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本文用微扰理论导出了横向磁化条件下铁磁薄膜中非线性静磁表面波满足的运动方程和它的解析解。获得非线性色散关系,揭示了传播功率致使静磁表面波频带压缩。研究了群色散和非线性频移随频率和薄膜厚度的变化规律。证明了横向磁化时非线性MSSW不能以静磁孤子的形式存在。
关键词: 相似文献
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本文报道在国内首次采用离子束铣技术研制自集成透镜InGaAsP/InP DH LED的实验结果。采用烘烤正性光致抗蚀剂来形成球状掩膜适合于离子束铣,且重复性很好。为了获得光洁的刻蚀表面,刻蚀条件均已最优化。 相似文献
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无源空心波导谐振腔横模模式的竞争与转换 总被引:1,自引:0,他引:1
本文提出并采用非对角化的分析法研究无源空心波导谐振腔横模模式间的竞争与转换。从计算EH_(1m)类波导本征模在腔内的转换矩阵中发现:在模式的传输过程中,存在着横模模式间的相互转换,而且其互换的能量不相等。在一定的腔设计条件下,会出现高阶横模向低阶横模的能量净流动,这有利于谐振腔横模模式的选择和基模输出功率的提高。 相似文献
56.
本文报道一种用单模光纤制作亚微米周期光栅的全息方法,并详细分析和讨论了影响光栅质量的各种因素。实践证明这一方法完全适于制作面积不小于10×10mm~2适于集成光学元件需要的高质量光栅。 相似文献
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用波导产生倍频波时,如果倍频波进入辐射模区,仍然有相匹配问题。契伦可夫辐射式倍频不是自动地实现相匹配的。相匹配要求导波基波模式场,倍频传输场(自由波),倍频触发场,以及经多次反射透射后的辐射场的迭加形成的总辐射场处于同步的相匹配状态。根据这个相匹配的分析,提出波导契伦可夫相匹配的特有的方法,那就是对波导的模色散进行设计,并指出非对称波导的特有优点,是改变一个边界上的反射相变,即选择不同色散的线性材料作包层,由此可得到相匹配的高效契伦可夫倍频辐射。 相似文献
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为提高磁体系统安装精度,在 HL-2M 集成大厅建立 63 个基准点构成测量基准网,并利用激光跟
踪仪等高精度测量设备建立每个磁体的局部坐标系,测量特征点的局部坐标;基于测量基准网和公共测量点,采
用最佳拟合得到坐标转换矩阵,以此得到特征点在测量基准网的位置,指导磁体安装。完成安装后的中心柱同支
撑基础的同轴度为∅2.03mm;PF1~PF4 线圈安装标高偏差为±0.5mm,与中心柱的同轴度为∅2.60mm;PF5/6/7/8
线圈与中心柱的同轴度偏差小于∅3.00mm,标高偏差在[−1mm, 1mm]区间内。基于以上方法所得到的线圈安装精
度都满足设计需求。 相似文献
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石墨烯-氮化硅光电器件在光电集成方面具良好的性能,但在氮化硅上转移石墨烯的可见度通常不佳,导致难以判断转移石墨烯的效果,因此研究石墨烯在氮化硅上的可见性具有重要意义。基于菲涅耳公式,推导出石墨烯在多层结构下的光学反射率和对比度理论计算公式,使用MATLAB仿真并分析石墨烯/氮化硅/二氧化硅/硅多层结构下不同二氧化硅厚度对光学对比度的影响。仿真结果表明,在特定的二氧化硅层厚度下,石墨烯的光学对比度能显著增加,从而使石墨烯在显微镜下清晰可见,能更好地判断石墨烯的转移效果,当二氧化硅厚度为2547 nm时,使用500 nm的青绿色光源作为背景光,石墨烯与周围介质的对比度能够超过0.3。最后对二氧化硅厚度为2330 nm和2690 nm的石墨烯/氮化硅/二氧化硅/硅多层结构的样品进行对比度实验,实验结果与理论预测有一定差异,分析表明主要原因为材料沉积厚度和光源波长存在偏差,这对后续改进器件制作工艺以及完善测试方式具有指导意义。 相似文献
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