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101.
i)对变量分离型间接控制系统,本文给出其平凡解关于部分变元绝对稳定的充要条件。ii)对非变量分离型间接控制系统,给出其平凡解关于部分变元绝对稳定的充分条件。 相似文献
102.
本文讨论随机动态线性经济系统:Yt=AY_(t-1)+b十μ_t在矩阵A为一般情形下的稳定性问题。并给出该系统稳定的充要条件。 相似文献
103.
104.
对于有限Abel群G,t(G)定义为其直接因子的个数,在[5]中,E.Kratzel对于和式得到一渐近公式,对应余项为△_1(x).本文利用E.Fouvry和H .Iwaniec的方法,得到了关于△_1(x)的一个新的估计,改进了H.Menzer等人的结果. 相似文献
105.
通过对K.J.Palmer ̄[4]中方法的改进,本文讨论了摄动系统有界解的存在性,得到了不同于[4]中的结果,并把改进了的方法运用到拟自治奇异摄动系统,得到了拟自治奇异摄动系统存在有界解的一个简洁的充分条件。本文的方法还提供了一个处理摄动项含小参数的方法。 相似文献
106.
用形状指数研究苯酚类化合物对大型蚤的急性毒性 总被引:5,自引:1,他引:5
基于分子拓扑理论,计算了18种取代苯酚的Kier分子形状拓扑指数(^mK).利用最小二乘法建立了不同pH值下11种取代苯酚对大型蚤急性毒性(pIC50)的QSAR模型,其相关系数(R^2)依次为:0.963(pH=6.0),0.966(pH=7.8),0.846(pH=9.0).这些模型的计算值与其实验值基本吻合.通过留一法检验及对其余7种取代苯酚类化合物的pIC50值进行预测,结果表明该模型具有良好的稳健性和预测能力. 相似文献
107.
本文结合CALYPSO软件和密度泛函理论,详细研究了MB80/-(M=Li、Na、Rb、Cs)团簇的几何结构和成键特性.结构分析结果表明,MB80/-团簇的基态结构都具有相似的几何构型,均为七棱锥状结构,并且随着掺杂原子的原子序数的增加,其M-B键的键长呈增加的趋势.通过稳定性分析,我们发现Li B8-团簇的最高占据分子轨道与最低未占据分子轨道之间的能隙(HOMO-LOMO能隙)以及结合能(Eb)最大,因此这个团簇是体系中相对稳定的结构.电荷转移分析表明,掺杂的碱金属原子在所研究体系中充当着电子供体的角色.最后,成键分析的结果显示,Li B8-团簇的稳定性来源于B原子的2p轨道以及Li原子的2s和2p轨道在HOMO和LUMO的高贡献;适应性自然密度划分分析显示,B和Li原子都参与了成键,这同样有利于Li B8-1团簇的高稳定性的形成.希望我们的工作... 相似文献
108.
相位生成载波(PGC)调制解调是干涉型光纤水听器常用的解调方法。首先,分析并建立了PGC解调系统的噪声传递模型,研究了光源强度噪声对PGC解调输出噪声的影响机理,分析了调制深度和工作点两个参数对PGC解调噪声稳定性的影响。然后,提出了一种基于3×3耦合器的多相PGC解调方案,即在传统PGC解调架构中引入3×3耦合器进行多相检测,利用3×3耦合器的相移特性对三路干涉信号进行融合处理。在不同的调制深度条件下,该方案可以降低水听器工作点变化所引起的光源强度噪声传递系数波动范围。实验结果显示,在常用的调制深度范围(1.7~3.4)内,工作点变化导致的噪声传递系数波动峰谷值小于0.5 dB,噪声稳定性相比传统PGC解调系统显著提升。 相似文献
109.
提出了一类新的相对性区域创新指数,并采用世界专利申请数据对其进行了具体计算.基于区域创新同经济发展水平之间的超线性关系,该指数消除了经济发展水平对创新能力的影响,可以实现对不同发展水平的经济体之间进行有效的创新能力横纵对比.该创新指数尽管极其简单,却揭示出一系列迥异于传统认知的现象,例如中国大陆地区的技术创新能力在1980年代就已经位居世界前列.采用该指数,不但可以在较高水平上解释世界各国的经济增长,还发现它同经济增长率之间的相关性存在一个20年的经济周期.这些结果显示,该指数作为一个单一性指标,以极小的数据依赖就实现了较高程度的解释性,不但重新定位了世界各经济体的创新能力,对深入理解创新同经济发展之间的关系提供了新的角度,而且暗示着这类相对性经济指标的发展潜力与应用空间. 相似文献
110.
以B 3 PyMPM∶Cs/Al/HAT-CN作为电荷生成单元制备高效叠层绿色磷光有机电致发光器件,叠层器件的最大电流效率和最大流明效率分别为172.2 cd/A和111.0 lm/W,在5 mA/cm^2电流密度下,叠层器件的电压和亮度分别为传统器件的2.04倍和2.84倍.为了探究叠层器件性能优于传统器件的原因,研究了电荷生成单元内的电荷产生和注入过程,以及薄层铝对电子注入特性和电荷生成单元稳定性的影响.实验结果表明,电荷能够有效地在电荷生成单元内产生并顺利注入电子传输层中,B3PyMPM∶Cs和HAT-CN间Al薄层的插入能够进一步提高电子注入效率及器件结构的稳定性. 相似文献