新型Si3N4层部分固定正电荷AlGaN／GaNHEMTs器件耐压分析

为了优化传统AlGaN／GaNhighelectronmobilitytransistors结构表面电场分布,提高器件击穿电压和可靠性,本文利用不影响AlGaN／GaN异质结极化效应的Si3N4钝化层电荷分布,提出了一种sbN4钝化层部分固定正电荷AIGaN／GaNhighelectronmobilitytransistors新结构．SiaN4钝化层中部分固定正电荷通过电场调制效应使表面电场分布中产生新的电场峰而趋于均匀．新电场峰使得新结构栅边缘和漏端高电场有效降低,器件击穿电压从传统结构的296V提高到新结构的650V,而且可靠性改善．通过Si3N4与AlGaN界面横、纵向电场分布,说明了产生表面电场峰的电场调制效应,为设计SiaN4层部分固定正电荷新结构提供了科学依据．Si3N4钝化层部分固定正电荷的补偿作用,使沟道二维电子气浓度增加,导通电阻减小,输出电流提高．     

多间隙气体开关的电场分布特性

为了寻求可用于快前沿直线型变压器驱动源最理想的多间隙气体开关结构,利用有限元分析软件模拟计算了几种不同电极结构气体开关内各间隙在开关触发前后的电场分布,并利用新型开关电路模型研究了气体开关触发导通前均压措施对开关内部各间隙电场分布均匀性的影响,以及触发后各中间电极对主电极杂散电容与气体开关内电场分布规律之间的关系。结果表明:圆形环状结构电极有利于形成稳定的多通道放电,降低开关的电感及抖动;在开关各个间隙之间并联相同阻值的电阻可以有效地改善开关直流耐压特性;在开关触发导通时,各间隙的电压分布主要与触发电压的上升时间、各个电阻及杂散电容值有关;触发电压的上升时间越短,杂散电容值对间隙电压分布的影响越明显。     

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利用发射探针诊断了处于扩散等离子体流场中平板两侧的鞘层电势分布并给出鞘层厚度及边界电场。结合Child-Langmuir(CL)定律并利用一维流体模型,分析对比了鞘厚及边界电场。结果显示,上下游的鞘层呈现不对称结构,下游比上游厚,边界电场下游比上游弱,并且下游的预鞘还呈现类似虚阳极的结构。上下游CL鞘的厚度满足线性比例关系,比例系数约为1.2,且实验值与理论值非常接近。上下游CL鞘的边界电场与模型Te/(eλD)比较接近,上游Bohm鞘边界电场的实验结果与过渡区模型 较符合,但下游Bohm鞘的边界电场与现有模型有较大差异。     

一维二嵌段高聚物中电荷输运的分子弹性效应

基于扩展SSH(Su-Schrieffer-Heeger)模型并采用动力学方法讨论了一维二嵌段高聚物中分子弹性对电荷输运的影响。我们发现,由于两嵌段高聚物中分子弹性的差异,在其交界处会形成一个载流子跃迁势垒。增大注入电子的动能将有效降低电子隧穿的临界电场,而加大两段高聚物弹性的差别将增大临界电场的强度。     

Eu原子偶宇称高激发态的场电离探测

利用共振激发技术和电场电离(EFI)方法研究了铕(Eu)原子偶宇称高激发态。实验共探测到89个态,其中报道了56个态的能级位置和光谱归属等信息。经过对有效主量子数和量子亏损进行理论分析,并结合文献结果的对比,不但认定它们属于4f76s(9S)np(8PJ或10PJ)里德伯系列,还填补了该系列中n=19～39各态的文献空白。另外,建议将Eu原子第一电离限修正为45734.2cm-1,同时解释了在其附近所观察到的宽峰的物理机制。     

国外有关学生对电场和电势概念理解的研究

对国外有关学生理解电场、电势概念情况的研究进行了简要介绍,并根据概念转变策略和迁移理论相应提出几点教学建议,最后指出目前国内研究的不足和下一步研究的方向．     

具有变时滞耦合部分非恒定节点复杂网络的同步(英文)

主要研究了带有时变耦合部分且非恒定节点含有变时滞复杂网络的同步问题.利用Lyapunov函数理论,设计有效的控制函数并获得一些简单的同步准则,使得属于不同簇的复杂网络能同步到任意光滑的状态.最后给以一数值仿真的例子验证了该理论的有效性.     

同步辐射用高频腔的性能研究实验

基于合肥光源提供的铜制有源高频腔和上海光源提供的铌制超导无源高频腔,设计了可以测量高频腔性能参量的实验装置.以探针将微波信号馈入高频腔体中,通过网络分析仪接收到的信号分析微波在腔体中的谐振情况,从而测量腔体的特性.利用该实验装置测量了2个高频腔的谐振频率、品质因数和腔体中心轴线上的电场分布.     

GaAs半导体量子箱中电子的斯塔克效应

在有效质量近似下,利用变分法研究了在GaAs半导体量子箱中电子能量的斯塔克效应.结论表明:电场平行于量子箱的中心轴时,斯塔克能移只与量子箱高度有关;电场垂直于中心轴时,斯塔克能移仅仅与它的截面尺寸有关.当电场方向与中心轴夹角为任意角时,斯塔克能移与高度和截面都有关.同时在低场和高场极限下,理论上分析了电场大小和量箱尺寸对斯塔克能移的影响.     

具有梯度结构的蛋白石光子晶体的制备

具有梯度结构的蛋白石光子晶体具有独特的光学性能。本文通过垂直沉积法和电场诱导沉积等方法共同作用将具有不同直径的聚苯乙烯(Polystyrene)胶体微球逐层组装在一起,制备出具有梯度周期尺寸变化的蛋白石结构。