全文获取类型
收费全文 | 4353篇 |
免费 | 1435篇 |
国内免费 | 1159篇 |
专业分类
化学 | 884篇 |
晶体学 | 239篇 |
力学 | 679篇 |
综合类 | 139篇 |
数学 | 1348篇 |
物理学 | 3658篇 |
出版年
2024年 | 98篇 |
2023年 | 184篇 |
2022年 | 217篇 |
2021年 | 195篇 |
2020年 | 175篇 |
2019年 | 163篇 |
2018年 | 163篇 |
2017年 | 180篇 |
2016年 | 181篇 |
2015年 | 240篇 |
2014年 | 437篇 |
2013年 | 343篇 |
2012年 | 344篇 |
2011年 | 386篇 |
2010年 | 338篇 |
2009年 | 291篇 |
2008年 | 356篇 |
2007年 | 270篇 |
2006年 | 262篇 |
2005年 | 204篇 |
2004年 | 190篇 |
2003年 | 281篇 |
2002年 | 254篇 |
2001年 | 196篇 |
2000年 | 142篇 |
1999年 | 110篇 |
1998年 | 97篇 |
1997年 | 107篇 |
1996年 | 74篇 |
1995年 | 77篇 |
1994年 | 66篇 |
1993年 | 62篇 |
1992年 | 59篇 |
1991年 | 49篇 |
1990年 | 54篇 |
1989年 | 55篇 |
1988年 | 18篇 |
1987年 | 9篇 |
1986年 | 2篇 |
1985年 | 4篇 |
1984年 | 3篇 |
1983年 | 1篇 |
1982年 | 3篇 |
1980年 | 2篇 |
1979年 | 1篇 |
1959年 | 1篇 |
1951年 | 3篇 |
排序方式: 共有6947条查询结果,搜索用时 15 毫秒
91.
92.
93.
运用第一性原理计算方法研究了过渡族金属TM(TM=Ru、Rh、Pd)掺杂GaSb的电子结构和光学性质,结果表明:TM掺杂GaSb主要以TM替代Ga(TM @Ga)缺陷存在,并可增强GaSb半导体材料对红外光区光子的响应,使体系光学吸收谱的吸收边红移;TM@Ga所引入的杂质能级分布于零点费米能级附近,这极大地增强了体系的介电性能,促进了电子-空穴对的产生和迁移,因而提升了掺杂体系的光电转换效率;Ru 掺杂对GaSb光学性质的改善最为明显,当掺杂浓度为6.25%(原子数分数)且均匀掺杂时,Ru掺杂GaSb体系对红外光区光子的吸收幅度最大,有效提升了GaSb光电转换效率和光催化活性。 相似文献
94.
95.
基于MP2/6-311+G(d)水平, 分别对过渡金属Ti和碱金属Na与O2的反应机理进行了研究. 比较了Ti和Na分别以垂直O—O键和沿着O—O键的方向逼近O2, 以及中性体系Ti/Na+O2和带1个负电荷的体系(Ti/Na+O2)-的情况. 详细分析了不同反应路径的结合能和电荷变化的曲线, 预测了最佳反应方式. 结果表明, 垂直接近方式要比水平接近方式更具有优势; 体系带一个负电荷(Ti/Na+O2)-有利于金属与O2的结合. 同时, 计算结果表明在Ti+O2和(Ti+O2)-体系中Ti容易与单态的O2结合; 在中性体系中Na也容易与单态O2结合, 而在(Na+O2)-体系中Na与三态O2的结合更稳定. 在CCSD(T)/6-311++G(3df)//MP2/6-311+G(d)水平下, 计算了Ti+O2和(Ti+O2)-的反应势能面. 相似文献
96.
97.
采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势法对ZnO本征缺陷的几何结构、杂质形成能和电子结构进行了比较系统的研究。研究表明,OZn、Oi和VZn以受主的形式存在;ZnO和Zni以施主的形式存在。其中,Zni的形成能最小,因此Zni的存在正是未掺杂ZnO是n型半导体的原因。计算结果与其它研究者 相似文献
98.
99.
100.
近读《现代物理知识》2002年第5期中“力学原理与墨菲法则”一文(以下简称“原理”),颇感其中疑点甚多。苦思良久之后,作此文以抒己见。“原理”一文在阐述“面包片被碰出桌边掉下去时,几乎总是涂了黄油的一面着地”的力学原理时,把涂了黄油的面包片的下落过程简化为一薄片在真空中的自由下落过程。根据这个简化模型,“原理”一文作者列出方程,并对一个特例(面包片长0.1米,具有竖边的桌子高0.8米且初角速度为0)作了数值计算,结果似乎表明,任意薄片自水平状态从高为0.8米且带有竖边的桌子边滑下而落地时,总会翻转,即说明面包片在桌面上时若黄油面朝上. 相似文献