关于"圆环驻波"的深入讨论

本文在对圆环驻波实验现象深入细致观察的基础上，指出了人们关于圆环驻波的错误认识．考虑到波在反射时的能量损失后，我们得到了可以很好解释圆环驻波现象的理论结果．     

强非线性吸收下高斯光束Z-扫描衍射理论模型

 摘要：在同时考虑非线性折射和非线性吸收的情况下，借助光的衍射理论，研究了Z-扫描技术的衍射理论模型，分析了非线性折射和非线性吸收同时存在时Z-扫描曲线的形状特征和变化规律。数值计算表明，非线性吸收相移和非线性折射相移的比值是影响接收小孔输出光功率的重要因素。要想得到好的光限幅效果，应选取非线性相移比值远小于1或远大于2的非线性材料。     

高精度非线性格式WCNS的分析研究与其应用

首先将Fourier方法推广于高维方向研究了五阶精度WCNS的特性,并与其他高阶格式进行比较。分析结果表明WCNS的高精度特性普遍接近甚至好于迎风偏置五阶显式格式EUW-5与Pade′标准格式。然后开展了WCNS的应用研究,采用高效率的WCNS-E-5数值模拟了含强激波的高维复杂流场。算例包括二维高超声速边界层对自由流扰动波的吸收问题以及三维球头绕流问题。计算结果反映出WCNS-E-5对激波等间断的良好捕捉能力,图像清晰光滑,数据准确可靠。     

石墨烯纳米带电极区N掺杂电子输运性质研究

运用密度泛函理论和非平衡格林函数结合的方法,研究电极区N掺杂对扶手椅型石墨烯纳米带电子输运特性的影响.结果表明,与本征扶手椅型石墨烯纳米带电流-电压曲线相比,宽度为7的石墨烯纳米带电流-电压曲线表现出明显的不对称性,其中心N掺杂表现强烈的整流特性,整流系数达到102数量级,且将N原子从电极区中心位置移动到边缘,整流特性减弱.研究结果表明宽度为7的扶手椅型石墨烯纳米带出现强整流现象的原因主要是负向偏压下能量窗内没有透射峰引起的,该研究结果对将来石墨烯整流器件的设计具有重要的意义.     

消荧光现象与表面谐波产生

消荧光现象是激光与物质表面非线性相互作用的结果，这是一种普遍现象。在表面谐波产生的研究中，它常常被忽略。大量研究表明：表面谐波产生与消荧光现象，有着密切的内在联系。本文以消荧光观点详细讨论了表面谐波产生的机制，提出了表面谐波产生的消荧光模型。新机制可归纳为：（ａ）多光子受激吸收产生消荧光光斑，（ｂ）激光热效应等促进自发辐射转向准受激辐射，（ｃ）伴随荧光消失，部分产生荧光的激光能量转换为产生表面谐波     

自制三种物理实验装置及演示

1演示超重现象 取透明塑料瓶一个，截去瓶底，并改用一张白纸封住底部（可用细线捆扎）．再取一段橡皮筋，一端和一柱形金属重物连结，并将重物放入瓶中，橡皮筋另一端固定在瓶口处．静止时重物不和白纸接触，约保持1cm距离．整个装置如图1所示．     

Influence of Selective Edge Removal and Refractory Period in a Self-Organized Critical Neuron Model

A simple model for a set of integrate-and-fire neurons based on the weighted network is introduced. By considering the neurobiological phenomenon in brain development and the difference of the synaptic strength, we construct weighted networks develop with link additions and followed by selective edge removal. The network exhibits the small-world and scale-free properties with high network efficiency. The model displays an avalanche activity on a power-law distribution. We investigate the effect of selective edge removal and the neuron refractory period on the self-organized criticality of the system.     

Fabrication of high-quality submicron Nb/Al--AlOx/Nb tunnel junctions

Nb/Al-AlOx/Nb tunnel junctions are often used in the studies of macroscopic quantum phenomena and superconducting qubit applications of the Josephson devices. In this work, we describe a convenient and reliable process using electron beam lithography for the fabrication of high-quality, submicron-sized Nb/Al-AlOx/Nb Josephson junctions. The technique follows the well-known selective Nb etching process and produces high-quality junctions with Vm=100 mV at 2.3 K for the typical critical current density of 2.2 kA/cm^2, which can be adjusted by controlling the oxygen pressure and oxidation time during the formation of the tunnelling barrier. We present the results of the temperature dependence of the sub-gap current and in-plane magnetic-field dependence of the critical current, and compare them with the theoretical predictions.     

Xe偶－偶同位素低激发态性质的IBM2描述

通过考虑同类核子相干对Ｓρ、Ｄρ间的四极相互作用，在ＩＢＭＺ中对Ｘｅ偶一偶同位素１１６Ｘｅ—１３２Ｘｅ的低激发态能谱和Ｅ２跃过几率进行了理论分析．计算结果有效地改善了ＩＢＭ中这些核的准γ带能谱的Ｓｔａａｓｅｒｉｎｇ现象，较精确地描述了实验观察到的低激发态的性质．