由透射波的摇摆曲线求GaAs中Ga的反常散射因数

利用同步辐射光，在对称Ｌａｕｅ情况下，于Ｇａ的Ｋ吸收限附近，测定了ＧａＡｓ（２００）的衍射波和透射波的摇摆曲线．通过测定的透射波的摇摆曲线和Ｘ射线衍射动力学理论的相应计算结果的定量比较，求得ＧａＡｓ中的Ｇａ原子在其Ｋ吸收限附近的反常散射因数 关键词：     

北京同步辐射装置十年回顾与十年展望(下)

 1.目前国际上同步辐射装置发展的态势.1968年世界上第一台用作同步辐射光源的贮存环美国Wisconsin大学的Tantalus（E=200Mey）投入运行,1970年第一台专用的同步辐射光源,日本东京大学的SOR-Ring问世.事隔20年后的今天,已有14个国家,43座装置正在建造或者已经投入运行.从光源的特性来说已经从第一代发展到了第三代.表3列举几台目前世界上运行或即将建成出束的同步辐射装置的一些性能,亚洲地区的南朝鲜正在建造能量为2.0GeV的第三代同步辐射装置PLS,台湾地区也正在建造能量为1.3GeV的第三代同步辐射装置SRRC.由此看出:70年代建成的同步辐射装置多数为兼用机,发射度较大（10²～10³nm-rad）可放置插入件的直线节较少.到80年代中期,建成的同步辐射装置多数为专用机,发射度较小（10～10²nm-rad）,可放置插入件的直线节较多.     

用于重离子加速器磁铁电源的数字调节器设计

 介绍了兰州重离子加速器冷却储存环上采用高级RISC微处理器(ARM)+现场可编程门阵列(FPGA)+DA/AD技术、状态空间方程方法实现对磁铁电源系统数字调节器的设计,它可以实现5阶及以下各阶的调节控制。运用ARM作为调节控制系统的核心处理器,完成系统的多线程任务处理。电源的精度调节通过FPGA和DA/AD相结合的技术来实现,通过千兆光纤接口实现外接数字信号处理器输入信号的直接传输。同时通过光电隔离器对叠加在输入/输出32 bit数字状态量的干扰脉冲进行抑制。经现场测试该调节器达到了加速器电源系统1×10^-4量级的精度要求,并减少了电源系统的故障恢复时间。     

基于硅基微电子机械系统仿生振膜的光纤麦克风

仿蝇耳声传感器是一种对声压梯度敏感的指向性微型麦克风.本文设计制备了桥连耦合双翼形硅基微电子机械系统仿蝇耳振膜,利用该振膜制作了光纤Fabry-Pérot干涉式麦克风,并对这种麦克风的特性进行了理论与实验研究.仿真结果指出:这种仿生振膜具有摇摆和弯曲两种振动模态,单位声压下摇摆模态的振幅依赖于入射声波的频率与传播方向,频率越接近摇摆模态本征值,振幅越大;摇摆模态振幅随传播方向在三维空间的变化呈纺锤形分布,纺锤的长轴平行于振膜的长轴,意味着传播方向平行于振膜长轴时麦克风灵敏度最高.实验测得的光纤仿生麦克风的摇摆模态本征频率略小于仿真值,其输出信号振幅随声源水平方位角的变化呈“8”字形分布,在0°—60°方位角范围二者呈线性关系,由此得出麦克风的方向灵敏度为39.98 mV/(°).     

In-Situ Alignment of MnBi Crystals Induced by High Magnetic Field above Curie Temperature

Above Curie temperature, MnBi crystals are aligned in situ along the c-axis in a Bi matrix by a high fabrication magnetic field H f of 10 T. Magnetic testing shows a pronounced anisotropy in magnetization in directions normal and parallel to the fabrication field, resulting from the alignment. The successful alignment m v result from the fact that the easy magnetization direction is along the c-axis of MnBi and the high fabrication field of 10 T is large enough to rotate the ）MnBi crystal to this direction even though the temperature is above the Curie temperature.     

-1不同温度生长DKDP晶体的性质

用点籽晶快速生长法在不同温度区间生长了四块氘含量60% DKDP晶体,观察了不同温度下晶体生长过程,同时测量了晶体的透过光谱、摇摆曲线和1053 nm激光损伤阈值。结果表明,在高温区间晶体生长外形优于低温生长的晶体。不同温区晶体的透过光谱并无明显变化,但是随着生长温度的降低,晶体的结构完整性变差,1053 nm激光损伤阈值降低。     

基于线切割机加工硅分光晶体的研究

单晶硅分光晶体作为同步辐射光源光束线单色器中常用的部件,由于它对加工精度的要求越来越高,所以减小加工过程中产生的残余应变显得尤为重要。介绍了线切割机加工单晶硅晶体的主要过程,包括晶体定向的原理,线切割机加工硅分光晶体的方法,检测加工表面的粗糙度和面形。此外还利用上海光源BL14B线站测量了它的摇摆曲线,其结果满足设计要求。     

ADS注入器II的5 MeV高能传输线的设计与搭建

ADS先导专项的注入器Ⅱ计划在将质子束通过一个Cryomodule加速到5 MeV后,进行10 mA连续束流的调试,以验证ADS低能段的强流超导直线加速器技术。为了将50 kW的束流功率沉积到束流垃圾站,需要搭建一条高能束流传输线,从超导段开始传输束流。采用两套三组合四极透镜控制束流包络及垃圾站的束流尺寸,利用诊断真空室进行水平和垂直发射度的测量。为避免束流产生的真空管道损伤,该传输线必须确保束流无损失地传输到垃圾站。A CW 10 mA,5 MeV beam commissioning of CADS Injector Ⅱ is planed recently to test the high power superconduction linac techniques.To transport 50 kW beam from linac to the beam dump,a high energy beam line (HEBT) line is designed and setup.Two Triplet are used to control the beam size along HEBT and at the beam dump.One diagnostics box is used for horizontal and vertical emittance measurement.To avoid damages to the vacuum pipe,beam should be transported to the beam dump without losses.The details of the HEBT design will be described in the paper.     

BESⅢ低温系统的预设计

对中科院高能所第三代北京谱仪(BESⅢ)螺线管磁铁低温系统的预设计进行了介绍,包括项目简价、BESⅢ螺线管磁铁的基本数据、磁铁低温系统的流程组织、系统热载荷、工作模式及各关键部件的预设计结果等.     

铁电相Tb2（M0O4）3晶体的生长和缺陷研究

钼酸铽[Tb2（M0O4）3]是一种具有铁电、铁弹和顺磁等多种性质的功能晶体。采用提拉法,沿[001]方向生长了Ф25mm×20mm的铁电相Tb2（M0O4）3晶体。采用化学腐蚀法、扫描电子显微镜（SEN）观察了晶体中的缺陷,结果显示,晶体中的主要缺陷是位错、镶嵌物。高分辨X射线衍射（摇摆曲线）实验表明所生长的Tb2（M0O4）3晶体具有很好的晶格完整性。