纳米多晶铜中冲击波阵面的分子动力学研究

冲击波阵面反映材料在冲击压缩下的弹塑性变形行为以及屈服强度、应变率条件等宏观量, 还与冲击压缩后的强度变化联系. 本文使用分子动力学方法, 模拟研究了冲击压缩下纳米多晶铜中的动态塑性变形过程, 考察了冲击波阵面和弹塑性机理对晶界存在的依赖, 并与纳米多晶铝的冲击压缩进行了比较. 研究发现: 相比晶界对纳米多晶铝的贡献而言, 纳米多晶铜中晶界对冲击波阵面宽度的影响较小; 并且其塑性变形机理主要以不全位错的发射和传播为主, 很少观察到全位错和形变孪晶的出现. 模拟还发现纳米多晶铜的冲击波阵面宽度随着冲击应力的增加而减小, 并得到了冲击波阵面宽度与冲击应力之间的定量反比关系, 该定量关系与他人纳米多晶铜模拟结果相近, 而与粗晶铜的冲击压缩实验结果相差较大.     

关于两个Hermite矩阵乘积特征值的一个问题

本文把两个半正定矩阵乘积的特征值的一组不等式，推广到一般Ｈｅｒｍｉｔｅ方阵上去并得到一个相似的结果。     

基于单片机的LED旋转式显示屏设计

基于视觉暂留特性设计并制作了一个13点线阵LED模块的显示屏。该系统可实现中文字符的显示和动态特效显示,将STC89C52单片机与发光二极管模块固定在电机的旋转轴上通过电机的旋转带动模块转动,再利用单片机控制发光二极管的亮灭,最后利用人眼的视觉暂留,构造出一个旋转的LED显示屏。     

高温硬焊料准连续半导体激光器巴条叠阵的性能研究

以巴条叠阵结构及封装方法为基础,研制了一组高温硬焊料准连续半导体激光器巴条叠阵,并研究了其相关的光电性能和寿命特征。结果表明,所研制的器件在200 A的工作电流下,重复频率250 Hz、脉宽200 μs时,单巴峰值功率>200 W,50%光谱宽度<3 nm,电光转换效率>50%,寿命达到4.71×10⁹ shots时的功率衰减<15%;当工作电流为150 A时,预期寿命高达1.5×10¹⁰ shots。     

表面绝缘铝平面丝阵Z箍缩实验研究

在"强光一号"装置(1.3 MA,100 ns)上进行了镀2μm聚酰亚胺绝缘膜平面铝丝阵与普通铝丝阵Z箍缩对比实验研究.实验结果表明,表面绝缘能够影响Z箍缩内爆动力学和辐射特性.通过简单理论分析,表面绝缘可能会增加初始阶段的能量沉积和参与内爆的质量;表面绝缘对于抑制平面丝阵多峰现象有明显作用,然而在所进行的实验中,并未观察到对X射线产额的改善作用.     

关于矩阵中两个命名与记法的浅见

1　“伴随”的多义文 [1 ]正确地指出了 ,在现行许多线性代数教材中 ,“伴随矩阵 A*”在不同的地方代表了两个完全不同的对象 .在求逆矩阵时 ,伴随矩阵 A* =(Aji)在复欧氏空间中研究正交变换时 ,伴随矩阵 A* =(aji)同一名词同一符号代表两个完全不同的对象 ,违背了科学名词应遵循的一词一义的单义性原则 ,因此 ,便会出现混淆的弊病 .克服重名的办法 ,只需将其一改个名字即可 .然因“伴随”并未很好地反映它所代表之对象的意义与特性 .为了词、义相符 ,文 [1 ]作者在 [2 ]中倡导“称 (Aji)为 A的余子式转置阵”这就反映出它的特征和产生…     

一点到一仿射集合投影的加权扰动分析

1引言设AEC“”,M和N分别为m和,;阶Hermite正定阵,则存在唯一的矩阵X6C”””满足AXA一A,XAX一X,（MAX）”一MAX,（NXA）”一NXA,（．1）其中B”为B的共轭转置阵．称满足（互．l）的X为A的加权M－P逆,记作X二A和．特别,当M—I。,N—I。时,A;一A”为矩阵的M－P逆．文献［3—5,11,13］讨论了一点到一仿射集合投影的挑动和加权扰动理论．文献［7,9,18」研究了极小N一范数、M一最小二乘解的扰动分析．本文推广了以上文献的主要结果．考虑如下问题「1,2〕：给定AE〔叩“”,bEC一和广EO,找一个向量X”E…     

I.I.D.随机变量两两乘积之和的Hsu-Robbins型定理(II)

在本部分中,采用由Levy函数(4.1)所确定的值b     

关于矩阵的Bergstrom型不等式的修正

本文指出了[1]中关于实数域上亚正定阵和[3]中关于四元数体上正定自共轭矩矩阵的Bergstrom型不等式推广的错误,同时给出有关结论的正确形式.     

半正定矩阵Hadamard积的不等式

利用分块矩阵的方法得到了关于半正定矩阵M-P逆的H adam ard积的几个偏序不等式,推广了某些已知的不等式.