一种新的消色差等时性磁偏转系统

描述了一种新的消色差等时性磁偏转系统．它由二个反对称的预偏磁铁和一个主偏磁铁构成。根据六维传输矩阵导出了系统的消色差和等时性关系式．该系统具有优良的消色差性、等时性和良好的聚焦特性。这种结构紧凑的三磁铁偏转系统适用于自由电子激光器的束流传输。     

冷却储存环主环注入线二极磁铁测量

 介绍了兰州重离子加速器冷却储存环工程主环注入线二极磁铁的测磁系统和测磁结果。着重分析了垫补线圈和极头削斜两种手段对C型弯曲二极磁铁积分磁场径向分布均匀度的调节效果。并且分析了TOSCA三维磁场计算程序与实际测量结果之间的误差及其产生的原因。     

用多块蹄形磁铁模拟匀强磁场--对演示实验"磁场对电流的作用力"的几点改进意见

高中物理（人教版必修加选修）第二册第十五章第一节中图15—2的演示实验，磁场对电流的作用，是用通电直导线放人蹄形磁铁的磁场中受力的情况．笔者通过实验发现了几个问题．     

由透射波的摇摆曲线求GaAs中Ga的反常散射因数

利用同步辐射光，在对称Ｌａｕｅ情况下，于Ｇａ的Ｋ吸收限附近，测定了ＧａＡｓ（２００）的衍射波和透射波的摇摆曲线．通过测定的透射波的摇摆曲线和Ｘ射线衍射动力学理论的相应计算结果的定量比较，求得ＧａＡｓ中的Ｇａ原子在其Ｋ吸收限附近的反常散射因数 关键词：     

北京同步辐射装置十年回顾与十年展望(下)

 1.目前国际上同步辐射装置发展的态势.1968年世界上第一台用作同步辐射光源的贮存环美国Wisconsin大学的Tantalus（E=200Mey）投入运行,1970年第一台专用的同步辐射光源,日本东京大学的SOR-Ring问世.事隔20年后的今天,已有14个国家,43座装置正在建造或者已经投入运行.从光源的特性来说已经从第一代发展到了第三代.表3列举几台目前世界上运行或即将建成出束的同步辐射装置的一些性能,亚洲地区的南朝鲜正在建造能量为2.0GeV的第三代同步辐射装置PLS,台湾地区也正在建造能量为1.3GeV的第三代同步辐射装置SRRC.由此看出:70年代建成的同步辐射装置多数为兼用机,发射度较大（10²～10³nm-rad）可放置插入件的直线节较少.到80年代中期,建成的同步辐射装置多数为专用机,发射度较小（10～10²nm-rad）,可放置插入件的直线节较多.     

基于硅基微电子机械系统仿生振膜的光纤麦克风

仿蝇耳声传感器是一种对声压梯度敏感的指向性微型麦克风.本文设计制备了桥连耦合双翼形硅基微电子机械系统仿蝇耳振膜,利用该振膜制作了光纤Fabry-Pérot干涉式麦克风,并对这种麦克风的特性进行了理论与实验研究.仿真结果指出:这种仿生振膜具有摇摆和弯曲两种振动模态,单位声压下摇摆模态的振幅依赖于入射声波的频率与传播方向,频率越接近摇摆模态本征值,振幅越大;摇摆模态振幅随传播方向在三维空间的变化呈纺锤形分布,纺锤的长轴平行于振膜的长轴,意味着传播方向平行于振膜长轴时麦克风灵敏度最高.实验测得的光纤仿生麦克风的摇摆模态本征频率略小于仿真值,其输出信号振幅随声源水平方位角的变化呈“8”字形分布,在0°—60°方位角范围二者呈线性关系,由此得出麦克风的方向灵敏度为39.98 mV/(°).     

In-Situ Alignment of MnBi Crystals Induced by High Magnetic Field above Curie Temperature

Above Curie temperature, MnBi crystals are aligned in situ along the c-axis in a Bi matrix by a high fabrication magnetic field H f of 10 T. Magnetic testing shows a pronounced anisotropy in magnetization in directions normal and parallel to the fabrication field, resulting from the alignment. The successful alignment m v result from the fact that the easy magnetization direction is along the c-axis of MnBi and the high fabrication field of 10 T is large enough to rotate the ）MnBi crystal to this direction even though the temperature is above the Curie temperature.     

-1不同温度生长DKDP晶体的性质

用点籽晶快速生长法在不同温度区间生长了四块氘含量60% DKDP晶体,观察了不同温度下晶体生长过程,同时测量了晶体的透过光谱、摇摆曲线和1053 nm激光损伤阈值。结果表明,在高温区间晶体生长外形优于低温生长的晶体。不同温区晶体的透过光谱并无明显变化,但是随着生长温度的降低,晶体的结构完整性变差,1053 nm激光损伤阈值降低。