Effects of Electric and Magnetic Fields on Pure Dephasing of Exciton Qubits

In a two-dimensional quantum dot （QD） with parabolic confinement potential, we investigate pure dephasing due to deformation potential exciton-bulk longitudinal acoustic phonons （LAP） interaction for exciton qubits under the influence of external static electric and magnetic fields by adopting the full quantum-mechanical method of Kunihiro Kojima and Akihisa Tomita. The wave function is found and the dependence of the pure dephasing factor on the confinement length of the QD and time and temperature is discussed. We find the external electric and magnetic fields have important effects on pure dephasing of exciton qubits because exciton-LAP interaction increases, leading to more pure dephasing.     

基于高低电平预充电方案的功耗恒定型门电路设计

功耗分析攻击（power analysis attack,PAA），即通过分析数字电路中寄生电容和负载电容充放电引起的功耗变化得到与之相关的信息，因此，消除功耗与数据的相关性已成为防御功耗攻击的重要研究方向，功耗恒定电路便是比较有效的方案之一。基于动态差分逻辑的门电路，设计了可较好消除功耗与存储和计算信息关系的电路，从根本上消除了功耗分析所依赖的功耗-数据相关性的物理基础，提出了一种改进型低功耗、低成本的功耗恒定门电路，设计了高电平预充电和低电平预充电2种方案，并比较了2种方案在功耗恒定性和能耗上的差异。结果表明，与已有方案相比，设计的2种预充电方案均具有更小的功耗偏差，且低电平预充电方案的电路总能耗更低。     

Ag/Bi4Ti3O12栅n沟道铁电场效应晶体管制备及存储特性

在溶胶-凝胶工艺获得高质量Bi₄Ti₃O₁₂薄膜的基础上 ，制备了Ag/Bi₄Ti₃O₁₂栅n沟道铁电场效应晶体管. 研 究了Si基Bi₄Ti₃O₁₂薄膜的生长特性及其对铁电薄膜/ 硅的界面状态和铁电场效应晶体管存储特性的影响. 研究表明，在合理的工艺条件下可以获 得具有较高c-轴择优取向的纯钙钛矿相Si基Bi₄Ti₃O₁₂ 铁电薄膜并有利于改善Bi₄Ti₃O₁₂/Si之间的界面特性; 顺时针回滞的C-V特性曲线和C-T曲线表明Ag/Bi₄Ti₃O_{12栅n沟道铁电场效应晶体管具有极化存储效应和一定的极化电荷保持能力; 器件的转移(I< sub>sd}-V_G)特性曲线显示Ag/Bi₄Ti₃O_{12栅n沟道铁电场效应晶体管具有明显的栅极化调制效应. 关键词： 铁电场效应晶体管 4}Ti₃O₁₂')" href="#">Bi₄Ti₃O₁₂ 存储 特性 溶胶-凝胶工艺     

“电场强度”教学设计

1 教学目标 1.1知识技能 了解电场是一种物质(难点),知道电荷之间是通过电场发生相互作用的.掌握电场强度的定义及物理意义(重点),理解场强是用来描述电场力的性质的物理量,由电场本身决定.掌握点电荷的场强公式,知道场强的叠加原理.了解电场线,知道匀强电场的性质.     

勇于面对学生的"问难"——一个教学案例引发的思考

在上“磁场”习题课的时候，碰到这样一个题目：三个相同的带电小球1、2、3，在重力场中从同一高度静止开始下落．其中小球1通过一个附加的水平方向的匀强电场；小球2通过一个附加的水平方向的匀强磁场；小球3不通过附加场，自由下落．设三个小球落到同一高度时的动能分别为E1、E2、E3，忽略空气阻力，则     

电子漂移速度的几种计算方法及其比较

根据经典电子论分别采用三种不同的方法：算术平均法、统计平均法和电子动力学方程法解出金属中电子的平均漂移速度，并且对三种方法所得到的不同结果进行了比较分析．     

电场作用下过冷水形核的分子动力学模拟

采用分子动力学模拟的方法研究了过冷水的结构和形核过程随电场强度变化的情况。对系统微观结构的分析显示在电场强度为0～10~(10)V/m范围内,处于200K的过冷水在5 ns时间内不足以发生形核,只有当电场强度增加到10~(11) V/m或者温度降低到100K时系统才能在5 ns内发生形核。模拟结果表明电场强度的改变对系统中水分子团簇的微观结构有明显影响,电场强度的增加能促进系统的短程有序性。     

静电场描绘实验原理的简捷证明

静电场的描绘一般采用恒流电场模拟描绘,实验原理的证明和讲解是必要的,许多实验指导书上的证明过程不是过于繁琐就是不够清晰。提供了一种方法以供同行参考。