H2X(X=O,S,Se,Te)分子的双光子激发

本文采用全相对论量子力学计算了H₂X (X=O, S, Se, Te) 分子的双光子过程, 并考虑相对论效应对双光子过程的影响. 结果表明, 各个不可约表示对称态下激发能有着明显的差异,它反应了双光子吸收过程中选择能级的特点. 同时, 采用非相对论的对称匹配簇/组态相互作用方法 (SAC-CI) 计算其分子的单光子激发, 并与之比较. 双光子跃迁概率要比单光子跃迁概率小2–5个数量级; 同一主族, 随着原子序数的增加, 相对论效应对分子体系的激发能量、跃迁概率、振子强度的大小都有显著地影响; 除此之外,每个分子遵守分子对称群的选择原则. 本文中, 分子H₂X (X=O, S, Se, Te) 的个别不可约表示对称态的跃迁矩分量和振子强度远远大于其他对称态下的跃迁矩分量和振子强度, 甚至大于单光子激发. 这不仅与分子的对称性有一定的关系, 而且应该是选择双光子跃迁能级的重要依据. 关键词： 全相对论量子力学 双光子激发 电偶极跃迁矩 振子强度     

磁化等离子体环境对氢原子能级结构的影响

本文通过非微扰求解薛定谔方程, 研究了强磁场磁化的等离子体环境中的原子能级结构和辐射动力学过程. 在较宽的磁场强度范围和等离子体屏蔽参数范围内, 给出了氢原子基态以及低激发态的能级、辐射跃迁能量和振子强度等重要的原子参数, 定量地描述了强磁场和等离子体屏蔽共同作用的综合效应. 相关的结果有助于增进对极端环境下原子光谱结构的认识, 在等离子体光谱诊断和天文光谱观测方面有一定的借鉴意义. 关键词： 强磁场 CWDVR谱方法 能级结构 振子强度     

天线阻抗特性对开关振荡器输出脉冲的影响

以单锥天线和螺旋天线作为开关振荡器辐射天线为例,采用等效电路模型和商业电磁仿真软件,分别对天线末端电压振荡信号和辐射电场脉冲进行了研究。研究结果表明:采用行波天线或者电长度与振荡器一致的振子天线作为辐射天线,都能够产生中心频率与振荡器本征频率一致的电磁脉冲信号;但采用振子天线时,振荡信号持续时间较短(Q值较低),频谱上能量较分散,带宽较宽,而采用行波天线则脉冲持续时间较长(Q值较高),频谱上能量较集中,带宽较窄。     

如何认识弹簧振子和单摆的构成

在传统物理课程中,通常认为弹簧振子是由弹簧和振子组成的,而单摆是由摆球和细线组成的.然而,根据德国卡尔斯鲁厄物理课程关于动量流和能流的概念,这一传统的观点是不全面的,应予修正.     

三维各向异性q变形振子的双波描述

利用双波理论描述三维各向异性ｑ变形振子各力学量随时间的演化方程，结果显示粒子做非线性振动。当ｒ→０时，所有结论退化为普通三维各向异性谐振子的相关结果。     

Sc+18离子1s23d-1s2nf的跃迁能和偶极振子强度

用全实加关联方法计算了类锂Sc+18离子1s23d-1s2nf(4≤n≤9)的跃迁能和1s2nf(n≤9)态的精细结构. 依据量子亏损理论确定了该Rydberg系列的量子数亏损,用这些作为能量的缓变函数的量子亏损,可以实现对任意高激发态(n≥10)的能量可靠的预言. 利用在计算能量过程中确定的波函数,计算了Sc+18离子1s23d-1s2nf的偶极跃迁在三种规范下振子强度;将这些分立态振子强度与量子亏损理论相结合,得到在电离阈附近束缚态-束缚态跃迁振子强度以及束缚态-连续态跃迁振子强度密度,从而将Sc+18离子的这一重要光谱特性的理论预言外推到整个能域.     

V^20＋离子1s^23d-1s^2nf的跃迁能和振子强度

用全实加关联方法计算了类锂V^20＋离子1s^23d-1s^2nf的跃迁能和偶极振子强度．依据量子亏损理论，确定了1s^2nf系列的量子数亏损，用这些作为能量的缓变函数的量子亏损，实现对该Rydberg系列任意高激发态（n≥10）的能量的可靠预言．将这些分立态振子强度与量子亏损理论相结合，得到在电离域附近束缚态间的偶极跃迁振子强度以及束缚态一连续态跃迁的振子强度密度，从而将V^20＋离子的这一重要光谱特性的理论预言外推到整个能域．     

低温下二维绝缘铁磁体的磁振子寿命

在二维正方绝缘铁磁系统基础上建立了一个磁振子-声子相互作用模型. 利用格林函数方法研究了磁振子-声子相互作用下的二维绝缘铁磁体的磁振子衰减(即-ImΣ^*(1)(k)), 计算了布里渊区的主要对称点线上的-ImΣ^*(1)(k).发现在布里渊区边界区域磁振子衰减很明显, 但小波矢区(k_xa/π＜0.22附近)磁振子衰减非常弱, 而且温度很低时磁振子衰减有极大值. 比较了纵向声子与横向声子对磁振子衰减的影响, 也讨论了各项参数的变化对磁振子衰减的影响. 根据关系式-Im^*(1)(k)=/(2τ)可以对磁振子寿命进行判断. 关键词： 磁振子-声子相互作用 磁振子衰减 铁磁体 磁振子寿命     

Nd∶YAG中电声耦合非Markovian过程的激发光谱

用Brown振子模型研究YAG基质材料中Nd^3+ 4f电子跃迁的电子-声子相互作用过程，详尽推导电子．声子耦合的表达式，计算了电声耦合常数不同时的激发光谱，结果表明，电声耦合作用使电子跃迁的吸收峰两边产生声子吸收峰，电声耦合作用较强时，可以产生多级声子吸收峰．通过模拟实验激发光谱，得到样品的电声耦合常数和声子频率等参数，和半导体比较，样品的电声耦合常数较小，说明4f电子．声子的耦合属弱相互作用．用这些参数计算时间分辨的荧光相干光谱，其结果与实验结果一致．