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双元场和光子的波动方程 总被引:2,自引:2,他引:0
把电场和磁场组合成双元场,用来表示光子的状态,使得光子的波动方程成为一阶导数型的。该方程既具备宇称变换下的协变性,也体现出电和磁间的对称性,且保持了态函数的统计诠释,文中给出了光子的一些常用算符,并分别在P和H,Pz,Jz t H以及J^2,Jz和H同时确定的情况下求出了方程的解,不需要给态函数附加Lorentz条件,即能用该波动方程得到只存在两种横光子的结论。 相似文献
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针对磁场变化时激发产生的感生电场很难演示的问题,设计了演示感生电场存在的实验. 该实验将不同功能的仪器组合起来使用,通过亥姆霍兹线圈的交变磁场对带电粒子的作用效果,直观说明感生电场的存在. 相似文献
114.
采用圆锥形压头对紫铜进行划痕试验,并通过三维表面形貌仪获取划痕的三维形貌,研究正压力的变化对划痕沟槽所产生的影响. 结果表明:正压力的增大,使得划痕宽度和深度均线性增加,当正压力较大时,位错墙的形成使划痕深度出现周期性的波动,同时压头划刻过程伴有划痕两侧和前端的材料堆积现象,前端堆积高度和厚度、两侧堆积高度和宽度随着正压力的增加而线性增大. 通过“切削与塑性比”说明了压头对紫铜的刻划存在微犁耕和微切削两种变形机制,并且微切削机制在划刻过程中占主导地位. 磨损率随着载荷增加而线性增大,但划痕硬度不随载荷的变化而改变,约为0.77 GPa. 相似文献
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具有尺度依赖的挠曲电效应在器件的设计中扮演着越来越关键的角色, 研究人员在微纳米尺度多物理场分析中进行了大量工作. 基于考虑挠曲电和电场梯度效应的弹性介电材料非经典理论, 以二维纳米板为例, 通过理论建模, 分析纳米板在弯曲问题中的力?电耦合行为. 根据Mindlin假设给出板的位移场和电势场的一阶截断, 选取板的材料为立方晶体(m3m点群), 将广义三维本构方程代入到高阶应力、高阶偶应力、高阶电位移和高阶电四极矩的表达式中得到相应的二维本构方程, 利用弹性电介质变分原理得到板的控制方程和边界上的线积分等式, 分别将二维本构方程和边界上外法线的方向余弦代入, 得到板的高阶弯曲方程、高阶电势方程以及对应的四边简支边界条件. 利用四边简支矩形板的高阶弯曲方程、高阶电势方程和相应的边界条件, 根据Navier解理论, 求解纳米板的电势场, 重点分析电场梯度对板内一阶电势的影响. 数值计算结果表明: 电场梯度对纳米板中由挠曲电效应产生的一阶电势有削弱作用, 且材料参数g11越大, 一阶电势受到的削弱越大; 同时电场梯度的存在消除了纳米板在受横向集中载荷作用时一阶电势的奇异性. 本文是对具有挠曲电效应和电场梯度效应的纳米板结构分析理论的一个扩展, 为微纳米尺度器件的结构设计提供参考. 相似文献
116.
《力学学报》2012,44(2)
采用坐标变换法数值求解了耦合的Poisson-Nernst-Planck(PNP)方程和Navier—Stokes(NS)方程,研究二维狭窄微通道行波电场电渗流数值解.数值结果表明,坐标变换法能有效降低电渗流解数值解在双电层的高梯度,有效改善数值解的收敛性和稳定性.坐标变换的电渗流数值解和原始坐标下的数值解完全一致.坐标变换后采用简单的网格也能得到和原始坐标下复杂网格相同的解.给出了滑移边界的近似解与完整的PNP—NS数值解的比较.在双电层厚度与微通道深度比值(λ/H)很小的情况下(相对深通道),两者的解基本一致.但在λ/H较大时(相对浅通道)滑移边界的解高于电渗流速度. 相似文献
117.
径向电场调制毛细管电泳法用于蛋白质分离 总被引:1,自引:0,他引:1
利用自制的双向电场控制毛细管电泳新系统,考察了蛋白质的分离情况.结果发现,在低pH值下,通过施加径向电场,不仅可改变电渗流的大小和方向,而且能抑制蛋白质的吸附,进而实现对蛋白质分离效率和分离速度的调控.研究结果表明,可通过物理化学方法实现毛细管电泳的动态或随机调控,这对许多生物样品分离有实际意义. 相似文献
118.
恒定pH系统中不同大麦品种的耐铝性 总被引:5,自引:0,他引:5
本文提出以相对生长率衡量耐铝性,基本上排除了系统所造成的误差.以相对生长率P衡量根的耐铝性,在恒定的pH系统(pH4. 75士0. 1)中3ppm铝胁迫下,经大田鉴定的一级耐性品种B和H表现了不同的相对生长率,品种B的相对生长率达28%,而品种H只有1400,中等敏感品种Z为15%,而敏感品种S可达17%.结果说明:品种H的耐铝性可能是通过升高根际pH,降低铝的解离程度而实现的.而品种B的耐铝性机制与品种H不同,其耐铝性与根际pH值调节基本无关. 相似文献
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120.