面随相干带宽频差和散射角的变化情况。并给出δ脉冲和高斯脉冲波入射下,其散射功率随时间和散射角的波形分布。计算结果表明：该薄膜材料激光双频互相关散射截面在镜反射方向有最大的散射峰值,在非镜反射方向上,其散射值随相干带宽频差的增大迅速减小,当窄脉冲垂直入射时,粗糙面散射功率展宽现象明显。     

二氧化钒纳米点阵红外光学特性研究

针对二氧化钒纳米点阵从半导体到金属的可逆相变,考虑到点阵中各个点之间散射光的交互作用,基于VO2在不同温度和波长下的折射率和消光系数,以及小颗粒的吸收和散射特性,建立了VO2纳米颗粒的数学模型,研究了VO2纳米颗粒的相变光学特性.结果表明,随着波长变化,吸收截面相对散射截面占主导,金属相在980nm附近出现吸收峰值;随着温度变化,可见光区域的消光系数变化较小,而红外区域较大,其中在近红外区域的消光系数变化最大.在纳米点阵中,消光截面随着颗粒间距变化,当颗粒间距增大时,消光峰值出现红移,且峰值大小也会随之增大;当间距超过一定数值后,峰值反而会逐渐减小.采用多孔氧化铝掩模的方法,通过磁控反应溅射制备VO2纳米点阵,测试结果表明其透过率比薄膜的透过率高.